1.一种差分振荡器电路，其特征在于，包括：
一对晶体管(130，130'，135，135')，所述对晶体管(130，130'，135，135')具有通过共同偏置电压(vbias)偏置的控制端；
变压器(150)，所述变压器(150)具有初级线圈(155)和次级线圈(156)，所述初级线圈(155)耦合在所述晶体管(130，130'，135，135')的第一电流端之间，并且所述次级线圈(156)耦合在具有两个变容管(220，225)的闭合串联电路中，所述两个变容管(220，225)被布置成通过第一共同调谐电压(vtune1)进行调谐；以及
串联电路，所述串联电路包括串联耦合到所述晶体管(130，130'，135，135')的第二电流端的两个另外的变容管(170，175)，其中所述两个另外的变容管(170，175)被布置成通过第二共同调谐电压(vtune2)进行调谐。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，进一步包括：
反馈电容器(120，125)，所述反馈电容器(120，125)中的每一个反馈电容器耦合在所述晶体管(130，130'，135，135')中的相应晶体管的所述第一电流端与所述第二电流端之间。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的电路，其特征在于，进一步包括：
偏置电流源(190，195)，所述偏置电流源(190，195)中的每一个偏置电流源插入在所述晶体管(130，130'，135，135')中的相应晶体管的所述第二电流端与参考电位之间。
4.根据在前的任一项权利要求所述的电路，其特征在于，
所述晶体管(130，130'，135，135')形成平衡差分对。
5.根据在前的任一项权利要求所述的电路，其特征在于，
所述初级线圈(155)具有中心抽头，所述中心抽头被布置成接收电源电压(vdd)。
6.根据在前的任一项权利要求所述的电路，其特征在于，
所述次级线圈(156)具有中心抽头，所述中心抽头供应到所述参考电位。
7.根据在前的任一项权利要求所述的电路，其特征在于，
所述晶体管(130，135)是双极性晶体管，其中所述第一电流端是集电极端，所述第二电流端是发射极端，并且所述控制端是基极端。
8.根据权利要求1到6中任一项所述的电路，其特征在于，
所述晶体管(130'，135')是金属氧化物半导体mos晶体管，其中所述第一电流端是漏极端，所述第二电流端是源极端，并且所述控制端是栅极端。
9.根据在前的任一项权利要求所述的电路，其特征在于，进一步包括：
两个电容器(180，185)，所述两个电容器(180，185)中的每一个电容器串联耦合在所述晶体管(130，130'，135，135')中的相应晶体管的所述第二电流端与所述两个另外的变容管(170，175)中的相应变容管之间。
10.根据权利要求9所述的电路，其特征在于，进一步包括：
两个电阻器(210，215)，所述两个电阻器(210，215)中的每一个电阻器耦合到所述两个电容器(180，185)中的相应电容器与所述两个另外的变容管(170，175)中的相邻变容管之间的互连和基极参考电位。