纹波抑制器电路的制作方法

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年1月26日提交的美国临时申请No.62/287,081的权益，该申请全文以引用方式并入本文。

技术领域

本实用新型整体涉及电子电路，更具体地但非排他性地涉及纹波抑制器。

背景技术：

顾名思义，纹波抑制器是用于抑制信号的纹波的电路。在发光二极管 (LED)照明电路中，纹波抑制器用于抑制流过LED阵列的LED电流的纹波。纹波抑制器可包括线性稳压器，该线性稳压器感测来自感测电阻器的 LED电流，并且驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)以调节 LED电流并使之平滑。该纹波抑制器拓扑结构的问题在于感测电阻器增加了LED照明电路的功率损耗。另一种纹波抑制器拓扑结构包括驱动双极性结型晶体管(BJT)而非MOSFET的线性稳压器。BJT不需要感测电阻器，但因BJT在有源区中的集电极至发射极电压而具有严重的功率损耗，原因在于自动优化BJT的饱和电压相对较困难。

技术实现要素：

在一个实施方案中，纹波抑制器电路包括纹波检测器，所述纹波检测器被连接至输出电容器，所述纹波检测器被配置为生成指示纹波电流的纹波电压；纹波抑制器电路还包括自适应偏移发生器，所述自适应偏移发生器被连接至所述纹波检测器以接收纹波电压，所述自适应偏移发生器被配置为由所述纹波电压以及金属氧化物半导体MOS晶体管的第一端子上的信号生成自适应偏移电压；纹波抑制器电路还包括线性稳压器，所述线性稳压器具有连接到所述金属氧化物半导体MOS晶体管的第二端子的输出节点、连接到所述金属氧化物半导体MOS晶体管的所述第一端子的第一输入节点以及接收由所述纹波电压以及所述自适应偏移电压生成的控制参考电压的第二输入节点，所述线性稳压器被配置成根据所述控制参考电压来调节经调节的电流。

在一个实施方案中，所述经调节的电流流过发光二极管LED阵列。

在一个实施方案中，所述纹波检测器包括高通滤波器，所述高通滤波器在输出电容器处接收输出电压。

在一个实施方案中，所述纹波检测器还包括电阻器，所述电阻器具有第一端和第二端，所述电阻器的第一端连接至高通滤波器及二极管，其中在电阻器的第一端处生成所述纹波电压。

在一个实施方案中，所述线性稳压器包括第一放大器，所述第一放大器具有连接到所述金属氧化物半导体MOS晶体管的漏极的所述第一输入节点、接收所述控制参考电压的所述第二输入节点以及连接到所述金属氧化物半导体MOS晶体管的栅极的所述输出节点。

在一个实施方案中，所述纹波检测器包括最小值检测器，所述最小值检测器在所述输出电容器处检测输出电压的最小值；以及减法器，所述减法器从所述输出电压减去所述输出电压的所述最小值。

在一个实施方案中，所述自适应偏移发生器包括：第一峰值检测器，所述第一峰值检测器检测所述纹波电压的峰值；第二峰值检测器，所述第二峰值检测器检测所述金属氧化物半导体MOS晶体管的漏极至源极电压的峰值；加法器，所述加法器将所述纹波电压加到所述金属氧化物半导体 MOS晶体管的所述漏极至源极电压的所述峰值与所述纹波电压的所述峰值之间的差值，以生成参考同步电压；以及放大器，所述放大器接收所述参考同步电压和所述金属氧化物半导体MOS晶体管的所述漏极至源极电压，以生成所述自适应偏移电压。

在一个实施方案中，所述自适应偏移发生器包括第一低通滤波器，所述第一低通滤波器过滤所述纹波电压以生成所述纹波电压的平均值；第二低通滤波器，所述第二低通滤波器过滤所述金属氧化物半导体MOS晶体管的漏极至源极电压以生成所述金属氧化物半导体MOS晶体管的所述漏极至源极电压的平均值；减法器，所述减法器生成所述纹波电压的所述平均值与所述金属氧化物半导体MOS晶体管的所述漏极至源极电压的所述平均值之间的差值；加法器，所述加法器将所述纹波电压加到所述纹波电压的所述平均值与所述金属氧化物半导体MOS晶体管的所述漏极至源极电压的所述平均值之间的差值，以生成参考同步电压；以及放大器，所述放大器从所述金属氧化物半导体MOS晶体管的所述漏极至源极电压减去所述参考同步电压，以生成所述自适应偏移电压。

在一个实施方案中，所述自适应偏移发生器基于所述纹波电压与所述金属氧化物半导体MOS晶体管的漏极至源极电压之间的差值来生成所述自适应偏移电压。

在一个实施方案中，所述自适应偏移发生器基于所述金属氧化物半导体MOS晶体管的漏极至源极电压的峰值与所述纹波电压的峰值之间的差值来生成所述自适应偏移电压。

在一个实施方案中，LED照明电路包括纹波抑制器。纹波抑制器包括纹波检测器、自适应偏移发生器和线性稳压器。纹波检测器生成指示纹波电流的纹波电压。自适应偏移发生器由纹波电压以及晶体管节点上的电压生成自适应偏移。线性稳压器驱动晶体管，以根据由纹波电压和自适应偏移生成的参考控制电压来调节LED电流。

本实用新型解决的一个技术问题是防止由于自动优化晶体管的饱和电压的困难而导致严重的功率损耗。

根据本实用新型的一个方面，提供一种发光二极管(LED)照明电路，包括：晶体管，所述晶体管被连接以接收流过LED阵列的LED电流；纹波检测器，所述纹波检测器生成指示纹波电流的纹波电压；自适应偏移发生器，所述自适应偏移发生器由所述纹波电压以及所述晶体管的节点上的电压生成自适应偏移电压；以及线性稳压器，所述线性稳压器驱动所述晶体管以根据控制参考电压来调节所述LED电流，所述控制参考电压由所述纹波电压和所述自适应偏移电压生成。

根据一个实施例，所述晶体管是金属氧化物半导体(MOS)晶体管，所述线性稳压器包括第一放大器，所述第一放大器具有连接到所述晶体管的漏极的第一节点、接收所述控制参考电压的第二节点以及连接到所述晶体管的栅极的输出节点。

根据一个实施例，所述晶体管是金属氧化物半导体(MOS)晶体管，所述自适应偏移发生器基于所述纹波电压与所述晶体管的漏极至源极电压之间的差值来生成所述自适应偏移电压。

根据一个实施例，所述晶体管是金属氧化物半导体(MOS)晶体管，所述自适应偏移发生器基于所述晶体管的漏极至源极电压的峰值与所述纹波电压的峰值之间的差值来生成所述自适应偏移电压。

根据一个实施例，所述LED照明电路还包括：加法器，所述加法器通过将所述自适应偏移电压加到所述纹波电压来生成所述控制参考电压。

根据一个实施例，所述纹波检测器包括高通滤波器。

根据一个实施例，所述纹波检测器包括：最小值检测器，所述最小值检测器在与所述LED阵列相连的输出电容器处检测输出电压的最小值；以及减法器，所述减法器从所述输出电压减去所述输出电压的所述最小值。

根据一个实施例，所述LED照明电路还包括：生成源电流的功率因数校正电路，所述源电流流到与所述LED阵列相连的输出电容器。

根据一个实施例，所述晶体管是金属氧化物半导体(MOS)晶体管，并且其中所述自适应偏移发生器包括：第一峰值检测器，所述第一峰值检测器检测所述纹波电压的峰值；第二峰值检测器，所述第二峰值检测器检测所述晶体管的漏极至源极电压的峰值；加法器，所述加法器将所述纹波电压加到所述晶体管的所述漏极至源极电压的所述峰值与所述纹波电压的所述峰值之间的差值，以生成参考同步电压；以及放大器，所述放大器接收所述参考同步电压和所述晶体管的所述漏极至源极电压，以生成所述自适应偏移电压。

根据一个实施例，所述晶体管是金属氧化物半导体(MOS)晶体管，并且其中所述自适应偏移发生器包括：第一低通滤波器，所述第一低通滤波器过滤所述纹波电压以生成所述纹波电压的平均值；第二低通滤波器，所述第二低通滤波器过滤所述晶体管的漏极至源极电压以生成所述晶体管的所述漏极至源极电压的平均值；减法器，所述减法器生成所述纹波电压的所述平均值与所述晶体管的所述漏极至源极电压的所述平均值之间的差值；加法器，所述加法器将所述纹波电压加到所述纹波电压的所述平均值与所述晶体管的所述漏极至源极电压的所述平均值之间的差值，以生成参考同步电压；以及放大器，所述放大器从所述晶体管的所述漏极至源极电压减去所述参考同步电压，以生成所述自适应偏移电压。

本实用新型实现的一个技术效果是自动地使来自晶体管的饱和工作的功率耗散最小化。

本实用新型的这些及其他特征对于本领域的普通技术人员来说在阅读本公开的包括附图和权利要求书的整个内容后将是显而易见的。

附图说明

图1示出了根据本实用新型实施方案的LED照明电路的示意图。

图2示出了根据本实用新型实施方案的纹波检测器的示意图。

图3示出了根据本实用新型实施方案的模拟纹波检测器的示意图。

图4示出了根据本实用新型实施方案的与纹波检测器工作相关的信号的波形。

图5示出了根据本实用新型实施方案的与线性稳压器工作相关的信号的波形。

图6示出了具有零偏移晶体管的漏极至源极电压和根据本实用新型实施方案的自适应偏移发生器生成的参考同步电压的的波形。

图7示出了根据本实用新型实施方案的自适应偏移发生器的示意图。

图8示出了图7中根据本实用新型实施方案的自适应偏移发生器的信号的波形。

图9示出了根据本实用新型实施方案的模拟自适应偏移发生器的示意图。

图10示出了图1中根据本实用新型实施方案的的LED照明电路的信号的波形。

在不同附图中使用相同的参考标记表示相同或类似的部件。

具体实施方式

在本公开中，提供了诸如电路、部件和方法的示例之类的很多具体细节，以提供对本实用新型的实施方案的透彻理解。然而，本领域的普通技术人员将认识到，本实用新型可在没有这些具体细节中的一个或多个的情况下实施。在其他情况下，未示出或描述熟知的细节以免使本实用新型的方面模糊不清。

图1示出了根据本实用新型实施方案的LED照明电路100的示意图。在图1的例子中，LED照明电路100包括恒流源转换器101和纹波抑制器电路，该纹波抑制器电路包括纹波检测器130、自适应偏移发生器140和线性稳压器120。在图1的例子中，线性稳压器120包括驱动晶体管M1的放大器103。在图1的例子中，晶体管M1是MOSFET。在其他实施方案中，晶体管M1是双极性结型晶体管。如从下文中将更加显而易见的是，纹波抑制器电路抑制纹波电流而不必需要感测电阻器，并自动地使来自晶体管 M1的饱和工作的功率耗散最小化。

在图1的例子中，恒流源转换器101可包括功率因数校正电路(PFC)。例如，恒流源转换器101可为单级PFC整流器，其基于具有生成源电流IS的恒流源的反激转换器。恒流源转换器101的输出电压VOUT施加于输出电容器CO的两端。源电流IS作为LED电流I-LED流过LED阵列102。LED 阵列102可包括多个串联的LED。源电流IS具有纹波，其可劣化LED阵列 102的发射(例如，造成闪烁)。输出电容器CO降低从输出电容器CO流出并经过LED阵列102的纹波电流的幅度。输出电容器CO越大，纹波电流越低。本实用新型的实施方案允许即便使用相对较小的输出电容器CO，也能抑制或消除纹波电流而不必采用感测电阻器。

线性稳压器120被配置成按照由放大器103的负输入处的参考控制电压VREF，CON决定的电平来调节LED电流ILED。更具体地讲，放大器103驱动晶体管M1的栅极，以使得晶体管M1的漏极至源极电压VREG，DS与参考控制电压VREF，CON相同，从而控制晶体管M1的导通以调节LED电流ILED并使之平滑。

纹波检测器130为用于检测纹波电流的电路。在图1的例子中，纹波检测器130具有输入节点131和输出节点132，该输入节点连接到输出电容器CO的正节点以检测输出电压VOUT，并且该输出节点连接到加法器121 的输入。纹波检测器130检测来自输出电压VOUT的纹波电压并输出纹波电压V纹波，该纹波电压是没有DC偏移的输出电压VOUT的纹波。纹波电压V纹波因此表示纹波电流。

图2示出了根据本实用新型实施方案的纹波检测器130的示意图。纹波检测器130可被实现为模拟电路、数字电路、或模拟电路与数字电路的组合。在图2的例子中，纹波检测器130包括最小值检测器134和减法器 135。最小值检测器134检测输入节点131处的输出电压VOUT的最小值。减法器135从输出电压VOUT减去输出电压VOUT的最小值而在输出节点 132处生成纹波电压V纹波，该纹波电压具有与输出电压VOUT的纹波相同的幅度但处于零偏移电平。

图3示出了根据本实用新型实施方案的纹波检测器130-1的示意图。纹波检测器130-1是纹波检测器130的示例性模拟实现。在图3的例子中，纹波检测器130-1包括高通滤波器133，该高通滤波器包括电容器C1、电阻器R1和二极管D1。电容器C1的一端连接到输入节点131(另参见图 1，131)，并且电容器C1的相对端连接到输出节点132(另参见图1， 132)。电阻器R1和二极管D1中的每一者具有连接到输出节点132的一端以及接地的相对端。高通滤波器133在输入节点131处滤除输出电压 VOUT的DC分量，在输出节点132处留下AC分量，即纹波电压V纹波。

图4示出了根据本实用新型实施方案的以下的波形：由恒流源转换器 101生成的源电流IS(曲线201)、纹波检测器130的输入节点131处的输出电压VOUT(曲线202)以及纹波检测器130的输出节点132处的纹波电压V纹波(曲线203)。如图4中所示，源电流IS的纹波在因输出电容器CO而发生180度相移的输出电压VOUT上有所反映。继而输出电压VOUT的纹波在纹波电压V纹波上有所反映。注意，纹波电压V纹波可具有DC偏移 (参见204)。

图5示出了根据本实用新型实施方案的、与图1的线性稳压器120的工作相关的信号的波形。图5示出了以下的波形：流过LED阵列102的LED电流ILED(曲线223)、输出电压VOUT(曲线224)、晶体管M1的漏极至源极电压VREG，DS(曲线225)、纹波电压V纹波(曲线226)以及 LED阵列102两端的电压VLED(曲线227)。为了进行比较，图5还示出了在没有纹波抑制器电路的情况下(即，未补偿)LED电流ILED的波形 (曲线221)。

如可从图5中注意到，纹波电流产生输出电压VOUT上的纹波(曲线 224)。在没有纹波抑制器电路的情况下，LED电流ILED将具有不可接受的纹波(曲线221)，这将不利地影响LED阵列102的性能(例如，造成闪烁)。纹波抑制器电路抑制LED电流ILED和LED阵列102两端的电压 VLED-上的纹波。如可进一步从图5中注意到，在所有状态下，纹波电压V 纹波(曲线226)在相位和幅度方面与晶体管M1的漏极至源极电压VREG，DS (曲线225)相同。在图5的例子中，漏极至源极电压VREG，DS(曲线225) 与纹波电压V纹波(226)之间的差值是由于自适应偏移发生器140所生成的自适应偏移电压V偏移引起的。值得注意的是，在图5的例子中，未考虑晶体管M1的栅极至源极阈值电压，因为栅极至源极阈值电压一般会根据 MOSFET的类型而变化。

图6示出了根据本实用新型实施方案的以下的波形：具有零偏移的晶体管M1的漏极至源极电压VREG，DS(曲线241)以及由自适应偏移发生器 140生成的参考同步电压VR，SYNC(曲线242；(另参见图1，加法器144的输出)。在图6的例子中，漏极至源极电压VREG，DS的削波底部峰值(曲线 241)是由于晶体管M1在饱和区域之外工作引起的。在一个实施方案中，自适应偏移发生器140由纹波电压V纹波生成参考同步电压VR，SYNC，并且控制参考同步电压VR，SYNC的幅度，使之等于漏极至源极电压VREG，DS的幅度。漏极至源极电压VREG，DS与参考同步电压VR，SYNC之间的区域243指示要加到漏极至源极电压VREG，DS的最小偏移量以升高其最小值，使得晶体管M1在饱和区域中工作，从而移除区域243并抑制纹波电流。在一个实施方案中，自适应偏移发生器140生成自适应偏移电压V偏移形式的自适应偏移信号，以增加漏极至源极电压VREG，DS并允许晶体管M1在饱和区域中工作。

在图1的例子中，自适应偏移发生器140包括偏移计算器143和加法器144。在一个实施方案中，偏移计算器143确定要由加法器144加到纹波电压V纹波的偏移量，以使得晶体管M1在饱和区域中工作。

更具体地讲，当将更大偏移加到纹波电压V纹波时，漏极至源极电压 VREG，DS增加。由于饱和电压更大，该增加的漏极至源极电压VREG，DS增大了功率耗散。另一方面，加到纹波电压V纹波的偏移电压越小，漏极至源极电压VREG，DS就越小且功率耗散也越低。相对较小的漏极至源极电压VREG，DS允许晶体管M1完全接通，这使漏极至源极电压VREG，DS等于源电流乘以晶体管M1的漏极至源极导通电阻(即，Is*RDS(ON))。在图1的例子中，这增加了自适应偏移电压V偏移，从而允许晶体管M1在饱和区域中工作。

当自适应偏移电压V偏移变得太大时，漏极至源极电压VREGDS会增加，放大器141的输入处的参考同步电压VR，SYNC也增加。因此，在这种情况下，逐渐降低由放大器141输出的自适应偏移电压V偏移以自适应地补偿。有利地，通过使晶体管M1在饱和区域中工作来获得抑制的纹波，并且自适应地控制晶体管M1在饱和区域中的工作以使功率耗散最小化。

仍然参见图1，放大器141接收负输入端子处的所得参考同步电压 VR，SYNC并接收正输入端子处的漏极至源极电压VREG，DS，以生成自适应偏移电压V偏移。加法器121将自适应偏移电压V偏移加到纹波电压V纹波，以在放大器103的负输入端子处生成参考控制电压VREF，CON。参考控制电压 VREF，CON充当放大器103在驱动晶体管M1时的参考以调节LED电流，实现纹波抑制和功率耗散最小化。有利地，本实用新型的实施方案不需要感测电阻器来执行纹波抑制。

图7示出了根据本实用新型实施方案的自适应偏移发生器140-1的示意图。自适应偏移发生器140-1是自适应偏移发生器140的示例性实现。自适应偏移发生器140-1可被实现为模拟电路、数字电路、或模拟电路与数字电路的组合。在图7的例子中，峰值检测器301检测纹波电压V纹波的峰值，并且峰值检测器302检测漏极至源极电压VREG，DS的峰值。减法器303 从漏极至源极电压VREG，DS的峰值减去纹波电压V纹波的峰值以生成偏移电压 VOFF，并由加法器304将该偏移电压加到纹波电压V纹波以生成参考同步电压VR，SYNC。放大器141(另参见图1，141)接收负输入端子处的参考同步电压VR，SYNC并接收正输入端子处的漏极至源极电压VREG，DS，以生成自适应偏移电压V偏移。

图8示出了根据本实用新型实施方案的自适应偏移发生器140-1的信号的波形。图8示出了漏极至源极电压VREG，DS(曲线361)、纹波电压V纹波(曲线363)(其中通过纹波检测器130消除了偏移电压并将其最小点同步到零电平)以及具有由偏移电压VOFF与纹波电压V纹波之和合成的偏移的参考同步电压VR，SYNC(曲线364)。注意，出于举例说明目的，漏极至源极电压VREG，DS(曲线361)和参考同步电压VR，SYNC(曲线364)在图8的例子中是重叠的。还需注意，漏极至源极电压VREG，DS的电压增量(即，峰到峰幅度)(参见366)和纹波电压V纹波的电压增量(参见367)是相同的。将自适应偏移电压(参见368)加到纹波电压V纹波会增加漏极至源极电压VREG，DS，从而允许晶体管M1在饱和区域中工作，使纹波电流得以抑制。自适应地调节偏移电压以限制漏极至源极电压VREG，DS的增加，从而使功率耗散最小化。

图9示出了根据本实用新型实施方案的自适应偏移发生器140-2的示意图。自适应偏移发生器140-2是自适应偏移发生器140的示例性模拟实现。在图9的例子中，包括电阻器R2和电容器C2的低通滤波器过滤纹波电压V纹波以检测纹波电压V纹波的平均值，并且另一个包括电阻器R3和电容器C3的低通滤波器过滤漏极至源极电压VREG，DS以检测漏极至源极电压 VREG，DS的平均值。包括放大器323的减法器从漏极至源极电压VREG，DS的平均值减去纹波电压V纹波的平均值以生成偏移电压VOFF，并由加法器321将该偏移电压加到纹波电压V纹波以在放大器325的输出处生成参考同步电压 VR，SYNC。放大器141(另参见图1，141)接收负输入端子处的参考同步电压VR，SYNC并接收正输入端子处的漏极至源极电压VREG，DS，以生成自适应偏移电压V偏移。

图10示出了根据本实用新型实施方案的图1的LED照明电路100的信号的波形。图10示出了流过LED阵列102的LED电流ILED(曲线 402)、输出电压VOUT(曲线403)、晶体管M1的漏极至源极导通电阻 (RDS(ON))(曲线404)、晶体管M1的漏极至源极电压VREG，DS(曲线 405)、参考控制电压VREF，CON(曲线406)以及自适应偏移电压V偏移(曲线407)。为了进行比较，图10还示出了未补偿(即，没有纹波抑制)的 LED电流ILED(曲线401)。如图10中所示，自适应偏移电压V偏移(曲线 407)允许生成参考控制电压VREF，CON(曲线406)，使得晶体管M1在饱和区域中工作，从而抑制纹波电流，同时使功率耗散最小化。值得注意的是，一般来讲，RDS(ON)会由于热效应而逐渐增大；RDS(ON)在图10的例子中被示出为迅速改变，以便于说明其相对于其他信号的行为。

除了所附权利要求之外，本实用新型的实施方案还包括至少以下技术方案：

根据本实用新型的一个方面，提供一种纹波抑制器电路，包括：连接到输出电容器的纹波检测器，所述纹波检测器被配置成生成指示纹波电流的纹波电压；连接到所述纹波检测器以接收所述纹波电压的自适应偏移发生器，所述自适应偏移发生器被配置成由所述纹波电压以及金属氧化物半导体(MOS)晶体管的第一端子上的信号生成自适应偏移电压；以及线性稳压器，所述线性稳压器具有连接到所述MOS晶体管的第二端子的输出节点、连接到所述MOS晶体管的所述第一端子的第一输入节点以及接收由所述纹波电压以及所述自适应偏移电压生成的控制参考电压的第二输入节点，所述线性稳压器被配置成根据所述控制参考电压来调节经调节的电流。

根据一个实施例，所述经调节的电流流过发光二极管(LED)阵列。

根据一个实施例，所述线性稳压器包括第一放大器，所述第一放大器具有连接到所述MOS晶体管的漏极的所述第一输入节点、接收所述控制参考电压的所述第二输入节点以及连接到所述MOS晶体管的栅极的所述输出节点。

根据一个实施例，所述纹波检测器包括：最小值检测器，所述最小值检测器在所述输出电容器处检测输出电压的最小值；以及减法器，所述减法器从所述输出电压减去所述输出电压的所述最小值。

根据一个实施例，所述自适应偏移发生器包括：第一峰值检测器，所述第一峰值检测器检测所述纹波电压的峰值；第二峰值检测器，所述第二峰值检测器检测所述MOS晶体管的漏极至源极电压的峰值；加法器，所述加法器将所述纹波电压加到所述MOS晶体管的所述漏极至源极电压的所述峰值与所述纹波电压的所述峰值之间的差值，以生成参考同步电压；以及放大器，所述放大器接收所述参考同步电压和所述MOS晶体管的所述漏极至源极电压，以生成所述自适应偏移电压。

根据一个实施例，所述自适应偏移发生器包括：第一低通滤波器，所述第一低通滤波器过滤所述纹波电压以生成所述纹波电压的平均值；第二低通滤波器，所述第二低通滤波器过滤所述MOS晶体管的漏极至源极电压，以生成所述MOS晶体管的所述漏极至源极电压的平均值；减法器，所述减法器生成所述纹波电压的所述平均值与所述MOS晶体管的所述漏极至源极电压的所述平均值之间的差值；加法器，所述加法器将所述纹波电压加到所述纹波电压的所述平均值与所述MOS晶体管的所述漏极至源极电压的所述平均值之间的差值，以生成参考同步电压；以及放大器，所述放大器从所述MOS晶体管的所述漏极至源极电压减去所述参考同步电压，以生成所述自适应偏移电压。

根据本实用新型的一个方面，提供一种抑制发光二极管(LED)照明电路中的纹波的方法，所述方法包括：检测纹波电流；基于晶体管的节点上的电压并基于所述纹波电流来生成自适应偏移；基于所述自适应偏移并基于所述纹波电流来生成参考控制信号；以及根据所述参考控制信号来驱动所述晶体管，以控制流过LED阵列的LED电流。

根据一个实施例，所述晶体管是金属氧化物半导体(MOS)晶体管，并且其中根据所述参考控制信号来驱动所述晶体管以控制所述LED电流包括：在放大器的第一输入处接收所述晶体管的漏极至源极电压；在所述放大器的第二输入处接收所述参考控制信号的电压；以及利用所述放大器的输出来驱动所述晶体管的栅极。

根据一个实施例，所述晶体管是金属氧化物半导体(MOS)晶体管，并且其中生成所述自适应偏移包括：检测所述晶体管的漏极至源极电压与指示所述纹波电流的纹波电压之间的差值。

根据一个实施例，所述方法还包括生成源电流以提供所述LED电流。

虽然已经提供了本实用新型的具体实施方案，但是应当理解，这些实施方案只是出于举例说明的目的而非进行限制。许多另外的实施方案对于本领域的普通技术人员来说在阅读本公开内容后将是显而易见的。