自动提款机用键盘自动照明电路的制作方法

本实用新型涉及一种自动提款机用键盘自动照明电路。

背景技术：

目前，自动提款机根据银行需求都要求安装键盘照明系统，大多数设计从成本角度考虑都选择了直接点亮高亮LED灯，不分时间照明，这样设计电路简单，成本低，但是会增加用电成本，显著缩短高亮LED灯寿命，一般来说，灯板上的高亮LED灯需要半年一换。

技术实现要素：

本实用新型为了解决上述问题，提供了一种自动提款机用键盘自动照明电路。该电路能够根据自动提款机环境光线强度自动调接照明光线，从而达到节省用电成本，显著提高高亮LED灯使用寿命，能够提升高亮LED灯使用寿命4倍以上，高亮LED灯使用寿命周期由半年提升为两年以上。

1. 为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：其包括电阻R1（1）、电阻R2（2）、二极管D1（3）、继电器 RL1（4）、高亮发光二极管LED1（5）、高亮发光二极管LED2（6）、高亮发光二极管LED5（7）、高亮发光二极管LED6（8）、高亮发光二极管LED7（9）、光敏二极管PD1（10）、N沟道MOSFET管Q2（11）、N沟道MOSFET管Q1（12）、电阻R3（13）、高亮发光二极管LED3（14）、高亮发光二极管LED4（15）、高亮发光二极管LED8（16）；所述电阻R1（1）上端接+12伏直流电源，电阻R1（1）下端接光敏二极管PD1（10）K极与N沟道MOSFET管Q2（11）控制栅极；所述电阻R2（2）上端接+12伏直流电源，电阻R2（2）下端接N沟道MOSFET管Q2（11）漏极与N沟道MOSFET管Q1（12）控制栅极；所述二极管D1（3）负极接+12伏直流电源，二极管D1（3）正极接继电器 RL1（4）初级输出端与N沟道MOSFET管Q1（12）漏极；所述N沟道MOSFET管Q1（12）源极接电阻R3（13）上端；所述继电器 RL1（4）次级上端接+12伏直流电源，继电器 RL1（4）次级下端接高亮发光二极管LED1（5）正极与高亮发光二极管LED5（7）正极；所述高亮发光二极管LED2（6）负极接高亮发光二极管LED1（5）负极，高亮发光二极管LED2（6）正极接高亮发光二极管LED3（14）正极；所述高亮发光二极管LED6（8）正极接高亮发光二极管LED5（7）负极，高亮发光二极管LED6（8）负极接高亮发光二极管LED7（9）正极；所述高亮发光二极管LED4（15）正极接高亮发光二极管LED3（14）负极，高亮发光二极管LED4（15）负极接地；所述高亮发光二极管LED8（16）正极接高亮发光二极管LED7（9）负极，高亮发光二极管LED8（16）负极接地；所述光敏二极管PD1（10）A极接地；所述N沟道MOSFET管Q2（11）源极接地；所述电阻R3（13）下端接地。因此依靠光敏二极管PD1（10）随光照强度不同内阻自动改变的特性，电路可以根据自动提款机键盘周边光线强度自动调整键盘照明程度，以达到键盘照明及高亮LED灯延寿的目的。

进一步地，所述电阻R1（1）上端接+12伏直流电源，电阻R1（1）下端接光敏二极管PD1（10）K极与N沟道MOSFET管Q2（11）控制栅极；所述电阻R2（2）上端接+12伏直流电源，电阻R2（2）下端接N沟道MOSFET管Q2（11）漏极与N沟道MOSFET管Q1（12）控制栅极；所述二极管D1（3）负极接+12伏直流电源，二极管D1（3）正极接继电器 RL1（4）初级输出端与N沟道MOSFET管Q1（12）漏极；所述N沟道MOSFET管Q1（12）源极接电阻R3（13）上端；所述继电器 RL1（4）次级上端接+12伏直流电源，继电器 RL1（4）次级下端接高亮发光二极管LED1（5）正极与高亮发光二极管LED5（7）正极；所述高亮发光二极管LED2（6）负极接高亮发光二极管LED1（5）负极，高亮发光二极管LED2（6）正极接高亮发光二极管LED3（14）正极；所述高亮发光二极管LED6（8）正极接高亮发光二极管LED5（7）负极，高亮发光二极管LED6（8）负极接高亮发光二极管LED7（9）正极；所述高亮发光二极管LED4（15）正极接高亮发光二极管LED3（14）负极，高亮发光二极管LED4（15）负极接地；所述高亮发光二极管LED8（16）正极接高亮发光二极管LED7（9）负极，高亮发光二极管LED8（16）负极接地；所述光敏二极管PD1（10）A极接地；所述N沟道MOSFET管Q2（11）源极接地；所述电阻R3（13）下端接地。

所述N沟道MOSFET管Q1（12）与N沟道MOSFET管Q2（11）的型号为IRF5852TR。

所述二极管D1（3）二极管D1（3）的型号为1N4001。

所述光敏二极管PD1（10）的型号为PD483。

所述继电器 RL1（4）的型号为RLY-SPNO。

所述、高亮发光二极管LED1（5）、高亮发光二极管LED2（6）、高亮发光二极管LED3（14）、高亮发光二极管LED4（15）、高亮发光二极管LED5（7）、高亮发光二极管LED6（8）、高亮发光二极管LED7（9）、高亮发光二极管LED8（16）的型号为ZX-35288W42-1。

本实用新型具有以下有益效果：本实用新型依靠光敏二极管PD1（10）随光照强度不同内阻自动改变的特性，电路可以根据自动提款机键盘周边光线强度自动调整键盘照明程度，以达到键盘照明及高亮LED灯延寿的目的。使用此发明可以显著提高高亮LED灯使用寿命，能够提升高亮LED灯使用寿命4倍以上，高亮LED灯使用寿命周期由半年提升为两年以上。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

如图1所示，自动提款机用键盘自动照明电路包括电阻R1（1）、电阻R2（2）、二极管D1（3）、继电器 RL1（4）、高亮发光二极管LED1（5）、高亮发光二极管LED2（6）、高亮发光二极管LED5（7）、高亮发光二极管LED6（8）、高亮发光二极管LED7（9）、光敏二极管PD1（10）、N沟道MOSFET管Q2（11）、N沟道MOSFET管Q1（12）、电阻R3（13）、高亮发光二极管LED3（14）、高亮发光二极管LED4（15）、高亮发光二极管LED8（16）；所述电阻R1（1）上端接+12伏直流电源，电阻R1（1）下端接光敏二极管PD1（10）K极与N沟道MOSFET管Q2（11）控制栅极；所述电阻R2（2）上端接+12伏直流电源，电阻R2（2）下端接N沟道MOSFET管Q2（11）漏极与N沟道MOSFET管Q1（12）控制栅极；所述二极管D1（3）负极接+12伏直流电源，二极管D1（3）正极接继电器 RL1（4）初级输出端与N沟道MOSFET管Q1（12）漏极；所述N沟道MOSFET管Q1（12）源极接电阻R3（13）上端；所述继电器 RL1（4）次级上端接+12伏直流电源，继电器 RL1（4）次级下端接高亮发光二极管LED1（5）正极与高亮发光二极管LED5（7）正极；所述高亮发光二极管LED2（6）负极接高亮发光二极管LED1（5）负极，高亮发光二极管LED2（6）正极接高亮发光二极管LED3（14）正极；所述高亮发光二极管LED6（8）正极接高亮发光二极管LED5（7）负极，高亮发光二极管LED6（8）负极接高亮发光二极管LED7（9）正极；所述高亮发光二极管LED4（15）正极接高亮发光二极管LED3（14）负极，高亮发光二极管LED4（15）负极接地；所述高亮发光二极管LED8（16）正极接高亮发光二极管LED7（9）负极，高亮发光二极管LED8（16）负极接地；所述光敏二极管PD1（10）A极接地；所述N沟道MOSFET管Q2（11）源极接地；所述电阻R3（13）下端接地。因此电路可以根据自动提款机光线强度自动调整键盘照明强度。所述N沟道MOSFET管Q1（12）与N沟道MOSFET管Q2（11）的型号为IRF5852TR。所述二极管D1（3）二极管D1（3）的型号为1N4001。

所述光敏二极管PD1（10）的型号为PD483。所述继电器 RL1（4）的型号为RLY-SPNO。所述高亮发光二极管LED1（5）、高亮发光二极管LED2（6）、高亮发光二极管LED3（14）、高亮发光二极管LED4（15）、高亮发光二极管LED5（7）、高亮发光二极管LED6（8）、高亮发光二极管LED7（9）、高亮发光二极管LED8（16）的型号为ZX-35288W42-1。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。