源收集器设备、光刻设备和方法与流程

文档序号:15596277发布日期:2018-10-02 19:33阅读:185来源:国知局

相关申请的交叉引用

本申请要求于2013年4月5日申请的美国临时申请61/809,027的权益。在此将该临时申请的全文通过引用并入本文中。

本发明涉及一种源收集器设备,尤其是用于光刻设备中的源收集器设备,以及一种用于削弱燃料液滴流中的伴生液滴(satellitedroplet)的潜在的负面影响的方法和设备。



背景技术:

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底的目标部分上的机器。例如,可以将光刻设备用在集成电路(ic)的制造中。在这种情况下,可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成对应于ic的单层的电路图案。可以将该图案成像到衬底(例如,硅晶片)上的目标部分(例如,包括一部分、一个或多个管芯)上,所述衬底具有辐射敏感材料(抗蚀剂)层。通常,单个的衬底将包含被连续曝光的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括:所谓的步进机,在步进机中通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分;和所谓的扫描器,在所述扫描器中通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。

光刻术被广泛地看作制造ic和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而,随着通过使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小,光刻术正变成允许制造微型ic或其他器件和/或结构的更加关键的因素。

图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出,如等式(1)所示:

其中λ是所用辐射的波长,na是用以印刷图案的投影系统的数值孔径,k1是依赖于工艺的调节因子,也称为瑞利常数,cd是所印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由等式(1)知道,特征的最小可印刷尺寸的减小可以由三种途径实现:通过缩短曝光波长λ、通过增大数值孔径na或通过减小k1的值。

为了缩短曝光波长并因此减小最小可印刷尺寸,已经提出使用极紫外(euv)辐射源。euv辐射是波长在5-20nm范围内的电磁辐射,例如波长在13-14nm范围内,例如波长在5-10nm范围内,例如6.7nm或6.8nm的波长。可用的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源以及基于由电子存储环提供的同步加速器辐射的源。

可以使用等离子体产生euv辐射。用于产生euv辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以提供等离子体的激光器和用于容纳等离子体的源收集器模块。等离子体可以例如通过引导激光束至燃料来产生,燃料例如可以是合适的材料(例如锡)的液滴,或合适的气体或蒸汽的流,例如氙气或锂蒸汽。所形成的等离子体发射输出辐射,例如euv辐射,其通过使用辐射收集器收集。辐射收集器可以是反射镜式正入射辐射收集器,其接收辐射并将辐射聚焦成束。源收集器模块可以包括布置成提供支持等离子体的真空环境的包围结构或腔。这样的系统典型地被称作激光产生等离子体(lpp)源。

燃料液滴借助于燃料液滴生成器来生成。例如,燃料液滴可以在压电元件的控制下从毛细管发出。为了优化性能,燃料液滴融合成用于形成等离子体的合适或正确尺寸的液滴是重要的,而且,一个已知的问题是小液滴的伴生也可能由于非优化的液滴融合而形成。典型地,燃料液滴可以具有大约30微米的直径,而伴生的液滴可以具有大约6nm的直径。这些尺寸当然可能变化,但是可以给出规则的燃料液滴和不期望的伴生液滴的相对尺寸的指示。这种伴生液滴的存在可能干扰euv辐射的生成,并可能降低euv源的性能。存在这种伴生液滴的另外的缺陷是如果euv源包括主振荡器功率(mopa)配置的激光器,则伴生的液滴可能通过液滴之间的激发造成不期望的euv生成。

为了最小化伴生液滴的形成,燃料液滴生成器的操作参数应当被仔细地控制。然而,发现,在操作过程中调整燃料液滴生成器的必要参数是非常耗时的过程。而且,调整燃料液滴生成器的参数的需要仅仅在性能衰减已经发生和晶片已经由于不充分的曝光而被浪费时可能是显而易见的。



技术实现要素:

根据本发明的一个方面,提供了一种源收集器设备,例如构造成用在光刻设备中的源收集器设备,所述源收集器设备包括:燃料液滴生成器,配置成生成从所述燃料液滴生成器的出口朝向等离子体形成部位引导的燃料液滴流;以及气体供给装置,配置成提供朝向所述燃料液滴流引导的气体流,例如氢气流,借助于该气体流,伴生液滴被偏转出所述燃料液滴流。

在本发明的实施例中,所述源收集器设备还包括护罩,所述护罩基本上平行于所述燃料液滴流延伸,且其中所述气体流从设置在所述护罩中或所述护罩附近的出口延伸。

所述气体流可以形成为单个气体流或可以由多个独立气体流形成。优选地,所述气体流位于一平面中,且所述燃料液滴流基本上垂直于所述平面。

在本发明的优选实施例中,所述气体流被配置成使得在使用中,任何伴生液滴被偏转成使得在使用中它们不穿过用于从燃料液滴生成等离子体的激光束。

在本发明的优选实施例中,所述源收集器设备还包括检测设备,所述检测设备被构造和布置用于检测燃料液滴在燃料液滴流中的融合。所述检测设备可以例如是光学检测设备或电磁检测设备。

在本发明的优选实施例中,检测设备形成为所述护罩的一部分。例如,所述检测设备可以包括布置在燃料流的第一侧上的多个光源和布置在燃料流的相反的第二侧上的多个对应的检测器。替代地,所述检测设备可以包括布置在燃料流周围的第一电磁传感器和第二电磁传感器。传感器可以形成为所述护罩的一部分。

根据本发明的另一方面,提供一种源收集器设备,例如构造成用在光刻设备中的源收集器设备,该源收集器设备包括:燃料液滴生成器,配置成生成从所述燃料液滴生成器的出口朝向等离子体形成部位引导的燃料液滴流;护罩,所述护罩构造和布置用于保护燃料液滴流,所述源收集器设备还包括检测设备,所述检测设备被构造和布置用于在燃料液滴流沿着所述护罩通过时检测燃料液滴在燃料液滴流中的融合。

在本发明的优选实施例中,所述检测设备容纳在所述护罩中。

在本发明的优选实施例中,所述检测设备是光学检测设备或电磁检测设备。例如,所述检测设备可以包括布置在燃料流的第一侧上的多个光源和布置在燃料流的相反的第二侧上的多个对应的检测器。在另一实施例中,所述检测设备可以包括布置在燃料流周围的第一电磁传感器和第二电磁传感器。

根据本发明的另一方面,提供一种光刻设备,包括如上所述的源收集器设备,且所述光刻设备还包括:照射系统,其配置成调节辐射束;支撑结构,其构造用于支撑图案形成装置,所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束以形成图案化的辐射束;衬底台,其构造用于保持衬底;和投影系统,其配置成用于将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。

根据本发明的另一方面,提供一种从源收集器设备的燃料液滴流中去除伴生液滴的方法,所述燃料液滴流沿着第一方向延伸,所述方法包括:将气体流朝向所述燃料液滴流引导以将在第二方向上相对于燃料液滴的差异速度赋予所述伴生液滴。

根据本发明的另一方面,提供一种用于检测在源收集器设备的燃料液滴流中的伴生液滴的形成的方法,其中所述燃料液滴流由燃料液滴生成器生成,且其中所述燃料液滴流由护罩保护,所述方法包括提供用于检测在所述护罩中燃料液滴的融合出现所在的部位或位置的设备。

在对于本领域技术人员适合的情况下,本发明的一个更多个方面可以被与本文所述的一个或更多个其它的方面组合,和/或与本文所述的任何一个或更多个特征组合。

本发明的另外的特征和优点以及本发明的各实施例的结构和操作被参考附图在下文更详细地描述。注意到,本发明不限于此处描述的特定实施例。这样的实施例被在此处显示,仅用于说明性的目的。基于此处包含的教导,相关领域的技术人员将明白另外的实施例。

附图说明

现在将参考随附的示意性附图仅通过举例的方式描述本发明的实施例,其中相应的参考标记表示相应的部件,在附图中:

图1示意性地示出根据本发明的一实施例的光刻设备;

图2是光刻设备的更详细的示意图;

图3是本发明的第一实施例的示意图;

图4是本发明的第二实施例的示意图;和

图5(a)和(b)分别示出本发明的另一实施例的示意图和所检测到的信号的示例。

在结合附图的情况下,根据下文给出的详细描述,本发明的特征和优点将变得更加清晰;在所有附图中,同样的附图标记表示对应的元件。在附图中,同样的参考标号通常表示相同的、功能相似和/或结构相似的元件。元件首次出现的附图由对应的参考标号中的最左边的数字表示。

具体实施方式

本说明书公开了包括本发明的特征的一个或更多个实施例。所公开的实施例仅仅示例性地描述本发明。本发明的范围不限于所公开的实施例。本发明由所附的权利要求限定。

本说明书中所描述的实施例以及对于“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等等的提及表示所描述的实施例可以包括特定的特征、结构或特性,但是每个实施例不一定包括该特定的特征、结构或特性。另外,这种措辞不一定表示同一实施例。另外,当特定的特征、结构或特性结合实施例进行描述时,应当理解,不论是否被明确地描述,将这种特征、结构或特性与其他的实施例结合使用在本领域技术人员的知识范围内。

图1示意地示出了根据本发明一个实施例的包括源收集器设备so的光刻设备100。所述光刻设备包括:

照射系统(照射器)il,其配置成调节辐射束b(例如euv辐射);

支撑结构(例如掩模台)mt,其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模或掩模版)ma,并与配置用于精确地定位图案形成装置的第一定位装置pm相连;

衬底台(例如晶片台)wt,其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)w,并与配置用于精确地定位衬底的第二定位装置pw相连;和

投影系统(例如反射式投影系统)ps,其配置成用于将由图案形成装置ma赋予辐射束b的图案投影到衬底w的目标部分c(例如包括一根或更多根管芯)上。

照射系统可以包括各种类型的光学部件,例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合,以引导、成形、或控制辐射。

所述支撑结构mt以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置ma。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台,例如,其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。

术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。被赋予辐射束的图案可以与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应,例如集成电路。

图案形成装置可以是透射式或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(lcd)面板。掩模在光刻术中是公知的,并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置,每一个小反射镜可以独立地倾斜,以便沿不同的方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。

与照射系统类似,投影系统可以包括多种类型的光学部件,例如折射型、反射型、磁性型、电磁型和静电型光学部件、或其它类型的光学部件,或其任意组合,如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用真空之类的其他因素所适合的。可以期望将真空用于euv辐射,因为其他气体可能会吸收太多的辐射。因此借助真空壁和真空泵可以在整个束路径上提供真空环境。

如此处所示,所述设备是反射型的(例如采用反射式掩模)。

光刻设备可以是具有两个(双平台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多平台”机器中,可以并行地使用附加的台,或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时,将一个或更多个其它台用于曝光。

参照图1,所述照射器il接收从源收集器设备so发出的极紫外辐射束。用于产生euv辐射的方法包括但不必限于将材料转换为等离子体状态,该材料具有至少一种元素(例如氙、锂或锡),其中在euv范围内具有一个或更多个发射线。在一种这样的方法中,通常称为激光产生等离子体(“lpp”),所需的等离子体可以通过以激光束照射燃料来产生,燃料例如可以是具有所需线发射元素的材料的液滴、流或簇团。源收集器设备so可以是包括用于提供激发燃料的激光束的激光器(图1中未示出)的euv辐射系统的一部分。所形成的等离子体发射输出辐射,例如euv辐射,其通过使用设置在源收集器设备内的辐射收集器收集。激光器和源收集器设备可以是分立的实体(例如当使用co2激光器提供用于燃料激发的激光束时)。

在这种情况下,不会将激光器考虑成形成光刻设备的一部分,并且通过包括例如合适的引导反射镜和/或扩束器的束传递系统的帮助,将所述激光束从激光器传到源收集器设备。

所述照射器il可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器。通常,可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外,所述照射器il可以包括各种其它部件,例如琢面场反射镜装置和琢面光瞳反射镜装置(或称为多小面反射镜装置和多小面光瞳反射镜装置)。可以将所述照射器用于调节所述辐射束,以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。

所述辐射束b入射到保持在支撑结构(例如,掩模台)mt上的所述图案形成装置(例如,掩模)ma上,并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经被图案形成装置(例如,掩模)ma反射后,所述辐射束b穿过投影系统ps,所述投影系统将辐射束聚焦到所述衬底w的目标部分c上。通过第二定位装置pw和位置传感器ps2(例如,干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助,可以精确地移动所述衬底台wt,例如以便将不同的目标部分c定位于所述辐射束b的路径中。类似地,可以将所述第一定位装置pm和另一个位置传感器ps1用于相对于所述辐射束b的路径精确地定位图案形成装置(例如,掩模)ma。可以使用掩模对准标记m1、m2和衬底对准标记p1、p2来对准图案形成装置(例如,掩模)ma和衬底w。

示出的设备可以用于下列模式中的至少一种:

1.在步进模式中,在将支撑结构(例如掩模台)mt和衬底台wt保持为基本静止的同时,将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分c上(即,单一的静态曝光)。然后将所述衬底台wt沿x和/或y方向移动,使得可以对不同目标部分c曝光。

2.在扫描模式中,在对支撑结构(例如掩模台)mt和衬底台wt同步地进行扫描的同时,将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分c上(即,单一的动态曝光)。衬底台wt相对于支撑结构(例如掩模台)mt的速度和方向可以通过所述投影系统ps的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。

3.在另一模式中,将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如掩模台)mt保持为基本静止,并且在对所述衬底台wt进行移动或扫描的同时,将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分c上。在这种模式中,通常采用脉冲辐射源,并且在所述衬底台wt的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间,根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如,如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。

也可以采用上述使用模式的组合和/或变体,或完全不同的使用模式。

图2更详细地示出设备100,包括源收集器模块so、照射系统il以及投影系统ps。源收集器模块so被构造和布置成使得真空环境可以保持在源收集器模块so的包围结构220中。用于发射euv辐射的等离子体210可以通过激光产生的等离子体(lpp)源形成。euv辐射可以由气体或蒸汽(例如xe气体、锂蒸汽或sn蒸汽)产生,在所述气体或蒸汽中,非常热的等离子体210被形成以发出在电磁光谱的euv范围中的辐射。如下文将更详细地讨论的,在激光产生等离子体(lpp)源的情况下,该非常热的等离子体210通过配置激光器la以发出激光辐射束205而形成,所述激光辐射束205被聚焦到第一燃料(例如锡(sn)的液滴)从第一燃料供给装置所供给至的目标区域211上。该激光生成sn蒸汽的等离子体,该等离子体发射euv辐射,这是本领域所已知的。

源模块so还包括辐射收集器co,该辐射收集器co收集所生成的euv辐射并将euv辐射聚焦在虚源点if处。虚源点if通常被称为中间焦点,并且源收集器模块被布置成使得中间焦点if位于包围结构220内的开口221处或该开口221附近。虚源点if是用于发射辐射的等离子体210的像。

随后,辐射穿过照射系统il,该照射系统il可以包括琢面场反射镜装置22和琢面光瞳反射镜装置24,其布置成在图案形成装置ma处提供辐射束21的期望的角分布以及在图案形成装置ma处提供辐射束强度的期望的均匀性。在辐射束21在被支撑结构mt所保持的图案形成装置ma处被反射时,形成图案化的束26,并且所述图案化的束26通过投影系统ps经由反射元件28、30成像到由衬底台wt或晶片台所保持的衬底w上。

在此参照图3,其更详细地示出辐射源so的包括燃料液滴生成器4和护罩5的一部分。燃料液滴生成器4配置成生成朝向等离子体形成点7引导的燃料液滴6(例如熔融的锡的液滴)的流,该等离子体形成点7处于脉冲激光束8的焦点处,在该位置处,燃料液滴由脉冲激光束8蒸发以形成用于生成euv的等离子体。

伴随燃料液滴6,还可以生成非常小的燃料碎片,所述燃料碎片被称为伴生液滴,由燃料液滴的不完全的融合所导致。以示例方式,燃料液滴可以具有大约30微米的典型直径,而伴生液滴可以具有仅仅6微米的典型直径。存在这种伴生液滴对于euv生成具有负面效应,且尽管生成伴生液滴可以通过调整燃料液滴生成器4的工作参数而被最小化,但是对于不得不调整该液滴生成器参数的要求可能带来不便,如上所述。

在本发明的一实施例中,气体(例如氢气)的供给被提供至护罩5,所述护罩5设置有至少一个出口9,气体被沿着由箭头a所示的方向从所述至少一个出口9朝向液滴流引导。在图3的实施例中,氢气被从护罩的末端沿着与激光束的轴线大致平行的z方向供给。氢气的效应是如图3所示偏转燃料液滴流,尤其是,更小的伴生液滴将偏移比完全形成的燃料液滴更大的距离,因为氢气流将对于更低质量的伴生液滴具有更大的位移效应。于是,应当理解,虽然伴生液滴仍然与激光束相交,但是它们在等离子体形成部位将不再相交且将不干扰等离子体形成和euv生成,或者将仅仅在小得多的程度上干扰等离子体形成和euv生成。还应当理解,氢可以被提供以便沿着不同的方向流动,例如与激光束的轴线成直角的y轴方向,由此,伴生液滴的偏转使得它们根本不通过激光束。

在图3的实施例中,氢气被从设置在护罩的远离燃料液滴生成器的末端处的出口供给。然而,应当理解,该出口可以被设置在沿着该护罩的长度的任何部位处,且事实上,可以设置多于一个的出口,或者可以设置沿着护罩的长度延伸的细长的狭缝状出口。

氢气流量应当例如是确保伴生液滴相对于燃料液滴以足以确保它们不干扰euv生成的程度偏移。该距离可以根据伴生液滴是否完全偏移出激光束(即在y方向上)或沿着激光束(即在z方向上)偏移而变化,但通常200微米量级的距离可能是合适的。这可以例如通过为伴生液滴相对于燃料液滴施加在20cm距离上大约1m/s的差异速度来实现。当然,应当理解,这些数字不是限制性的,而仅仅是示意性的数字。

还应当注意,伴生液滴可以通过利用液滴照射模块或液滴检测模块来检测燃料液滴流和伴生液滴之间的偏移作为下强度信号(或通过使用附加的象限检测器)进行检测。以这种方式,可以确认,伴生液滴已经被偏转足够的距离。

在图3的实施例中,通过施加差异速度而将伴生液滴从燃料液滴流偏移,任何伴生液滴的效应被最小化。然而,提供用于检测伴生液滴的存在的设备可能也是优选的,籍此,燃料液滴生成器的工作参数可以被调整以最小化伴生液滴的形成。这种检测设备可以使用用于检测和特征化燃料液滴流的任何合适的技术,包括例如光学技术和电磁技术。这种实施例的一种示例在图4中示出。

在图4的实施例中,设备被容纳在护罩5中以监测液滴沿着护罩5的长度的融合。当燃料液滴在较早阶段融合时,燃料液滴流具有更好的稳定性并且最小化生成伴生液滴,而如果燃料液滴在后期融合,则形成伴生液滴的可能更大。因此,确定在沿着护罩的融合出现点给出了形成伴生液滴的可能性的良好指示。

在图4的实施例中,护罩5具有两个表面,这两个表面设置成相互面对且在它们之间具有燃料液滴流。该护罩5因此可以是管状护罩,该管状护罩完全围绕燃料液滴流,或可以是具有三侧面的c形护罩。沿着护罩5的一侧,设置有led激光器10的阵列,而沿着与之相反的一侧,设置有对应的检测器11的阵列。应当理解,燃料液滴流的存在和特性可以通过定时和燃料液滴流中断从led激光器发出的辐射的检测的方式来检测。“良好”的燃料液滴流将是其中燃料液滴在流中早早融合(即在靠近燃料液滴生成器的出口喷嘴的位置处融合)的燃料液滴流。“坏”的燃料液滴流将是其中燃料液滴仅在燃料液滴生成器的喷嘴出口下游远得多的位置融合的燃料液滴流。如果检测设备检测燃料液滴仅仅在喷嘴出口下游的护罩的末端附近融合,则燃料液滴生成器的工作参数可以被相应地调整。

图5(a)和(b)示出本发明的一实施例,其中电磁感应用于检测伴生液滴的存在。如图5(a)所示,其示出了穿过管状护罩5的一个截面,在本发明的该实施例中,两个电磁传感器20、21被设置成相互成90度定向(但该特定角度不是必需的,也可以选择其它角度)。在传感器20、21之间存在燃料液滴改变所检测到的电磁场,因此,传感器20、21的信号输出可以用于检测燃料液滴的存在。应当理解,传感器20、21可以被设置在沿着护罩的任意点上,或者事实上,多对传感器可以设置在沿着护罩的不同的部位处。该实施例的特殊的优点在于,除去提供关于燃料液滴融合的信息之外,传感器还可以提供关于燃料液滴和任何零碎的伴生液滴(如由图5(b)中示出的示例性检测信号所示出的)的位置的信息。从图的左手侧,四个示例性信号分别示出:具有良好融合的燃料液滴;在z方向或y方向上偏移的平行的碎片;具有在x方向上的伴生液滴的燃料液滴;以及在y方向上偏移的液滴。

应当理解,尽管在图4和图5的实施例中用于检测燃料液滴融合的设备被形成为护罩的一部分,但是这可能不是必需的,尤其是在护罩至少部分地开口的情况下(例如护罩具有c形横截面),在该情况下,液滴检测模块可以被用于检测燃料液滴融合所在的沿着护罩的位置。

应当理解,将伴生液滴远离燃料液滴流偏转和确定燃料液滴融合在燃料液滴流中何时出现是可以组合或独立采用的构思。

虽然在本文中详述了光刻设备用在制造ic(集成电路),但是应该理解到这里所述的光刻设备可以有其他的应用,例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(lcd)、薄膜磁头等。本领域技术人员应该认识到,在这种替代应用的情况中,可以将这里使用的任何术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理,例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下,可以将此处的公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外,所述衬底可以处理一次以上,例如为产生多层ic,使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。

尽管以上对在光学光刻术的情况中使用本发明的实施例已经做出了具体的参考,但应该理解的是,本发明可以用于其它应用中,例如压印光刻术,并且只要情况允许,不局限于光学光刻术。在压印光刻术中,图案形成装置中的拓扑限定了在衬底上产生的图案。可以将所述图案形成装置的拓扑印刷到提供给所述衬底的抗蚀剂层中,在其上通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来使所述抗蚀剂固化。在所述抗蚀剂固化之后,所述图案形成装置从所述抗蚀剂上移走,并在抗蚀剂中留下图案。

虽然在本文中详述了将静电夹具用在光刻设备中,但是应当理解,本文中所述的静电夹具可以具有其它的应用,例如用于掩模检验设备中、晶片检验设备中、空间图像量测设备中以及更普遍地用在用于在真空中或在环境(非真空)条件下测量或处理物体(例如晶片(或其它衬底)或掩模(或其它图案形成装置))的任何设备中,例如,用在诸如等离子体蚀刻设备或沉积设备中。

在本文中所使用的术语“辐射”和“束”包括所有类型的电磁辐射,包括紫外(uv)辐射(例如具有约365、355、248、193、157或126nm的波长)和极紫外(euv)辐射(例如具有在5-20nm的范围内的波长),以及带电粒子束,如离子束或电子束。

在允许的情况下,术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任何一种或其组合,包括折射式的、反射式的、磁性的、电磁的和静电的光学部件。

尽管以上已经描述了本发明的具体实施例,但应该认识到,本发明可以以与上述不同的方式来实现。上文的描述不是要限制本发明。

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