一种稳压压控振荡器电路的制作方法

本实用新型涉及振荡器领域，特别是一种稳压压控振荡器电路。

背景技术：

压控振荡器是一种以由施加的输入电压的电平控制的频率输出振荡信号的装置，因此，理想的是，到VCO的固定DC输入电压应产生固定输出频率信号，但是所述输入电压还可变化以使VCO输出频率变化。因此，关于VCO输出频率，可施加调制输入信号以使压控振荡器以调制频率(或相位)输出信号，而传统压控振荡器通常调谐线性度较差，体积大、重量大，工作功耗大，且可靠性差，性能不稳定，极易出现故障。

技术实现要素：

本实用新型的发明目的在于：针对现有技术存在的问题，提供一种性能稳定，工艺可靠，可维修性强的稳压低功耗高线性度压控振荡器

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为：

一种稳压压控振荡器电路，包括依次连接的第一放大器、第二放大器、LC 震荡电路，第一固定衰减器、第三放大器、第二固定衰减器、功分器；所述功分器的两个输出端分别连接第一输出支路和第二输出支路，所述第一输出支路包括依次连接的第四放大器、第一可调衰减器及隔离器；所述第二输出支路包括依次连接的第五放大器及第二可调衰减器；

所述LC震荡电路包括串接的第一可变电容、第二可变电容；所述第一可变电容和第二可变电容的公共端与第二放大器连接，所述串接的第一可变电容、第二可变电容与一电感并接，所述电感还同时与串接的第一固定电容、第二固定电容并接；所述电感的第一端同时与第一三极管、第三三极管的集电极连接；所述电感的第二端同时与第二三极管、第四三极管的集电极连接；所述第一三极管的集电极还同时通过第三固定电容与第二三极管的基极连接，第二三极管的集电极通过第四固定电容与第一三极管的基极连接；第一三极管的基极通过串接的第一电阻、第二电阻与第二三极管的基极连接；第三三极管的集电极通过第五固定电容与第四三极管的基极连接；第四三极管的集电极通过第六固定电容与第三三极管的基极连接；第三三极管的基极与第四三极管的基极通过串接的第三电阻、第四电阻连接；第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管的射极与一电流源连接。

进一步的，所述第一放大器为OPA454。

进一步的，所述第二放大器为OP27GS。

进一步的，所述第三放大器及第四放大器为HMC451。

进一步的，所述第一固定衰减器、第二固定衰减器为PAT1220C-3dB-T。该衰减器为温补衰减器。使用温补衰减器，主要目的是提高输出功率平坦度，受器件工作温度影响。

进一步的，所述功分器为SBTC-2-10。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是：本实用新型的稳压低功耗高线性度压控振荡器，通过电流复用的方式，极大的降低了压控振荡器的功耗和噪声，同时有效解决传统压控振荡器的器件电路结构陈旧，导致的调谐线性度较差，体积大、重量大，工作功耗大，且可靠性差，性能不稳定，极易出现故障的问题。

附图说明

图1是本实用新型提供的稳压压控振荡器电路框图。

图2为实施例中LC震荡电路电路图。

附图标记：1-第一放大器，2-第二放大器，3-VCO芯片，4-第一固定衰减器， 5-第三放大器，6-第二固定衰减器，7-功分器，8-第四放大器，9-第五放大器， 10-第一可调衰减器，11-第二可调衰减器，12-隔离器。

具体实施方式

下面结合附图，对本实用新型作详细的说明。

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

实施例1：如图1至图2所示，本实施例提供一种X波段压控振荡器电路，包括依次连接的第一放大器1、第二放大器2、LC震荡电路3，第一固定衰减器 4、第三放大器5、第二固定衰减器6、功分器7；所述功分器7的两个输出端分别连接第一输出支路和第二输出支路，所述第一输出支路包括依次连接的第四放大器8、第一可调衰减器10及隔离器12；所述第二输出支路包括依次连接的第五放大器9及第二可调衰减器11。

所述LC震荡电路包括串接的第一可变电容C1、第二可变电容C2；所述第一可变电容C1和第二可变电容C2的公共端与第二放大器2连接，所述串接的第一可变电容C1、第二可变电容C1与一电感L1并接，所述电感L1还同时与串接的第一固定电容C3、第二固定电容C4并接；所述电感L1的第一端同时与第一三极管Q1、第三三极管Q3的集电极连接；所述电感L1的第二端同时与第二三极管Q2、第四三极管Q4的集电极连接；所述第一三极管Q1的集电极还同时通过第三固定电容C5与第二三极管Q2的基极连接，第二三极管Q2的集电极通过第四固定电容C6与第一三极管Q1的基极连接；第一三极管Q1的基极通过串接的第一电阻R1、第二电阻R2与第二三极管Q2的基极连接；第三三极管Q3的集电极通过第五固定电容C7与第四三极管Q4的基极连接；第四三极管Q4的集电极通过第六固定电容C8与第三三极管Q3的基极连接；第三三极管Q3的基极与第四三极管Q4的基极通过串接的第三电阻R3、第四电阻R4连接；第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4的射极与一电流源连接，具体的可以是通过一MOS管或三极管与电流源连接。

本实施例中，第一放大器21为OPA454，第二放大器22为OP27GS，第三放大器25及第四放大器28为HMC451，VCO芯片为HM512，具体HMC512LC4B，第一固定衰减器24、第二固定衰减器26为PAT1220C-3dB-T。该衰减器为温补衰减器。使用温补衰减器，主要目的是提高输出功率平坦度，受器件工作温度影响，功分器27为SBTC-2-10。

上述电路集成设置在一电路板上并置于壳体内，该壳体的结构例如可以是顶部两侧内壁分别设置有滑槽，所述盖板的两侧侧壁上分别设置有与滑槽相匹配的滑条，所述壳体底部设置有散热机构，所述散热机构包括散热筒和散热风扇，所述散热筒设置在壳体底部，且散热筒与壳体内部连通，所述散热风扇设置在散热筒内，所述壳体底部还均匀设置有多个散热孔。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。