一种自动调整信号占空比的DDR接口电路的制作方法

文档序号:15566618发布日期:2018-09-29 03:29阅读:229来源:国知局

本发明涉及ddr(双倍速率同步动态随机存储器)技术领域,尤其涉及ddr接口电路。



背景技术:

随着ddr等接口电路工作速度的越来越高,包括时钟信号(clock),数据信号(dq),数据采样信号(dqs)的占空比带来的挑战越来越大,传统电路一般采用控制线,当肉眼发现信号占空比不够时,通过控制线手动进行一定的弥补,甚至干脆不做调整。



技术实现要素:

本发明的目的在于提供自动调整信号占空比的ddr接口电路。

实现上述目的的技术方案是:

一种自动调整信号占空比的ddr接口电路,包括时钟信号单元、数据信号单元和数据采样信号单元,

所述时钟信号单元包括dcc模块,该dcc模块将所述时钟信号单元发送出去的时钟信号clkp、clkn接收回来,检测其正向信号的占空比,产生由占空比控制的电压vdcc,电压vdcc反馈给所述时钟信号单元、数据信号单元和数据采样信号单元各自的前级控制端dcc_s。

优选的,所述dcc模块包括比较器,该比较器的同相输入端输入时钟信号clkp,反相输入端输入时钟信号clkn,输出端输出电压vdcc。

优选的,所述的前级控制端dcc_s包括:第一pmos管、第二pmos管、第一nmos管和第二nmos管,其中,

第一pmos管的源极接电源,漏极连接第二pmos管的源极,栅极接电压vdcc;

第二pmos管和第一nmos管各自的栅极相连作为输入端,各自的漏极相连作为输出端;

第二nmos管的漏极连接第一nmos管的源极,栅极接电压vdcc,源极接地。

本发明的有益效果是:本发明通过自动检测时钟信号的占空比来自动调整时钟信号、数据信号以及数据采样信号的占空比,避免了费时费力的手工调整。并且,随温度电压等环境变化为实时动态调整,保证所有信号占空比始终为最优。

附图说明

图1是本发明的ddr接口电路的电路结构图;

图2是本发明中dcc模块的电路图;

图3是本发明中前级控制端dcc_s的电路图。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明作进一步说明。

如图1所示,ddr接口包括时钟信号(clock)单元、数据信号(dq)单元、数据采样信号(dqs)单元等,此类信号又分为差分信号,如:时钟信号、数据采集信号。单端信号,如:数据信号。差分信号的正向信号电路与单端信号的电路保持一致,差分信号的反向信号电路由单端信号电路复制而来,前面加一个反向器组成。电路一致,则因为工艺电压温度等导致的占空比偏差在所有信号上表现一致。

利用这一一致性,本发明的ddr接口电路中,时钟信号单元包括dcc模块,该dcc模块将时钟信号单元发送出去的时钟信号clkp、clkn接收回来,检测其正向信号的占空比,产生由占空比控制的电压vdcc。具体地,参阅图2,dcc模块包括比较器u,该比较器u的同相输入端输入时钟信号clkp,反相输入端输入时钟信号clkn,输出端输出电压vdcc。图1中,dqsp为数据采样信号的正向信号,dqsn为数据采样信号的反向信号。

电压vdcc反馈给时钟信号单元、数据信号单元和数据采样信号单元各自的前级控制端dcc_s。具体参阅图3,前级控制端dcc_s包括:第一pmos管mp1、第二pmos管mp2、第一nmos管mn1和第二nmos管mn2。第一pmos管mp1的源极接电源,漏极连接第二pmos管mp2的源极,栅极接电压vdcc。第二pmos管mp2和第一nmos管mn1各自的栅极相连作为输入端vin,各自的漏极相连作为输出端vout。第二nmos管mn2的漏极连接第一nmos管mn1的源极,栅极接电压vdcc,源极接地。

占空比低时,电压vdcc降低,则前级控制端dcc_s中,第一pmos管mp1和第二pmos管mp2能力增强,第一nmos管mn1和第二nmos管mn2能力减弱,占空比随之变高。反之,电压vdcc升高,占空比随之变低,从而实时把偏离的信号占空比调整回来。

以上实施例仅供说明本发明之用,而非对本发明的限制,有关技术领域的技术人员,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,还可以作出各种变换或变型,因此所有等同的技术方案也应该属于本发明的范畴,应由各权利要求所限定。



技术特征:

技术总结
本发明公开了一种自动调整信号占空比的DDR接口电路,包括时钟信号单元、数据信号单元和数据采样信号单元,所述时钟信号单元包括DCC模块,该DCC模块将所述时钟信号单元发送出去的时钟信号CLKP、CLKN接收回来,检测其正向信号的占空比,产生由占空比控制的电压VDCC,电压VDCC反馈给所述时钟信号单元、数据信号单元和数据采样信号单元各自的前级控制端DCC_S,把偏离的信号占空比调整回来。

技术研发人员:孔亮;刘亚东;庄志青
受保护的技术使用者:灿芯半导体(上海)有限公司
技术研发日:2018.08.01
技术公布日:2018.09.28
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