技术特征：
技术总结
本公开涉及堆叠晶体管中的RF传感器。例如，一种RF开关包括：串联耦合的RF开关单元，耦合在RF输入和地之间；晶体管，包括耦合至第一负载电阻器的第一电流节点、耦合至地的第二电流节点和耦合至内部开关节点的控制节点；以及滤波器，具有耦合至第一晶体管的第一电流节点的输入以及用于提供与内部开关节点处存在的RF功率相对应的DC电压的输出。
技术研发人员：B·施莱西尔;W·巴卡尔斯基;R·鲍德;V·索罗姆克
受保护的技术使用者：英飞凌科技股份有限公司
技术研发日：2019.02.03
技术公布日：2019.08.13