1.一种超宽带高增益低噪声放大器，包括输入匹配级电路、增益放大级电路和输出匹配级电路三级级联结构，其特征在于：
所述输入匹配级电路，包括第一晶体管m1、第一电容c1、第一负载电阻rl1、第一补偿电感l1、第二补偿电感l2以及源极负反馈电感ls；第一晶体管m1，其栅极连接第一直流偏置电压vbs1，其源极通过第一隔直电容c1连接输入信号，源极与地之间连接源极负反馈电感ls，其漏极分别连接第二补偿电感l2的一端和第一负载电阻rl1的一端，第一负载电阻rl1的另一端连接第一补偿电感l1的一端，第一补偿电感l1的另一端连接电源电压vdd，构成共栅极结构；
所述增益放大级电路，包括第二晶体管m2、第三晶体管m3、第二负载电阻rl2、第三补偿电感l3以及第四补偿电感l4；第二晶体管m2，其栅极连接第二补偿电感l2的另一端，其源极连接地，其漏极连接第三晶体管m3的源极；第三晶体管m3，其栅极连接第二直流偏置电压vbs2，其漏极分别连接第四补偿电感l4的一端和第二负载电阻rl2的一端，第二负载电阻rl2的另一端连接第三补偿电感l3的一端，第三补偿电感l3的另一端连接电源电压vdd，构成共源共栅结构；
所述输出匹配级电路，包括第四晶体管m4、第三负载电阻rl3、第五补偿电感l5以及第二隔直电容c2；第四晶体管m4，其栅极连接第四补偿电感l4的另一端，其源极连接地，其漏极分别连接第三负载电阻rl3的一端和第二隔直电容c2的一端，第二隔直电容c2的另一端连接信号输出端，第三负载电阻rl3的另一端连接第五补偿电感l5的一端，第五补偿电感l5的另一端连接电源电压vdd，构成共源极结构。
2.根据权利要求1所述的放大器，其特征在于：第一隔直电容c1和第二隔直电容c2均为隔直电容，其大小在10pf附近调节确定，其作用在于隔绝输入节点、输出节点处直流对电路的影响。
3.根据权利要求1所述的放大器，其特征在于：第一补偿电感l1大小在600～900pn范围内调节确定，第二补偿电感l2大小在1.4～1.9n范围内调节确定，用于抵消第一晶体管m1漏极输出节点处寄生电容对电路增益的影响，提高输入匹配级电路高频增益。
4.根据权利要求1所述的放大器，其特征在于：第三补偿电感l3大小在600～900pn范围内调节确定，第四补偿电感l4大小在1.4～1.9n范围内调节确定，用于抵消第三晶体管m3漏极输出节点处寄生电容对电路增益的影响，提高增益放大级电路高频增益。
5.根据权利要求1所述的放大器，其特征在于：第五补偿电感l5大小在600～900pn范围内调节确定，用于抵消第四晶体管m4漏极输出节点处寄生电容对输出阻抗的影响，保证输出匹配级电路在较宽频带内保持良好的输出匹配性能，同时提高输出匹配级电路高频增益。
6.根据权利要求1所述的放大器，其特征在于：第一晶体管m1、第二晶体管m2、第三晶体管m3和第四晶体管m4均为n型金属-氧化物-半导体场效应管。
7.根据权利要求1所述的放大器，其特征在于：源极负反馈电感ls、第一晶体管m1的栅源电阻和栅源寄生电容用于提供输入阻抗，第一晶体管m1的跨导gm1大小在20ms附近调节确定。
8.根据权利要求1所述的放大器，其特征在于：第三负载电阻rl3、第五补偿电感l5、第四晶体管m4的源漏电阻和输出节点处寄生电容用于提供输出阻抗，第三负载电阻rl3的阻值在50欧姆附近调节确定。
9.根据权利要求1所述的放大器，其特征在于：各元器件采用55nm特征尺寸的cmos工艺实现，电源电压vdd采用1.2v电压实现。