控制电路、半导体装置以及电路装置的制作方法

文档序号:21476792发布日期:2020-07-14 17:02阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种控制电路,与元件部连接,该元件部包括rc-igbt的第一元件,其中,

所述第一元件包括第一栅极、第一其它栅极、第一集电极及第一发射极,

所述控制电路实施第一动作及第二动作,

在所述第一动作的至少一部分中,所述控制电路使第一电流从所述第一集电极向所述第一发射极流动,

在所述第二动作的至少一部分中,所述控制电路使第二电流从所述第一发射极向所述第一集电极流动,

所述控制电路在所述第二动作中,将第一脉冲供给到所述第一栅极,将第一其它脉冲供给到所述第一其它栅极,

所述第一脉冲具有第一开始时刻及第一结束时刻,

所述第一其它脉冲具有与所述第一开始时刻不同的第一其它开始时刻以及与所述第一结束时刻不同的第一其它结束时刻中的至少任意时刻。

2.根据权利要求1所述的控制电路,其中,在所述第一动作中,所述控制电路将所述第一其它栅极与所述第一发射极电连接。

3.根据权利要求1所述的控制电路,其中,所述第一其它开始时刻比所述第一开始时刻靠前。

4.根据权利要求1所述的控制电路,其中,所述第一其它开始时刻比所述第一开始时刻靠后。

5.根据权利要求1所述的控制电路,其中,所述第一其它结束时刻比所述第一结束时刻靠前。

6.根据权利要求1所述的控制电路,其中,

所述元件部还包括rc-igbt的第二元件,

所述第二元件包括第二栅极、第二其它栅极、第二集电极及第二发射极,

所述第一发射极与负载的第一端部及所述第二集电极电连接,

所述控制电路还实施第三动作及第四动作,

在所述第三动作的至少一部分中,所述控制电路使第三电流从所述第二发射极向所述第二集电极流动,

在所述第四动作的至少一部分中,所述控制电路使第四电流从所述第二集电极向所述第二发射极流动,

所述控制电路在所述第三动作中,将第二脉冲供给到所述第二栅极,将第二其它脉冲供给到所述第二其它栅极,

所述第二脉冲具有第二开始时刻及第二结束时刻,

所述第二其它脉冲具有与所述第二开始时刻不同的第二其它开始时刻以及与所述第二结束时刻不同的第二其它结束时刻中的至少任意时刻,

在所述第一动作及所述第二动作中,所述控制电路将所述第二元件设为断开状态,

在所述第三动作及所述第四动作中,所述控制电路将所述第一元件设为断开状态。

7.根据权利要求6所述的控制电路,其中,

所述元件部还包括rc-igbt的第三元件及第四元件,

所述第三元件包括第三栅极、第三其它栅极、第三集电极及第三发射极,所述第四元件包括第四栅极、第四其它栅极、第四集电极及第四发射极,

所述第一集电极与所述第三集电极电连接,

所述第三发射极与所述负载的第二端部及所述第四集电极电连接,

所述第二发射极与所述第四发射极电连接,

在所述第一动作中,所述控制电路使所述第一电流流过从所述第一集电极向所述第一发射极、从所述第一端部向所述第二端部以及从所述第四集电极向所述第四发射极的第一路径,将所述第二元件及所述第三元件设为断开状态,

在所述第二动作中,所述控制电路使所述第二电流流过从所述第四发射极向所述第四集电极、从所述第二端部向所述第一端部以及从所述第一发射极向所述第一集电极的第二路径,将所述第二元件及所述第三元件设为断开状态,

在所述第三动作中,所述控制电路使第三电流流过从所述第二发射极向所述第二集电极、从所述第一端部向所述第二端部以及从所述第三发射极向所述第三集电极的第三路径,将所述第一元件及所述第四元件设为断开状态,

在所述第四动作中,所述控制电路使第四电流流过从所述第三集电极向所述第三发射极、从所述第二端部向所述第一端部以及从所述第二集电极向所述第二发射极的第四路径,将所述第一元件及第四元件设为断开状态,

所述控制电路在所述第三动作中,将第三脉冲供给到所述第三栅极,将第三其它脉冲供给到所述第三其它栅极,

所述第三脉冲具有第三开始时刻及第三结束时刻,

所述第三其它脉冲具有与所述第三开始时刻不同的第三其它开始时刻以及与所述第三结束时刻不同的第三其它结束时刻中的至少任意时刻,

所述控制电路在所述第二动作中,将第四脉冲供给到所述第四栅极,将第四其它脉冲供给到所述第四其它栅极,

所述第四脉冲具有第四开始时刻及第四结束时刻,

所述第四其它脉冲具有与所述第四开始时刻不同的第四其它开始时刻以及与所述第四结束时刻不同的第四其它结束时刻中的至少任意时刻。

8.一种半导体装置,具备包括第一元件的元件部,其中,

所述第一元件包括:

第一栅极;

第一其它栅极;

第一集电极;

第一发射极;

半导体部;

第一绝缘区域;

第二绝缘区域;

第一栅极端子,与所述第一栅极电连接;以及

第一其它栅极端子,与所述第一其它栅极电连接,并且与所述第一栅极端子独立,

所述半导体部包括:

第一半导体区域,在从所述第一集电极向所述第一发射极的第一方向上设置于所述第一集电极与所述第一发射极之间,为第一导电类型;

第二半导体区域,设置于所述第一半导体区域与所述第一发射极之间,与所述第一发射极电连接,为所述第一导电类型;

第三半导体区域,在所述第一方向上设置于所述第一半导体区域与所述第二半导体区域之间,为第二导电类型;以及

第四半导体区域,设置于所述第一半导体区域与所述第一集电极之间,所述第四半导体区域包括所述第一导电类型的多个第一部分区域和所述第二导电类型的多个第二部分区域,所述多个第一部分区域及所述多个第二部分区域在与所述第一方向交叉的方向上交替设置,

从所述第一栅极向所述第一半导体区域的一部分的方向以及从所述第一栅极向所述第三半导体区域的方向沿着与所述第一方向交叉的第二方向,

从所述第一其它栅极向所述第一半导体区域的一部分的方向以及从所述第一其它栅极向所述第三半导体区域的方向沿着所述第二方向,

所述第一绝缘区域设置于所述第一栅极与所述半导体部之间以及所述第一栅极与所述第一发射极之间,

所述第二绝缘区域设置于所述第一其它栅极与所述半导体部之间以及所述第一其它栅极与所述第一发射极之间。

9.一种电路装置,具备:

权利要求1~7中任一项所述的控制电路;以及

半导体装置,包括所述元件部。

10.根据权利要求9所述的电路装置,其中,还具备将电力供给到所述元件部的电源。


技术总结
本发明提供能够抑制损耗的控制电路、半导体装置及电路装置。根据实施方式,控制电路与包括RC‑IGBT的第一元件的元件部连接。第一元件包括第一栅极、第一其它栅极、第一集电极及第一发射极。控制电路实施第一动作及第二动作。在第一动作的至少一部分中,控制电路使第一电流从第一集电极向第一发射极流动。在第二动作的至少一部分中,控制电路使第二电流从第一发射极向第一集电极流动。控制电路在第二动作中,将第一脉冲供给到第一栅极,将第一其它脉冲供给到第一其它栅极。第一脉冲具有第一开始时刻及第一结束时刻。第一其它脉冲具有与第一开始时刻不同的第一其它开始时刻以及与第一结束时刻不同的第一其它结束时刻中的至少任意时刻。

技术研发人员:坂野竜则;高尾和人
受保护的技术使用者:株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
技术研发日:2019.11.27
技术公布日:2020.07.14
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