一种新型多层无胶FPC板的制作方法

本实用新型涉及一种柔性线路板，尤其涉及一种新型多层无胶fpc板。

背景技术：

随着电子技术的不断发展，尤其是大规模和超大规模集成电路的广泛深入应用，多层印制电路正迅速向高密度、高精度、高层数化方向发展出现了微细线条、小孔径贯穿、盲孔埋孔、高板厚孔径比等技术以满足市场的需要。

现在常见的fpc线路板通常经过开料、钻孔、电镀等工艺，形成以聚酰亚胺为基材的线路板。

但是现有的fpc线路板具有造价高、周期长，并且成品的厚度不能满足更高精度的集成电路使用，因此有待改善。

技术实现要素：

为此，本实用新型的目的是提供一种新型多层无胶fpc板，在大幅降低生产成本的前提下，降低fpc板的厚度。

本实用新型的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：

一种新型多层无胶fpc板，包括聚酰亚胺基底，所述聚酰亚胺基底的两侧表面均离子注入形成有钉扎层，并依次向外覆盖形成第一金属过渡层、第一金属层、pi树脂过渡层、pi树脂层、第二金属过渡层和第二金属层。

作为优选，所述第一金属过渡层和第二金属过渡层均包括释放层和过渡cu层。

作为优选，所述释放层通过磁过滤沉积元素ti或ni形成。

作为优选，所述释放层的厚度为0～10nm。

作为优选，所述过渡cu层的厚度为10～50nm。

作为优选，所述第一金属层和第二金属层均为金属cu层。

作为优选，离子注入形成钉扎层采用的靶材为ti或ni。

作为优选，所述钉扎层采用的离子注入电压为4～12kv，束流强度为1～10ma，注入剂量为1×10¹⁵～1×10¹⁷/cm²，注入深度为70～120nm。

作为优选，所述第一金属层和第二金属层均电镀形成于上一层结构。

作为优选，所述pi树脂过渡层和pi树脂层均涂布形成于上一层结构。

本实用新型提供的一种新型多层无胶fpc板具有如下优点：

1.本实用新型整体厚度小于8μm；

2.大幅度降低生产成本。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型生产工艺原理图。

图中各附图标记说明如下：

1、聚酰亚胺基底；2、钉扎层；3、第一金属过渡层；301、释放层；302、过渡cu层；4、第一金属层；5、pi树脂层；6、pi树脂过渡层；7、第二金属过渡层；8、第二金属层。

具体实施方式

下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

一种新型多层无胶fpc板，如图1所示，包括聚酰亚胺基底1，所述聚酰亚胺基底的两侧表面均离子注入形成有钉扎层2，并依次向外覆盖形成第一金属过渡层3、第一金属层4、pi树脂过渡层6、pi树脂层5、第二金属过渡层7和第二金属层8。

优选地，所述第一金属过渡层3和第二金属过渡层7均包括释放层301和过渡cu层302，释放层301和过渡cu层302的结合，提高金属过渡层和上一层结构的结合力。

优选地，所述释放层301通过磁过滤沉积元素ti或ni形成。

优选地，所述释放层301的厚度为0～10nm。

优选地，所述过渡cu层302的厚度为10～50nm。

优选地，所述第一金属层4和第二金属层8均为金属cu层。

优选地，离子注入形成钉扎层2采用的靶材为ti或ni。

优选地，所述钉扎层2采用的离子注入电压为4～12kv，束流强度为1～10ma，注入剂量为1×1015～1×1017/cm2，注入深度为70～120nm。

优选地，所述第一金属层4和第二金属层8均电镀形成于上一层结构。

优选地，所述pi树脂过渡层6和pi树脂层5均涂布形成于上一层结构。

如图1和图2所示，本实用新型的生产工艺原理如下。

s10、在聚酰亚胺基底1表面通过金属真空蒸汽粒子束技术进行离子注入处理，形成钉扎层2；

s20、通过磁过滤等离子体沉积镀膜技术在钉扎层2上沉积释放层301；

s30、于释放层301上再次沉积形成过渡cu层302；

s40、于第一金属过渡层3(释放层301和过渡cu层302)上电镀形成第一金属层4；

s50、于第一金属层4上涂布粘性的pi树脂过渡层6；

s60、待pi树脂过渡层6干燥后，再涂布一层尺寸稳定性高的pi树脂层5；

s70、沉积形成第二金属过渡层7；

s80、电镀形成第二金属层8。

其中，

s10过程中，钉扎层2采用的离子注入电压为4～12kv，束流强度为1～10ma，注入剂量为1×1015～1×1017/cm2，注入深度为70～120nm。

s20过程中，释放层301的元素为ti或ni，厚度为0～10nm。

s30过程中，过渡cu层302的厚度为10～50nm。

s40过程中，第一金属层4是通过电镀的方法制备而成的金属cu层，电解液为cuso4和h2so4，电压参数为10～100v。

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型创造的保护范围之中。