1.一种具有改进的品质因数的tf-saw谐振器，包括：
-载体衬底，
-压电层，在所述载体衬底上或上方，所述压电层具有厚度t，
-电极结构，包括idt结构，所述电极结构在所述压电层上，所述idt结构具有节距p和金属化率η，
其中：
-所述压电层是包括压电材料的薄膜，
-所述节距p和所述金属化率η被选取以使所述品质因数q最大化。
2.根据前一权利要求所述的tf-saw谐振器，其中p和η取决于所述压电层的所述厚度t。
3.根据前述权利要求之一所述的tf-saw谐振器，其中所述压电材料包括linbo3或litao3。
4.根据前述权利要求之一所述的tf-saw谐振器，还包括在所述载体衬底与所述压电层之间的中间层，
其中所述中间层中的声速小于所述压电层中的声速。
5.根据前述权利要求之一所述的tf-saw谐振器，还包括在所述载体衬底与所述压电层之间的tcf层。
6.根据前述权利要求之一所述的tf-saw谐振器，还包括电荷减少层。
7.根据前述权利要求之一所述的tf-saw谐振器，其中p和η取决于t，但是与所述谐振器的外部电环境无关。
8.一种rf滤波器，包括两个或更多根据前述权利要求之一所述的tf-saw谐振器，其中p和η针对每个谐振器单独地被选取。
9.一种制造tf-saw谐振器的方法，包括步骤：
-提供载体衬底，
-利用晶片键合与薄膜处理或者薄膜层沉积技术，在所述载体衬底上或上方沉积包括压电材料的压电层，
-在所述压电层上构造包括idt结构的电极结构，所述idt结构具有被选取以使品质因数q最大化的节距p和金属化率η。
10.根据前一权利要求所述的方法，其中p和η考虑所述压电层的厚度t而被选取，但是与所述谐振器的外部电环境无关。
11.根据两项前述权利要求之一所述的方法，包括：局部修整所述压电层的厚度t。