1.一种电磁波屏蔽件，其特征在于，所述电磁波屏蔽件包括一量子阱结构，其中，所述量子阱结构包括至少两个阻挡层以及位于两个所述阻挡层之间的至少一载流子限制层，每一所述阻挡层的厚度介于0.1nm至500nm之间，且所述载流子限制层的厚度介于0.1nm至500nm之间。
2.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述电磁波屏蔽件还包括：一基底层，所述量子阱结构设置于所述基底层上。
3.如权利要求2所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述基底层包括一隔离层，所述隔离层的厚度介于1μm至500μm之间，所述隔离层的材料选自由聚酰亚胺、聚乙烯、聚丙烯、环氧树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙醇酯、聚碳酸酯、聚醚砜、聚芳基酸酯以及液晶高分子及其任意组合所组成的群组中的至少一者。
4.如权利要求3所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述基底层还包括一导电层，所述导电层与所述隔离层位于所述量子阱结构的相同侧，且所述导电层的厚度介于0.01μm至500μm之间。
5.如权利要求4所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述导电层的材料选自由金、银、铜、铁、锌、铅、钴、铬、铝、镍及其任意组合所组成的群组中的任一者或其合金。
6.如权利要求4所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述隔离层位于所述导电层与所述量子阱结构之间。
7.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述阻挡层的材料为氧化物、氮化物、氮氧化物或其任意组合。
8.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述载流子限制层的材料为半导体、金属、合金或其任意组合。
9.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，每一所述阻挡层的导电带与相邻的所述载流子限制层的导电带之间所形成的能隙差值至少0.2ev。
10.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述量子阱结构为多重量子阱结构，所述多重量子阱结构包括交替堆叠的多个所述阻挡层以及多个所述载流子限制层，多个所述阻挡层包括一外侧阻挡层以及一内侧阻挡层，且多个所述载流子限制层都位于所述外侧阻挡层与所述内侧阻挡层之间。
11.如权利要求10所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，至少两个所述阻挡层或者至少两个所述载流子限制层分别具有不同的厚度。
12.如权利要求10所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，至少两个所述阻挡层或者至少两个所述载流子限制层的材料不同。
13.如权利要求1所述的电磁波屏蔽件，其特征在于，所述量子阱结构还包括位于两层所述阻挡层之间的另一载流子限制层，两层所述载流子限制层彼此直接连接，且分别具有不同的能隙宽度。
14.一种传输线组件，其特征在于，所述传输线组件包括:
一导线组，其包括至少一导线以及包覆所述导线的一绝缘层；以及
一电磁波屏蔽件，其设置在所述导线组上，所述电磁波屏蔽件包括一量子阱结构，其中，所述量子阱结构包括至少两个阻挡层以及位于两个所述阻挡层之间的至少一载流子限制层。
15.如权利要求14所述的传输线组件，其特征在于，所述电磁波屏蔽件还包括一基底层，所述量子阱结构位于所述基底层与所述导线组之间。
16.如权利要求15所述的传输线组件，其特征在于，所述基底层包括一隔离层以及一导电层，且所述隔离层位于所述量子阱结构与所述导电层之间。
17.如权利要求14所述的传输线组件，其特征在于，所述量子阱结构为多重量子阱结构，所述多重量子阱结构包括交替堆叠的多个阻挡层以及多个载流子限制层，多个所述阻挡层包括一外侧阻挡层以及一内侧阻挡层，多个所述载流子限制层都位于所述外侧阻挡层与所述内侧阻挡层之间。
18.如权利要求14所述的传输线组件，其特征在于，每一所述阻挡层的厚度介于0.1nm至500nm之间，且所述载流子限制层的厚度介于0.1nm至500nm之间。
19.一种电子封装结构，其特征在于，所述电子封装结构包括:
一电子元件；
一保护层，其覆盖所述电子元件；以及
一电磁波屏蔽件，其设置于所述保护层上，其中，所述电磁波屏蔽件包括至少一量子阱结构，所述量子阱结构包括至少两个阻挡层以及位于两个所述阻挡层之间的至少一载流子限制层。
20.如权利要求19所述的电子封装结构，其特征在于，所述电子元件为一电阻、一电容或者一芯片。
21.一种电子封装结构，其特征在于，所述电子封装结构应用于一滤波电路，且至少包括：一电子元件，其为一电容，且包括两个电极结构以及夹设于两个所述电极结构之间的一介电层，其中，至少其中一所述电极结构包括一量子阱结构，且所述量子阱结构包括至少两个阻挡层以及位于两个所述阻挡层之间的至少一载流子限制层。