有机电致发光元件和电子设备的制作方法

[0001]
本发明涉及有机电致发光元件和电子设备。


背景技术：

[0002]
已知有机电致发光元件(以下有时称为“有机el元件”)，其具备在阳极和阴极之间包含发光层的发光单元，利用通过注入发光层的空穴和电子的复合而产生的激子(exiton)能量得到发光。
[0003]
在近年的有机el元件中，正在研究夹隔电荷产生层而层叠多个发光单元并串联连接的元件构成。这样的元件构成有时被称为串联(tandem)型。
[0004]
串联型的有机el元件相比于非串联型的有机el元件，被认为在低电压下发光。因此，串联型的有机el元件作为可实现元件的长寿命化的技术而受到关注。
[0005]
例如，专利文献1公开了一种有机电致发光元件，其具备至少含有包含第1发光层的第1发光单元和包含第2发光层的第2发光单元的多个发光单元、以及配置于第1发光单元和第2发光单元之间的电荷产生层，第2发光单元中的空穴传输层的膜厚相对于第2发光单元的总膜厚为10％以上且25％以下。
[0006]
现有技术文献
[0007]
专利文献
[0008]
专利文献1：日本特开2015-153523号公报


技术实现要素：

[0009]
发明要解决的问题
[0010]
然而，在近年的串联型的有机el元件中，寻求更进一步的低电压驱动和提高寿命。其中，在有机el元件的领域中，蓝色发光被认定是困难的，因此，尤其在具有蓝色发光层的有机el元件中，寻求在低电压下驱动、提高寿命。
[0011]
专利文献1记载的有机电致发光元件虽然公开了具有蓝色发光层的发光元件，但是对于驱动电压和寿命没有进行充分的研究。
[0012]
本发明的目的是提供一种能够使驱动电压下降、使寿命提高的有机电致发光元件、以及搭载了该有机电致发光元件的电子设备。
[0013]
用于解决问题的手段
[0014]
根据本发明的一个方案，提供一种有机电致发光元件，其具备阳极、阴极、具有第一发光层的第一发光单元、第一电荷产生层、具有第二发光层的第二发光单元、第二电荷产生层和具有第三发光层的第三发光单元，在上述阳极和上述阴极之间从上述阳极侧依次包含上述第一发光单元、上述第一电荷产生层、上述第二发光单元、上述第二电荷产生层和上述第三发光单元，上述第二电荷产生层在上述阳极侧具有n层且在上述阴极侧具有p层，上述第三发光层包含蓝色荧光发光性的化合物，上述第一发光层和上述第二发光层的至少一方包含蓝色荧光发光性的化合物，上述第三发光单元进一步在上述第二电荷产生层和上述
第三发光层之间具有第三发光单元的空穴传输区域，上述第三发光单元的空穴传输区域与上述第二电荷产生层相接，上述第三发光单元的空穴传输区域的厚度为5nm以上且40nm以下，并且比上述n层的厚度薄。
[0015]
根据本发明的一个方案，提供一种电子设备，其搭载了上述的本发明的一个方案的有机电致发光元件。
[0016]
根据本发明的一个方案，可以提供能够使驱动电压下降、使寿命提高的有机el元件和搭载了该有机el元件的电子设备。
附图说明
[0017]
图1是表示第一实施方式的有机el元件的一例的大致构成的图。
[0018]
图2是针对第一实施方式的有机el元件，用于对反射性电极和各发光层的发光中心之间的光学距离进行说明的图。
[0019]
图3是表示第二实施方式的有机el元件的一例的大致构成的图。
具体实施方式
[0020]
〔第一实施方式〕
[0021]
第一实施方式的有机el元件是具备3个发光单元的串联型的有机el元件。作为本实施方式的有机el元件，例如可以举出以下构成。
[0022]“阳极/第一发光单元/第一电荷产生层/第二发光单元/第二电荷产生层/第三发光单元/阴极”[0023]
各发光单元和各电荷产生层具备有机层。该有机层是由有机化合物构成的多个层层叠而成。有机层可以还包含无机化合物。
[0024]
在本实施方式中，举出具备图1所示构成的串联型的有机el元件1为例进行说明。有机el元件1是在基板11上依次层叠阳极12、第一发光单元13、第一电荷产生层14、第二发光单元15、第二电荷产生层16、第三发光单元17、和阴极18而构成。
[0025]
各发光单元和各电荷产生层的详细构成如下所述。
[0026]
第一发光单元13：第一空穴传输区域131(厚度d
1
)
[0027]
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第一发光层132
[0028]
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第一电子传输区域133
[0029]
第一电荷产生层14：第一n层141
[0030]
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第一p层142
[0031]
第二发光单元15：第二空穴传输区域151(厚度d
2
)
[0032]
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二发光层152
[0033]
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二电子传输区域153
[0034]
第二电荷产生层16：第二n层161(厚度d
n
)
[0035]
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二p层162
[0036]
第三发光单元17：第三空穴传输区域171(厚度d
3
)
[0037]
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第三发光层172
[0038]
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第三电子传输区域173
[0039]
本实施方式中，第三发光层172包含蓝色荧光发光性的化合物。第一发光层132和第二发光层152的至少一方也包含蓝色荧光发光性的化合物。
[0040]
即，第三发光层172为蓝色荧光发光层。第一发光层132和第二发光层152的至少一方为蓝色荧光发光层。
[0041]
第三空穴传输区域171与第二电荷产生层16相接。
[0042]
第三空穴传输区域171的厚度d
3
为5nm以上且40nm以下，并且比第二n层161的厚度d
n
薄。
[0043]
本发明人等发现，上述构成的有机el元件是能够使驱动电压下降、使寿命提高的元件。据认为这是基于以下的理由。
[0044]
以往，具备3个发光单元的有机el元件中，从利用光干涉效应的观点出发，很多情况下将第三空穴传输区域设置得比较厚。
[0045]
这样的元件构成中，第三空穴传输区域与第三发光层的界面容易劣化，其结果，观察到驱动电压上升的倾向、和元件低寿命化的倾向。
[0046]
推测这是因为，由于第三空穴传输区域的厚度，从第二电荷产生层向第三发光层的空穴供给变得不充分，其结果，第三发光层的复合区域偏置于空穴传输区域侧。
[0047]
因此，本实施方式中，设置第三空穴传输区域与第二电荷产生层相接，使第三空穴传输区域的厚度设为比较薄的5nm以上且40nm以下，作为替代方式，从多个有机层中出发考虑各层的电阻，设定第二电荷产生层的n层的厚度比第三空穴传输区域的厚度更厚。
[0048]
据认为，由此从第二电荷产生层向第三发光层的空穴供给得到促进，之前偏置于空穴传输区域侧的第三发光层的复合区域能够向电子传输区域侧扩展。据认为其结果，第三空穴传输区域与第三发光层的界面的劣化得到抑制。
[0049]
因此，根据本实施方式的有机el元件，能够使驱动电压下降、使寿命提高(以下也称为“本实施方式的效果”)。
[0050]
另外，根据本实施方式，通过第三发光单元满足光学干涉的式子(具体为后述的数学式(1-3)和数学式(2-3))，能够使蓝色荧光发光的发光效率提高。
[0051]
即，根据本实施方式的一个方案，能够使驱动电压下降，使寿命提高，而且使发光效率提高。
[0052]
图1中，第一发光单元13、第二发光单元15、和第三发光单元17分别具有第一电子传输区域133、第二电子传输区域153、和第三电子传输区域173，但各发光单元各自也可以不具有电子传输区域。
[0053]
其中，从进一步体现本实施方式的效果的观点出发，优选的是，第一发光单元13、第二发光单元15、和第三发光单元17分别具有第一电子传输区域133、第二电子传输区域153、和第三电子传输区域173。
[0054]
此处，空穴传输区域是指空穴移动的区域。空穴传输区域中的空穴迁移率μ
h
优选为10-6
cm
2
/[v
·
s]以上。
[0055]
空穴传输区域可以为单层也可以为多层。
[0056]
作为构成空穴传输区域的层，除了空穴传输层以外，还可以举出例如空穴注入层、和电子阻挡层。
[0057]
空穴迁移率μ
h
[cm
2
/[v
·
s]]可以通过日本特开2014-110348号公报记载的阻抗光
谱法进行测定。
[0058]
电子传输区域是指电子移动的区域。电子传输区域中的电子迁移率μ
e
优选为10-6
cm
2
/[v
·
s]以上。
[0059]
电子传输区域可以为单层也可以为多层。
[0060]
作为构成电子传输区域的层，除了电子传输层以外，还可以举出例如电子注入层、和空穴阻挡层。
[0061]
电子迁移率μ
e
[cm
2
/[v
·
s]]可以通过日本特开2014-110348号公报记载的阻抗光谱法进行测定。
[0062]
电荷产生层是指，在施加电压时，对配置于电荷产生层的阴极侧的发光单元注入空穴的层(本实施方式中为第一p层142和第二p层162)和对配置于电荷产生层的阳极侧的发光单元注入电子的层(本实施方式中为第一n层141和第二n层161)。
[0063]
第三发光单元17的空穴传输区域(第三空穴传输区域171)的厚度d
3
为5nm以上且40nm以下，从进一步体现本实施方式的效果的观点出发，第三空穴传输区域171的厚度优选为10nm以上且30nm以下，更优选为15nm以上且25nm以下，进一步优选为15nm以上且20nm以下。
[0064]
若第三空穴传输区域171的厚度d
3
为5nm以上，则第二电荷产生层16中所包含的受主材料与第三发光层172过度接近所导致的消光得到抑制。
[0065]
若第三空穴传输区域171的厚度d
3
为40nm以下，则从第二电荷产生层16向第三发光层172的空穴供给得到促进，第三发光层172中的复合区域容易向电子传输区域侧扩展。
[0066]
第三空穴传输区域171的厚度d
3
在第三空穴传输区域171由多层构成时，是指其总厚度。其他区域(例如第一空穴传输区域131等)和其他层(例如第三发光层等)的厚度也是同样。
[0067]
第三空穴传输区域171的厚度d
3
的测定如下进行。
[0068]
将有机el元件1的中心部(图1中为符号cl)沿相对于第三空穴传输区域171的形成面垂直的方向(即第三空穴传输区域171的厚度方向)切断，对于其中心部的切截面利用透射型电子显微镜(tem)进行观察测定。
[0069]
其他区域(例如第一空穴传输区域131、第二空穴传输区域151等)和其他层(例如第二n层161等)的厚度也利用同样的方法测定。
[0070]
需要说明的是，有机el元件1的中心部是指，将有机el元件1从阴极侧投影而得的形状的中心部，例如投影形状为矩形状时是指矩形的对角线的交点。
[0071]
从进一步体现本实施方式的效果的观点出发，第二空穴传输区域151优选与第一电荷产生层14相接。
[0072]
第二空穴传输区域151的厚度d
2
优选为5nm以上且40nm以下，更优选为10nm以上且30nm以下，进一步优选为15nm以上且25nm以下。
[0073]
从进一步体现本实施方式的效果的观点出发，第一空穴传输区域131优选与阳极12相接。
[0074]
第一空穴传输区域131的厚度优选为5nm以上且40nm以下，更优选为10nm以上且30nm以下，进一步优选为15nm以上且25nm以下。
[0075]
从进一步体现本实施方式的效果的观点出发，第二电荷产生层16的n层(第二n层
161)的厚度优选为40nm以上，更优选为45nm以上，进一步优选为50nm以上。
[0076]
第二n层161的上限值从得到光干涉效应的观点出发，优选为200nm以下，更优选为160nm以下，进一步优选为120nm以下。
[0077]
即，第二电荷产生层16的n层的厚度优选为40nm以上且200nm以下，更优选为45nm以上且160nm以下，进一步优选为50nm以上且120nm以下。
[0078]
从进一步体现本实施方式的效果的观点出发，第二电荷产生层16的n层(第二n层161)的厚度d
n
与第三发光单元17的空穴传输区域(第三空穴传输区域171)的厚度d
3
之比(厚度d
n
/厚度d
3
)优选为大于1且40以下，更优选为2以上且10以下，进一步优选为2.5以上且6以下。
[0079]
本实施方式的有机el元件1中，阳极11和阴极18的一方为反射性电极。
[0080]
从进一步引发光干涉效应而进一步体现本实施方式的效果的观点出发，本实施方式的有机el元件1优选满足下述数学式(1-3)和下述数学式(2-3)。由此，也能够使蓝色荧光发光的发光效率提高。
[0081]
n
3-0.25＜m
3
＜n
3
+0.25
ꢀꢀ
(1-3)
[0082]
数学式(1-3)中，n
3
为0以上的整数，m
3
为反射性电极和第三发光层的发光中心之间的干涉级数。n
3
优选为0以上且3以下的整数。
[0083]
【数学式1】
[0084][0085]
数学式(2-3)中，m
3
与上述数学式(1-3)中的m
3
含义相同，l
3
为反射性电极和第三发光层的发光中心之间的光学距离(nm)，λ
3
为来自第三发光层的发光的主峰波长(nm)，φ
3
为上述来自第三发光层的发光被上述反射性电极反射时的相位变化。
[0086]
另外，从进一步引发光干涉效应而进一步体现本实施方式的效果的观点出发，本实施方式的有机el元件1优选满足下述数学式(1-2)和下述数学式(2-2)。
[0087]
n
2-0.25＜m
2
＜n
2
+0.25
ꢀꢀ
(1-2)
[0088]
数学式(1-2)中，n
2
为0以上的整数，m
2
为反射性电极和第二发光层的发光中心之间的干涉级数。n
2
优选为0以上且3以下的整数。
[0089]
【数学式2】
[0090][0091]
数学式(2-2)中，m
2
与上述数学式(1-2)中的m
2
含义相同，l
2
为反射性电极和第二发光层的发光中心之间的光学距离(nm)，λ
2
为来自第二发光层的发光的主峰波长(nm)，φ
2
为上述来自第二发光层的发光被上述反射性电极反射时的相位变化。
[0092]
另外，从进一步引发光干涉效应而进一步体现本实施方式的效果的观点出发，本实施方式的有机el元件1优选满足下述数学式(1-1)和下述数学式(2-1)。
[0093]
n
1-0.25＜m
1
＜n
1
+0.25
ꢀꢀ
(1-1)
[0094]
数学式(1-1)中，n
1
为0以上的整数，m
1
为反射性电极和第一发光层的发光中心之间
的干涉级数。n
1
优选为0以上且3以下的整数。
[0095]
【数学式3】
[0096][0097]
数学式(2-1)中，m
1
与数学式(1-1)中的m
1
含义相同，l
1
为反射性电极和第一发光层的发光中心之间的光学距离(nm)，λ
1
为来自第一发光层的发光的主峰波长(nm)，φ
1
为上述来自第一发光层的发光被反射性电极反射时的相位变化。
[0098]
从进一步引发光干涉效应而进一步体现本实施方式的效果的观点出发，本实施方式的有机el元件1优选满足上述数学式(1-3)和上述数学式(2-3)，或者满足上述数学式(1-2)和上述数学式(2-2)，或者满足上述数学式(1-3)和上述数学式(2-3)。由此，除了本实施方式的效果以外，还能够使蓝色荧光发光的发光效率提高。
[0099]
从更进一步引发光干涉效应而更进一步体现本实施方式的效果的观点出发，本实施方式的有机el元件1更优选除了满足上述数学式(1-3)和上述数学式(2-3)以外，还满足上述数学式(1-2)和上述数学式(2-2)；或者除了满足上述数学式(1-3)和上述数学式(2-3)以外，还满足上述数学式(1-1)和上述数学式(2-1)。由此，除了本实施方式的效果以外，还能够进一步使蓝色荧光发光的发光效率提高。
[0100]
从更进一步引发光干涉效应而更进一步体现本实施方式的效果的观点出发，本实施方式的有机el元件1进一步优选满足上述数学式(1-1)～(1-3)和上述数学式(2-1)～(2-3)的全部。由此，除了本实施方式的效果以外，还能够更进一步使蓝色荧光发光的发光效率提高。
[0101]
此处，对于数学式(2-1)～(2-3)中的l
1
～l
3
(光学距离：nm)，参照图2进行说明。图2中，“d
10”表示第一发光层132的厚度，“d
20”表示第二发光层152的厚度，“d
30”表示第三发光层172的厚度。
[0102]
图2是对于第一实施方式的有机el元件，用于对反射性电极和各发光层的发光中心之间的光学距离进行说明的图。
[0103]
例如有机el元件1为从阳极12侧提取光的底发射型且阴极18为反射性电极时，数学式(2-1)中的光学距离l
1
(相当于图2中的l
1b
)是指，阴极18的反射界面18a(第一发光层侧的阴极18的表面)和第一发光层132的发光中心(图2中的ec
1
)之间的光学距离。
[0104]
第一发光层132的发光中心是指，第一发光层132的厚度方向的发光强度分布的峰所处的面。
[0105]
在本说明书中，第一发光层132的发光中心(图2中的ec
1
)设为将第一发光层132的厚度二等分的面。
[0106]
数学式(2-2)中的光学距离l
2
相当于图2中的l
2b
，数学式(2-3)中的光学距离l
3
相当于图2中的l
3b
。另外，第二发光层152的发光中心相当于图2中的ec
2
，第三发光层172的发光中心相当于图2中的ec
3
。
[0107]
例如有机el元件1为从阴极18侧提取光的顶发射型且阳极12为反射性电极时，数学式(2-1)中的光学距离l
1
(相当于图2中的l
1t
)是指阳极12的反射界面12a(第一发光层侧的阳极12的表面)和第一发光层132的发光中心(图2中的ec
1
)之间的光学距离。
[0108]
数学式(2-2)中的光学距离l
2
相当于图2中的l
2t
，数学式(2-3)中的光学距离l
3
相当于图2中的l
3t
。
[0109]
第一发光层132的发光中心相当于图2中的ec
1
，第二发光层152的发光中心相当于图2中的ec
2
，第三发光层172的发光中心相当于图2中的ec
3
。
[0110]
(发光色)
[0111]
在本说明书中，蓝色的发光是指，发光谱的主峰波长为430nm以上且500nm以下的范围内的发光。
[0112]
黄色的发光是指，发光谱的主峰波长为530nm以上且600nm以下的范围内的发光。
[0113]
红色的发光是指，发光谱的主峰波长为600nm以上且660nm以下的范围内的发光。
[0114]
绿色的发光是指，发光谱的主峰波长为500nm以上且560nm以下的范围内的发光。
[0115]
在本说明书中，表述为“来自第三发光层的发光的主峰波长”时的“主峰波长”是指，如下进行测定而得的值。
[0116]
表述为“来自第二发光层的发光的主峰波长”时的“主峰波长”、和表述为“来自第一发光层的发光的主峰波长”时的“主峰波长”也是同样。
[0117]
对于发光层中所包含的主体材料和掺杂剂材料，将以与发光元件内的发光层相同的比率将主体材料和掺杂剂材料共蒸镀而得的膜以50nm的厚度形成于石英基板上，利用荧光分光光度计f-7000(日立高新技术公司制)测定光激发所得到的发光谱。测定所得到的发光谱中发光强度达到最大的峰波长，将其作为主峰波长(单位：nm)。
[0118]
对于层叠多个发光层时的主峰波长，以与所层叠的发光层相同构成的方式，将各发光层以50nm的厚度形成于石英基板上，使用上述荧光分光光度计f-7000利用与上文同样的方法测定主峰波长。
[0119]
本实施方式的有机el元件1中，第三发光层172为包含蓝色荧光发光性的化合物的蓝色荧光发光层。
[0120]
来自第三发光层的发光的主峰波长优选为430nm以上且500nm以下，更优选为440nm以上且470nm以下。
[0121]
本实施方式的有机el元件1中，第一发光层132优选为蓝色荧光发光层。
[0122]
第一发光层132为蓝色荧光发光层时，来自第一发光层的发光的主峰波长优选为430nm以上且500nm以下，更优选为440nm以上且470nm以下。
[0123]
第一发光层132可以为蓝色以外的荧光发光层(例如黄色荧光发光层、红色荧光发光层、和绿色荧光发光层等)，也可以为各种颜色的磷光发光层(例如蓝色磷光发光层、黄色磷光发光层、红色磷光发光层、和绿色磷光发光层等)。
[0124]
本实施方式的有机el元件1中，第二发光层152优选为蓝色荧光发光层。
[0125]
第二发光层152为蓝色荧光发光层时，来自第二发光层152的发光的主峰波长优选为430nm以上且500nm以下，更优选为440nm以上且470nm以下。
[0126]
第二发光层152可以为蓝色以外的荧光发光层(例如黄色荧光发光层、红色荧光发光层、绿色荧光发光层和由2层以上的它们形成的荧光发光层等)，也可以为各种颜色的磷光发光层(例如蓝色磷光发光层、黄色磷光发光层、红色磷光发光层、绿色磷光发光层、和由2层以上的它们形成的磷光发光层等)。
[0127]
第一发光层132和第三发光层172为蓝色荧光发光层、或者第二发光层152和第三
发光层172为蓝色荧光发光层、或者第一发光层132、第二发光层152和第三发光层172均为蓝色荧光发光层时，各蓝色荧光发光层中所包含的蓝色荧光发光性的化合物相互可以相同也可以不同，可以包含1种蓝色荧光发光性的化合物，也可以包含2种以上蓝色荧光发光性的化合物。
[0128]
作为各发光层的方案，优选为以下的方案。
[0129]
·
第一发光层132为黄色磷光发光层、第二发光层152为蓝色荧光发光层和第三发光层172为蓝色荧光发光层的方案。
[0130]
·
第一发光层132为蓝色荧光发光层、第二发光层152为黄色磷光发光层和第三发光层172为蓝色荧光发光层的方案。
[0131]
·
第一发光层132为红黄系磷光发光层、第二发光层152为蓝色荧光发光层和第三发光层172为蓝色荧光发光层的方案。
[0132]
·
第一发光层132为蓝色荧光发光层、第二发光层152为红绿系磷光发光层和第三发光层172为蓝色荧光发光层的方案。
[0133]
·
第一发光层132、第二发光层152和第三发光层172均为蓝色荧光发光层的方案。
[0134]
对于各发光单元和各电荷产生层进行详细说明。以下，省略符号的记载。
[0135]
<第一发光单元、第二发光单元、和第三发光单元>
[0136]
各发光单元各自包含发光层。
[0137]
在以下的说明中，在不将第一发光层、第二发光层和第三发光层分别加以区别时，有时仅表述为“发光层”。
[0138]
发光层各自独立地可以为单一的发光层，也可以层叠多个发光层而构成。
[0139]
(发光层)
[0140]
发光层优选包含主体材料(有时称为基质材料)和掺杂剂材料(有时称为发光材料、客体材料、或者发射体)。
[0141]
作为主体材料，使用公知的主体材料，可以举出例如胺衍生物、吖嗪衍生物、和稠合多环芳香族衍生物等。
[0142]
作为胺衍生物，可以举出例如单胺化合物、二胺化合物、三胺化合物、四胺化合物、和经咔唑基取代的胺化合物等。
[0143]
作为吖嗪衍生物，例如可以举出单嗪(monoazine)衍生物、二嗪衍生物、和三嗪衍生物等。
[0144]
作为稠合多环芳香族衍生物，优选为不具有杂环骨架的稠合多环芳香族烃，例如可以举出：萘、蒽、菲、荧蒽和三亚苯等稠合多环芳香族烃、或者它们的衍生物。
[0145]
主体材料优选为稠合多环芳香族烃的衍生物，更优选为蒽衍生物，进一步优选为下述通式(11)所示的蒽衍生物。
[0146]
【化1】
[0147][0148]
上述通式(11)中，r
101
～r
110
各自独立地为氢原子或取代基，作为取代基的r
101
～r
110
各自独立地为
[0149]
取代或未取代的碳数1～30的烷基、
[0150]
取代或未取代的碳数2～30的烯基、
[0151]
取代或未取代的碳数2～30的炔基、
[0152]
取代或未取代的成环碳数3～30的环烷基、
[0153]
取代或未取代的碳数1～30的烷氧基、
[0154]
取代或未取代的碳数1～50的烷硫基、
[0155]
取代或未取代的成环碳数6～30的芳氧基、
[0156]
取代或未取代的成环碳数6～30的芳硫基、
[0157]
取代或未取代的碳数7～30的芳烷基、
[0158]-si(r
121
)(r
122
)(r
123
)、
[0159]-c(＝o)r
124
、-coor
125
、
[0160]-n(r
126
)(r
127
)、
[0161]
卤素原子、
[0162]
氰基、
[0163]
硝基、
[0164]
取代或未取代的成环碳数6～30的芳基、
[0165]
取代或未取代的成环原子数5～30的杂环基、或者
[0166]-l
101-ar
101
所示的基团。
[0167]
r
101
～r
110
当中相邻的2个以上的取代基(优选为2个以上且3个以下的取代基)可以键合而形成饱和或不饱和的环。所形成的饱和或不饱和的环的数量优选为1个以上(优选为1以上且3以下)。作为饱和或不饱和的环，优选为取代或未取代的五元环或六元环，更优选为取代或未取代的苯环。
[0168]
上述通式(11)中，r
121
～r
127
各自独立地为氢原子、或者取代基，作为取代基的r
121
～r
127
各自独立地为
[0169]
取代或未取代的碳数1～30的烷基、
[0170]
取代或未取代的成环碳数6～30的芳基、或者
[0171]
取代或未取代的成环原子数5～30的杂环基。
[0172]
其中，r
101
～r
110
的至少1个为-l
101-ar
101
所示的基团。l
101
为单键、或连接基团，作为连接基团的l
101
为取代或未取代的成环碳数6～30的亚芳基、或者取代或未取代的成环原子数5～30的亚杂芳基，ar
101
为取代或未取代的成环碳数6～30的芳基、或者取代或未取代的成环原子数5～30的杂环基。
[0173]
l
101
存在2个以上时，2个以上的l
101
相互相同或者不同。ar
101
存在2个以上时，2个以上的ar
101
相互相同或者不同。r
121
存在2个以上时，2个以上的r
121
相互相同或者不同。r
122
存在2个以上时，2个以上的r
122
相互相同或者不同。r
123
存在2个以上时，2个以上的r
123
相互相同或者不同。r
124
存在2个以上时，2个以上的r
124
相互相同或者不同。r
125
存在2个以上时，2个以上的r
125
相互相同或者不同。r
126
存在2个以上时，2个以上的r
126
相互相同或者不同。r
127
存在2个以上时，2个以上的r
127
相互相同或者不同。
[0174]
上述通式(11)中，r
101
～r
110
各自独立地优选为氢原子、取代或未取代的碳数1～30的烷基、取代或未取代的成环碳数6～30的芳基、取代或未取代的成环原子数5～30的杂环基、或者-l
101-ar
101
所示的基团，更优选为氢原子、取代或未取代的成环碳数6～30的芳基、取代或未取代的成环原子数5～30的杂环基、或者-l
101-ar
101
所示的基团。
[0175]
上述通式(11)中，r
101
～r
110
之中，r
109
和r
110
各自独立地优选为-l
101-ar
101
所示的基团，更优选r
109
和r
110
的至少1个为-l
101-ar
101
所示的基团。
[0176]
上述通式(11)中，优选的是，r
101
～r
110
的至少1个(优选为r
109
和r
110
的至少1个)为-l
101-ar
101
所示的基团，-l
101-ar
101
所示的基团中的ar
101
为芳基的情况下，ar
101
为取代或未取代的苯基、或者取代或未取代的萘基。
[0177]
上述通式(11)中，优选的是，r
101
～r
110
的至少1个(优选为r
109
和r
110
的至少1个)为-l
101-ar
101
所示的基团，-l
101-ar
101
所示的基团中的ar
101
为杂环基的情况下，ar
101
为取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的萘并苯并呋喃基、或者取代或未取代的萘并苯并噻吩基。
[0178]
以下记载上述通式(11)所示的化合物的具体例。本发明的发光层中所包含的主体材料不限定于这些具体例。
[0179]
【化2】
[0180][0181]
【化3】
[0182][0183]
本实施方式中，第一发光层或第二发光层为磷光发光层时，作为磷光发光层中所包含的主体材料，可以举出例如：咔唑衍生物、三唑衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、多芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、氨基取代查耳酮衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、茋衍生物、硅氮烷衍生物、芳香族叔胺化合物、苯乙烯基胺化合物、芳香族二甲叉系化合物、卟啉系化合物、蒽醌二甲烷衍生物、蒽酮衍生物、二苯基醌衍生物、噻喃二氧化物衍生物、碳二亚胺衍生物、亚芴基甲烷衍生物、二苯乙烯基吡嗪衍生物、和四羧酸酐(例如萘苝的四羧酸酐)、酞菁衍生物、各种金属络合物(例如8-羟基喹啉衍生物的金属络合物、金属酞菁、和以苯并噁唑或苯并噻唑作为配体的金属络合物)、聚硅烷系化合物、导电性高分子低聚物(例如聚(n-乙烯基咔唑)衍生物、苯胺系共聚物、噻吩低聚物、和聚噻吩等)、高分子化合物(例如聚噻吩衍生物、聚苯衍生物、聚苯乙烯撑衍生物、和聚芴衍生物等)等。
[0184]
主体材料可以单独使用，也可以并用2种以上。
[0185]
发光层可以仅包含1种主体材料，也可以包含2种以上主体材料。
[0186]
主体材料的含量没有特别限制。主体材料的含量例如相对于整个发光层，优选为80质量％以上且99.9质量％以下，更优选为90质量％以上且99.9质量％以下，进一步优选为95质量％以上且99.9质量％以下。
[0187]
·
掺杂剂材料
[0188]
发光层包含掺杂剂材料。掺杂剂材料优选为发光性高的物质，可以使用各种材料。例如，作为掺杂剂材料，可以使用发荧光的荧光发光性材料、发磷光的磷光发光性材料。荧光发光性材料是能够由单重态激发态发光的化合物，磷光发光性材料是能够由三重态激发态发光的化合物。
[0189]
本实施方式中，蓝色荧光发光层(第三发光层、以及第一发光层和第二发光层的至少一方)包含蓝色荧光发光性的化合物(以下也称为蓝色系的荧光发光性材料)作为掺杂剂材料。
[0190]
需要说明的是，第一发光层或第二发光层可以为蓝色荧光发光层以外的发光层，此时，可以包含蓝色系以外的荧光发光性材料，也可以包含各种颜色的磷光发光材料。
[0191]
作为蓝色系的荧光发光性材料，可以使用芘衍生物、苯乙烯基胺衍生物、衍生物、荧蒽衍生物、芴衍生物、单胺衍生物、二胺衍生物、和三芳基胺衍生物等。
[0192]
作为红色系的荧光发光性材料，可以使用例如并四苯衍生物、和二胺衍生物等。作为绿色系的荧光发光性材料，例如可以使用芳香族胺衍生物等。作为黄色系的荧光发光性材料，可以使用蒽衍生物、和荧蒽衍生物等。
[0193]
作为蓝色系的磷光发光材料，例如可以使用铱络合物、锇络合物和铂络合物等金
属络合物。作为绿色系的磷光发光材料，例如可以使用铱络合物等。作为红色系的磷光发光材料，例如可以使用铱络合物、铂络合物、铽络合物和铕络合物等金属络合物。作为黄色系的磷光发光性材料，可以使用铱络合物等。
[0194]
蓝色荧光发光层中所使用的蓝色系的荧光发光性材料优选为下述通式(1)所示的单胺衍生物、和二胺衍生物。
[0195]
【化4】
[0196][0197]
通式(1)中，a表示
[0198]
取代或未取代的成环碳数10～40的芳基、或者
[0199]
取代或未取代的成环碳数10～40的杂芳基。
[0200]
l
1
和l
2
各自独立地表示
[0201]
单键、
[0202]
取代或未取代的成环碳数6～12的芳基、或者
[0203]
取代或未取代的成环碳数5～12的杂芳基。
[0204]
ar
1
和ar
2
各自独立地表示
[0205]
取代或未取代的成环碳数6～25的芳基、或者
[0206]
取代或未取代的成环碳数3～25的杂芳基。
[0207]
n为1或2。
[0208]
作为具有取代基时的取代基的例子，表示
[0209]
取代或未取代的碳数1～20的烷基、
[0210]
取代或未取代的成环碳数6～25的芳基、
[0211]
取代或未取代的成环碳数7～25的芳烷基、
[0212]
取代或未取代的成环碳数3～25的环烷基、
[0213]
取代或未取代的碳数3～20的烷氧基、
[0214]
取代或未取代的成环碳数6～25的芳氧基、
[0215]
取代或未取代的成环碳数6～20的芳基氨基、
[0216]
氟原子、
[0217]
取代或未取代的碳数1～20的烷基氨基、或者
[0218]
氰基。
[0219]
以下记载上述通式(1)所示的单胺衍生物、和二胺衍生物的具体例。蓝色荧光发光层中所使用的掺杂剂材料(蓝色系的荧光发光性材料)不限定于这些具体例。
[0220]
【化5】
[0221][0222]
作为蓝色荧光发光层中所使用的掺杂剂材料(蓝色系的荧光发光性材料)，也优选为下述通式(d2)所示的化合物。
[0223]
【化6】
[0224][0225]
上述通式(d2)中，环α、环β、和环γ各自独立地选自由
[0226]
取代或未取代的成环碳数6～30的芳香族烃环、和
[0227]
取代或未取代的成环原子数5～30的芳香族杂环组成的组，
[0228]
r
a
和r
b
各自独立地选自由
[0229]
取代或未取代的成环碳数6～30的芳基、
[0230]
取代或未取代的成环原子数5～30的杂芳基、和
[0231]
取代或未取代的碳数1～20的烷基组成的组。
[0232]
r
a
可以直接或经由连接基团而与环α和环β的一方或双方键合。
[0233]
r
b
可以直接或经由连接基团而与环α和环γ的一方或双方键合。
[0234]
上述通式(d2)中，上述芳香族烃环的成环碳数优选为6～24，更优选为6～18。
[0235]
作为上述芳香族烃环，例如可以举出：苯环、联苯环、萘环、三联苯环(间三联苯环、邻三联苯环、对三联苯环)、蒽环、苊烯环、芴环、非那烯环、菲环、三亚苯环、荧蒽环、芘环、并四苯环、苝环、和并五苯环等。
[0236]
上述通式(d2)中，上述芳香族杂环的成环原子数优选为5～18，更优选为5～13。
[0237]
上述芳香族杂环包含至少1个(优选为1～5个)成环杂原子。该成环杂原子例如选自氮原子、硫原子和氧原子。
[0238]
作为上述芳香族杂环，例如可以举出：吡咯环、噁唑环、异噁唑环、噻唑环、异噻唑环、咪唑环、噁二唑环、噻二唑环、三唑环、四唑环、吡唑环、吡啶环、嘧啶环、哒嗪环、吡嗪环、三嗪环、吲哚环、异吲哚环、1h-吲唑环、苯并咪唑环、苯并噁唑环、苯并噻唑环、1h-苯并三唑环、喹啉环、异喹啉环、噌啉环、喹唑啉环、喹喔啉环、酞嗪环、萘啶环、嘌呤环、蝶啶环、咔唑环、吖啶环、吩噁噻(phenoxathiin)环、吩噁嗪环、吩噻嗪环、吩嗪环、吲嗪环、呋喃环、苯并呋喃环、异苯并呋喃环、二苯并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环、二苯并噻吩环、呋咱环、噁二唑环、和噻蒽环等。
[0239]
上述通式(d2)中，环α、环β、和环γ各自独立地优选为五元环或六元环。
[0240]
上述通式(d2)中，环α、环β、和环γ的表述为“取代或未取代的”时的取代基d各自独立地优选为选自由
[0241]
取代或未取代的成环碳数6～30的芳基、
[0242]
取代或未取代的成环原子数5～30的杂芳基、
[0243]
被选自由取代或未取代的成环碳数6～30的芳基和取代或未取代的成环原子数5～30的杂芳基组成的组中的至少1种基团所取代而成的二芳基氨基、二杂芳基氨基或芳基杂芳基氨基、
[0244]
取代或未取代的碳数1～20的烷基、
[0245]
取代或未取代的碳数1～20的烷氧基、和
[0246]
取代或未取代的碳数6～30的芳氧基组成的组中的至少1种的基团。
[0247]
上述通式(d2)中，环α、环β、和环γ的表述为“取代或未取代的”时的取代基d各自独立地更优选为选自由
[0248]
取代或未取代的成环碳数6～24的芳基、
[0249]
取代或未取代的成环原子数5～18的杂芳基、
[0250]
被选自由取代或未取代的成环碳数6～24的芳基和取代或未取代的成环原子数5～18的杂芳基组成的组中的至少1种基团所取代而成的二芳基氨基、二杂芳基氨基或芳基
杂芳基氨基、
[0251]
取代或未取代的碳数1～10的烷基、
[0252]
取代或未取代的碳数1～10的烷氧基、和
[0253]
取代或未取代的碳数6～24的芳氧基组成的组中的至少1种基团。
[0254]
上述通式(d2)中，环α、环β、和环γ的表述为“取代或未取代的”时的取代基d各自独立地进一步优选为选自由
[0255]
取代或未取代的成环碳数6～18的芳基、
[0256]
取代或未取代的成环原子数5～13的杂芳基、
[0257]
被选自由取代或未取代的成环碳数6～18的芳基和取代或未取代的成环原子数5～13的杂芳基组成的组中的至少1种基团所取代而成的二芳基氨基、二杂芳基氨基、或者芳基杂芳基氨基、
[0258]
取代或未取代的碳数1～6的烷基、
[0259]
取代或未取代的碳数1～6的烷氧基、和
[0260]
取代或未取代的碳数6～18的芳氧基组成的组中的至少1种基团。
[0261]
上述取代基d进一步具有取代基e时，取代基e各自独立地优选为选自由
[0262]
取代或未取代的成环碳数6～30的芳基、
[0263]
取代或未取代的成环原子数5～30的杂芳基、和
[0264]
取代或未取代的碳数1～20的烷基组成的组中的至少1种基团。
[0265]
上述取代基d进一步具有取代基e时，取代基e各自独立地更优选为选自由
[0266]
取代或未取代的成环碳数6～24的芳基、
[0267]
取代或未取代的成环原子数5～18的杂芳基、和
[0268]
取代或未取代的碳数1～10的烷基组成的组中的至少1种基团。
[0269]
上述取代基d进一步具有取代基e时，取代基e各自独立地进一步优选为选自由
[0270]
取代或未取代的成环碳数6～18的芳基、
[0271]
取代或未取代的成环原子数5～13的杂芳基、和
[0272]
取代或未取代的碳数1～6的烷基组成的组中的至少1种基团。
[0273]
上述通式(d2)中，环α、环β、和环γ上的相邻的2个取代基可以相互键合而形成取代或未取代的成环碳数6～30的芳香族烃环、或者取代或未取代的成环原子数5～30的芳香族杂环。
[0274]
上述通式(d2)中，环α、环β、和环γ上的相邻的2个取代基相互键合而形成环时，该环优选为取代或未取代的成环碳数6～24的芳香族烃环、或者取代或未取代的成环原子数5～18的芳香族杂环。
[0275]
上述通式(d2)中，环α、环β、和环γ上的相邻的2个取代基d相互键合而形成环时，该环更优选为
[0276]
取代或未取代的成环碳数6～18的芳香族烃环、或者
[0277]
取代或未取代的成环原子数5～13的芳香族杂环。
[0278]
上述通式(d2)中，作为环α、环β、和环γ上的相邻的2个取代基d相互键合而形成环时的该环的取代基f，可以举出与上述取代基e同样的基团，优选范围也同样。
[0279]
上述通式(d2)中，r
a
和r
b
各自独立地优选为选自由
[0280]
取代或未取代的成环碳数6～24的芳基、
[0281]
取代或未取代的成环原子数5～18的杂芳基、和
[0282]
取代或未取代的碳数1～10的烷基组成的组中的至少1种基团。
[0283]
上述通式(d2)中，r
a
和r
b
各自独立地更优选为选自由
[0284]
取代或未取代的成环碳数6～18的芳基、
[0285]
取代或未取代的成环原子数5～13的杂芳基、和
[0286]
取代或未取代的碳数1～6的烷基组成的组中的至少1种基团。
[0287]
通式(d2)中，上述连接基团为
[0288]-o-、-s-、或者-cr
c
r
d-，
[0289]
r
c
和r
d
各自独立地为
[0290]
氢原子、或者
[0291]
取代或未取代的碳数1～20的烷基。
[0292]
该取代或未取代的碳数1～20的烷基中的碳数优选为1～10，更优选为1～6。
[0293]
作为通式(d2)中的各取代基的具体例，可以举出在后述的“各取代基的说明”中记载的基团。
[0294]
作为通式(d2)中的“取代或未取代的成环碳数6～30的芳香族烃环”，除了在上文中列举的芳香族烃环以外，还可以使用在后述的“各取代基的说明”中记载的芳香族烃环。
[0295]
作为通式(d2)中的“取代或未取代的成环原子数5～30的芳香族杂环”，除了在上文中列举的芳香族杂环以外，还可以使用在后述的“各取代基的说明”中记载的芳香族杂环。
[0296]
作为蓝色荧光发光层中所使用的掺杂剂材料(蓝色系的荧光发光性材料)，也优选为下述通式(d3)所示的化合物。
[0297]
【化7】
[0298][0299]
通式(d3)中，
[0300]
r
11
～r
20
、和r
a1
～r
a10
各自独立地为氢原子或取代基，其中，r
11
和r
12
的组、r
12
和r
13
的组、r
13
和r
14
的组、r
14
和r
15
的组、r
15
和r
16
的组、r
17
和r
18
组、r
18
和r
19
的组、r
19
和r
20
的组、r
a1
和r
a2
的组、r
a2
和r
a3
的组、r
a3
和r
a4
的组、r
a4
和r
a5
、r
a6
和r
a7
的组、r
a7
和r
a8
的组、r
a8
和r
a9
的组、以及r
a9
和r
a10
中任一个以上的组相互键合而形成取代或未取代的成环原子数3～30的饱和或不饱和的环，
[0301]
作为取代基的r
11
～r
20
、和r
a1
～r
a10
各自独立地选自由
[0302]
取代或未取代的碳数1～30的烷基、
[0303]
取代或未取代的成环碳数3～30的环烷基、
[0304]
取代或未取代的碳数1～30的烷氧基、
[0305]
取代或未取代的碳数1～30的烷硫基、
[0306]
取代或未取代的氨基、
[0307]
取代或未取代的成环碳数6～30的芳基、
[0308]
取代或未取代的成环原子数5～30的杂环基、
[0309]
取代或未取代的碳数2～30的烯基、
[0310]
取代或未取代的成环碳数6～30的芳氧基、
[0311]
取代或未取代的成环碳数6～30的芳硫基、
[0312]
取代或未取代的膦基、
[0313]
取代或未取代的磷酰基、
[0314]
取代或未取代的甲硅烷基、
[0315]
取代或未取代的成环碳数6～30的芳基羰基、
[0316]
氰基、
[0317]
硝基、
[0318]
羧基、和
[0319]
卤素原子组成的组。
[0320]
对于在通式(d3)中“r
11
和r
12
的组、r
12
和r
13
的组、r
13
和r
14
的组、r
14
和r
15
的组、r
15
和r
16
的组、r
17
和r
18
组、r
18
和r
19
的组、r
19
和r
20
的组、r
a1
和r
a2
的组、r
a2
和r
a3
的组、r
a3
和r
a4
的组、r
a4
和r
a5
、r
a6
和r
a7
的组、r
a7
和r
a8
的组、r
a8
和r
a9
的组、以及r
a9
和r
a10
中的任一个以上的组”相互键合而形成上述饱和或不饱和的环的具体例进行说明。
[0321]
通式(d3)中，若以r
17
～r
20
为例，例如可以举出下述通式(d3-1)所示的局部结构。下述局部结构中，相互相邻的r
18
、r
19
和r
20
这3个相互键合而形成了环。需要说明的是，根据r
18
、r
19
、和r
20
的种类，下述通式(d3-1)所示的局部结构可以具有取代基。*表示键合位置。
[0322]
【化8】
[0323][0324]
另外，通式(d3)中，若以r
11
～r
16
为例，则可以举出例如下述通式(d3-2)所示的局部结构。下述局部结构中，r
12
和r
13
、以及r
14
和r
15
这2组相互键合而分别形成了2个环。需要说明的是，根据r
12
、r
13
、r
14
、和r
15
的种类，下述通式(d3-2)所示的局部结构可以具有取代基。*表示键合位置。
[0325]
【化9】
[0326][0327]
在一个实施方式中，作为形成上述环的方案，也可以举出通式(d3)中的r
12
和r
13
相互键合而形成取代或未取代的成环原子数3～30的饱和或不饱和的环的方案(以下也称为方案a)。
[0328]
其中，局部结构不限定于通式(d3-1)～(d3-2)所示的局部结构。另外，形成上述环的方案也不限于方案a。
[0329]
发光层可以仅包含1种掺杂剂材料，也可以包含2种以上。
[0330]
掺杂剂材料的含量没有特别限制。掺杂剂材料的含量例如相对于整个发光层，优
选为0.1质量％以上且20质量％以下，更优选为0.1质量％以上且10质量％以下，进一步优选为0.1质量％以上且5质量％以下。
[0331]
第一发光层的厚度(具有多层时为其总厚度)优选为5nm以上且100nm以下，更优选为10nm以上且80nm以下，进一步优选为15nm以上且60nm以。
[0332]
第二发光层的厚度(具有多层时为其总厚度)优选为5nm以上且100nm以下，更优选为10nm以上且80nm以下，进一步优选为15nm以上且60nm以下。
[0333]
第三发光层的厚度(具有多层时为其总厚度)优选为5nm以上且100nm以下，更优选为10nm以上且80nm以下，进一步优选为15nm以上且60nm以下。
[0334]
第一发光层、第二发光层、和第三发光层的厚度各自可以相同也可以不同。
[0335]
(空穴传输区域)
[0336]
各发光单元中，作为构成空穴传输区域的层，除了空穴传输层以外，还可以举出例如空穴注入层、和电子阻挡层等。
[0337]
·
空穴传输层
[0338]
空穴传输层是包含空穴传输性高的物质(空穴迁移率优选为10-6
cm
2
/[v
·
s]以上)的层。空穴传输层可以使用芳香族胺化合物、咔唑衍生物、和蒽衍生物等。空穴传输层具体来说可以使用4，4
’-
双[n-(1-萘基)-n-苯基氨基]联苯(简称：npb)、n，n
’-
双(3-甲基苯基)-n，n
’-
二苯基-[1，1
’-
联苯]-4，4
’-
二胺(简称：tpd)、4-苯基-4
’-
(9-苯基芴-9-基)三苯胺(简称：baflp)、4，4
’-
双[n-(9，9-二甲基芴-2-基)-n-苯基氨基]联苯(简称：dfldpbi)、4，4
’
，4
”-
三(n，n-二苯基氨基)三苯胺(简称：tdata)、4，4
’
，4
”-
三[n-(3-甲基苯基)-n-苯基氨基]三苯胺(简称：mtdata)、和4，4
’-
双[n-(螺-9，9
’-
二芴-2-基)-n-苯基氨基]联苯(简称：bspb)等芳香族胺化合物等。
[0339]
空穴传输层中也可以使用cbp、czpa、pczpa之类咔唑衍生物、和t-budna、dna、dpanth之类蒽衍生物。也可以使用聚(n-乙烯基咔唑)(简称：pvk)和聚(4-乙烯基三苯胺)(简称：pvtpa)等高分子化合物。
[0340]
其中，只要是空穴传输性高于电子传输性的物质，就可以使用这些以外的物质。需要说明的是，包含空穴传输性高的物质的层可以仅为单层的层，也可以设为由上述物质形成的层层叠二层以上而成的层。
[0341]
·
空穴注入层
[0342]
空穴注入层是包含空穴注入性高的物质的层。作为空穴注入性高的物质，可以使用钼氧化物、钛氧化物、钒氧化物、铼氧化物、钌氧化物、铬氧化物、锆氧化物、铪氧化物、钽氧化物、银氧化物、钨氧化物、和锰氧化物等。
[0343]
作为空穴注入性高的物质，也可以举出作为低分子有机化合物的4，4
’
，4
”-
三(n，n-二苯基氨基)三苯胺(简称：tdata)、4，4
’
，4
”-
三[n-(3-甲基苯基)-n-苯基氨基]三苯胺(简称：mtdata)、4，4
’-
双[n-(4-二苯基氨基苯基)-n-苯基氨基]联苯(简称：dpab)、4，4
’-
双(n-{4-[n
’-
(3-甲基苯基)-n
’-
苯基氨基]苯基}-n-苯基氨基)联苯(简称：dntpd)、1，3，5-三[n-(4-二苯基氨基苯基)-n-苯基氨基]苯(简称：dpa3b)、3-[n-(9-苯基咔唑-3-基)-n-苯基氨基]-9-苯基咔唑(简称：pczpca1)、3，6-双[n-(9-苯基咔唑-3-基)-n-苯基氨基]-9-苯基咔唑(简称：pczpca2)、和3-[n-(1-萘基)-n-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(简称：pczpcn1)等芳香族胺化合物等。
[0344]
作为空穴注入性高的物质，也可以使用高分子化合物(低聚物、树状高分子、聚合物等)。可以举出例如聚(n-乙烯基咔唑)(简称：pvk)、聚(4-乙烯基三苯胺)(简称：pvtpa)、聚[n-(4-{n
’-
[4-(4-二苯基氨基)苯基]苯基-n
’-
苯基氨基}苯基)甲基丙烯酰胺](简称：ptpdma)、和聚[n，n
’-
双(4-丁基苯基)-n，n
’-
双(苯基)联苯胺](简称：poly-tpd)等高分子化合物。另外，也可以使用聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(pedot/pss)、和聚苯胺/聚(苯乙烯磺酸)(pani/pss)等添加了酸的高分子化合物。
[0345]
(电子传输区域)
[0346]
各发光单元中，作为构成电子传输区域的层，除了电子传输层以外，还可以举出例如电子注入层、和空穴阻挡层等。
[0347]
·
电子传输层
[0348]
电子传输层是包含电子传输性高的物质(电子迁移率优选为10-6
cm
2
/[v
·
s]以上)的层。电子传输层中可以使用1)铝络合物、铍络合物、和锌络合物等金属络合物、2)咪唑衍生物、苯并咪唑衍生物、吖嗪衍生物、咔唑衍生物、和菲咯啉衍生物等杂芳香族化合物、3)高分子化合物。具体而言，作为低分子的有机化合物，可以使用alq、三(4-甲基-8-羟基喹啉)铝(简称：almq3)、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍(简称：bebq
2
)、balq、znq、znpbo、和znbtz等金属络合物等。另外，除了金属络合物以外，也可以使用2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(简称：pbd)、1，3-双[5-(对叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑-2-基]苯(简称：oxd-7)、3-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-5-(4-联苯基)-1，2，4-三唑(简称：taz)、3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-联苯基)-1，2，4-三唑(简称：p-ettaz)、红菲咯啉(简称：bphen)、浴铜灵(简称：bcp)、和4，4
’-
双(5-甲基苯并噁唑-2-基)茋(简称：bzos)等杂芳香族化合物。需要说明的是，只要是电子传输性高于空穴传输性的物质，则可以将上述以外的物质用作电子传输层。另外，电子传输层可以仅为单层的层，也可以设为由上述物质形成的层层叠二层以上而成的层。
[0349]
另外，电子传输层中也可以使用高分子化合物。例如，可以使用聚[(9，9-二己基芴-2，7-二基)-co-(吡啶-3，5-二基)](简称：pf-py)、和聚[(9，9-二辛基芴-2，7-二基)-co-(2，2
’-
联吡啶-6，6
’-
二基)](简称：pf-bpy)等。
[0350]
·
电子注入层
[0351]
电子注入层为包含电子注入性高的物质的层。电子注入层可以使用锂(li)、铯(cs)、钙(ca)、氟化锂(lif)、氟化铯(csf)、氟化钙(caf
2
)、和锂氧化物(lio
x
)等碱金属、碱土金属、或它们的化合物。另外，电子注入层中也可以使用使具有电子传输性的物质含有碱金属、碱土金属、或它们的化合物而成的材料，具体地可以使用使alq中含有镁(mg)而成的材料等。需要说明的是，此时，能够更高效地进行自阴极的电子注入。
[0352]
或者，也可以将混合有机化合物和供电子体(供体)而成的复合材料用于电子注入层。这样的复合材料由于供电子体而在有机化合物中产生电子，因此电子注入性和电子传输性优异。此时，作为有机化合物，优选为所产生的电子的传输优异的材料，具体地，例如可以使用上述的构成电子传输层的物质(金属络合物、杂芳香族化合物等)。作为供电子体，只要是对有机化合物表现出供电子性的物质即可。作为供电子体，具体地，优选碱金属、碱土金属和稀土金属，可以举出锂、铯、镁、钙、铒和镱等。另外，作为供电子体，优选碱金属氧化物和碱土金属氧化物，可以举出锂氧化物、钙氧化物和钡氧化物等。另外，也可以使用氧化
镁之类的路易斯碱。另外，也可以使用四硫富瓦烯(简称：ttf)等有机化合物。
[0353]
第一发光单元具有第一电子传输区域时，第一电子传输区域的厚度(由多层形成时指其总厚度)优选为0nm以上且200nm以下，更优选为0nm以上且150nm以下，进一步优选为0nm以上且100nm以下，进一步优选为5nm以上且100nm以下。
[0354]
第二发光单元具有第二电子传输区域时，第二电子传输区域的厚度(由多层形成时指其总厚度)优选为0nm以上且200nm以下，更优选为0nm以上且150nm以下，进一步优选为0nm以上且100nm以下，进一步优选为5nm以上且100nm以下。
[0355]
第三发光单元具有第三电子传输区域时，第三电子传输区域的厚度(由多层形成时指其总厚度)优选为0nm以上且200nm以下，更优选为0nm以上且150nm以下，进一步优选为0nm以上且100nm以下，进一步优选为5nm以上且100nm以下。
[0356]
(第一电荷产生层、和第二电荷产生层)
[0357]
第一电荷产生层包含位于阳极侧的第一n层和位于阴极侧的第一p层。
[0358]
第二电荷产生层包含位于阳极侧的第二n层和位于阴极侧的第二p层。
[0359]
需要说明的是，第一电荷产生层可以在第一n层和第一p层之间具有其他层(例如有机层、金属层、和金属氧化物层等)。第二电荷产生层也同样地可以在第二n层和第二p层之间具有上述其他层。
[0360]
·
n层
[0361]
n层优选包含缺π电子性化合物和给电子性材料。
[0362]
·
缺π电子性化合物
[0363]
作为缺π电子性化合物，例如可以举出可与金属原子配位的化合物等。具体来说，可以举出菲咯啉系化合物、苯并咪唑系化合物、和羟基喹啉等。
[0364]
作为菲咯啉系化合物，优选为下述式(i
’
)～(iii
’
)所示的化合物。其中，优选为下述式(i
’
)或(ii
’
)所示的化合物。
[0365]
【化10】
[0366][0367]
上述式(i
’
)～(iii
’
)中，r
1a
～r
7a
、r
1b
～r
7b
、和r
1c
～r
6c
各自独立地为氢原子、
[0368]
取代或未取代的成环碳数6～30的芳基、
[0369]
取代或未取代的吡啶基、
[0370]
取代或未取代的喹啉基、
[0371]
取代或未取代的碳数1～30的烷基、
[0372]
取代或未取代的成环碳数3～30的环烷基、
[0373]
取代或未取代的碳数7～30的芳烷基、
[0374]
取代或未取代的碳数1～30的烷氧基、
[0375]
取代或未取代的成环碳数6～30的芳氧基、
[0376]
取代或未取代的成环碳数6～30的芳硫基、
[0377]
取代或未取代的碳数2～30的烷氧羰基、
[0378]
被取代或未取代的成环碳数6～30的芳基取代的氨基、
[0379]
卤素原子、
[0380]
氰基、
[0381]
硝基、
[0382]
羟基、或者
[0383]
羧基。
[0384]
r
1a
～r
7a
、r
1b
～r
7b
、或者r
1c
～r
6c
之中，相邻基团可以相互键合而形成环。作为环的例子，可以举出苯环、萘环、吡嗪环、吡啶环、和呋喃环等。
[0385]
l
1a
和l
1b
各自独立地为单键或连接基团。作为连接基团的l
1a
和l
1b
各自独立地可以举出取代或未取代的成环碳数6～20的芳香族基团、取代或未取代的碳数1～8的亚烷基链、取代或未取代的杂环。具体而言，优选为取代或未取代的苯环、取代或未取代的萘环、取代或未取代的亚甲基链、或者取代或未取代的吡啶环。
[0386]
ar
1a
、ar
1b
、ar
1c
和ar
2c
各自独立地为取代或未取代的成环碳数6～30的芳香族基团。
[0387]
n为1～4，在n为2以上的情况下，括弧内的具有菲咯啉骨架的基团可以相同也可以不同。
[0388]
以下示出式(i
’
)～(iii
’
)所示的化合物的具体例。
[0389]
【化11】
[0390][0391]
·
给电子性材料
[0392]
作为给电子性材料，可以举出给电子性金属单质、以及金属化合物和金属络合物。作为给电子性材料，具体来说，优选为含有碱金属、碱金属化合物、包含碱金属的有机金属络合物、碱土金属、碱土金属化合物、包含碱土金属的有机金属络合物、稀土金属、稀土金属化合物和包含稀土金属的有机金属络合物之中的至少1种的层。其中，优选含有碱金属、碱土金属、稀土金属的单质、稀土金属的化合物和稀土金属的络合物之中的至少1种。
[0393]
·
p层
[0394]
p层是包含受主材料的层。p层也可以是掺杂了受主材料的层(p掺杂层)。
[0395]
受主材料为有机材料时，作为受主材料，例如可以举出：下述通式(i)所示的化合物(茚并芴二酮衍生物)、和下述通式(iii)所示的化合物等。
[0396]
受主材料为无机材料时，作为受主材料，可以举出氧化钼(moo
3
)、氧化钒(v
2
o
5
)、和透明氧化物(例如ito和izo等)等。
[0397]
另外，也可以从在上述空穴注入层的项目中例示的“空穴注入性高的物质”中适当选择使用受主材料。
[0398]
需要说明的是，第一空穴传输区域、第二空穴传输区域、和第三空穴传输区域是指不包含受主材料的区域。
[0399]
作为p层中所使用的受主材料，例如可以使用下述通式(i)所示的化合物(茚并芴二酮衍生物)。
[0400]
【化12】
[0401][0402]
通式(i)中，ar
1
为核碳数6～24的芳环或核原子数5～24的杂环，优选为核碳数6～14的芳环或核原子数5～14的杂环。作为芳环，可以举出苯环、萘环、芴环、9，9-二甲基芴环、和9，9-二辛基芴环等。作为杂环，可以举出吡嗪环、吡啶环、喹喔啉环、噻吩环、苯并噻吩环、二苯并噻吩环、呋喃环、苯并呋喃环、二苯并呋喃环、菲咯啉环、萘啶环、和四氮杂蒽环等。
[0403]
上述芳环和杂环可以被以下记载的r
1
～r
4
所取代。
[0404]
需要说明的是，“核碳”是指，构成芳环的碳原子，“核原子”是指，构成杂环(包括饱和环、不饱和环和芳香族杂环)的碳原子和杂原子。
[0405]
rg
1
和rg
2
各自相互可以相同也可以不同，为下述通式(i)或通式(ii)。
[0406]
【化13】
[0407][0408]
通式(i)和通式(ii)中，x
1
和x
2
相互可以相同也可以不同，为下述通式(a)～(g)所示的二价基团中的任一种。)
[0409]
【化14】
[0410][0411]
上述通式(a)～(g)中，r
21
～r
24
各自相互可以相同也可以不同，为氢原子、取代或未取代的氟代烷基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂环基，r
22
和r
23
可以相互键合而形成环。
[0412]
y
1
～y
4
相互可以相同也可以不同，为-n＝、-ch＝、或者c(r
5
)＝，r
5
与后述的r
1
～r
4
含义相同。r
1
～r
5
之中相互相邻的基团可以相互键合而形成环。
[0413]
通式(i)中，r
1
～r
4
各自相互可以相同也可以不同，为氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环基、卤素原子、取代或未取代的氟代烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的氟烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的芳烷氧基、取代或未取代的氨基、取代或未取代的甲硅烷基、或者氰基。r
1
和r
2
可以相互键合而形成环。r
3
和r
4
可以相互键合而形成环。
[0414]
作为p层中所使用的受主材料，例如也可以使用下述通式(iii)所示的化合物。
[0415]
【化15】
[0416][0417]
通式(iii)中，r
1c
～r
6c
各自独立地为氢原子、取代或未取代的成环碳数6～30的芳基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的碳数1～30的烷基、取代或未取代的碳数3～30的环烷基、取代或未取代的成环碳数7～50的芳烷基、取代或未取代的碳数1～30的烷氧基、取代或未取代的成环碳数6～30的芳氧基、取代或未取代的成环碳数6～30的芳硫基、取代或未取代的碳数2～30的烷氧羰基、被取代或未取代的成环碳数6～30的芳基所取代的氨基、卤素原子、氰基、硝基、羟基、或者羧基。
[0418]
<基板>
[0419]
基板被用作发光元件的支撑体。作为基板，例如可以使用玻璃、石英和塑料等。另外，也可以使用挠性基板。挠性基板是指能够弯折(柔性)的基板，例如可以举出聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚砜、聚丙烯、聚酯、聚氟乙烯、和聚氯乙烯所形成的塑料基板等。另外，也可以使用无机蒸镀膜。
[0420]
<阳极>
[0421]
形成在基板上的阳极优选使用功函数大的(具体为4.0ev以上)金属、合金、导电性化合物和它们的混合物等。具体而言，例如可以举出氧化铟-氧化锡(ito：indium tin oxide，铟锡氧化物)；含有硅或氧化硅的氧化铟-氧化锡；氧化铟-氧化锌；含有氧化钨和氧化锌的氧化铟；石墨烯等。此外，可以举出金(au)、铂(pt)、镍(ni)、钨(w)、铬(cr)、钼(mo)、铁(fe)、钴(co)、铜(cu)、钯(pd)、钛(ti)、或者金属材料的氮化物(例如氮化钛)等。
[0422]
这些材料通常通过溅射法进行成膜。例如，氧化铟-氧化锌可以通过使用相对于氧化铟加入了1～10wt％的氧化锌的靶利用溅射法而形成；含有氧化钨和氧化锌的氧化铟可以通过使用相对于氧化铟含有0.5～5wt％氧化钨和0.1～1wt％氧化锌的靶利用溅射法而形成。另外，也可以通过真空蒸镀法、涂布法、喷墨法、旋涂法等进行制作。
[0423]
形成在阳极上的el层之中，与阳极相接地形成的空穴注入层使用与阳极的功函数无关地容易进行空穴(hole)注入的复合材料形成，因此可以使用能够作为电极材料的材料(例如金属、合金、导电性化合物、和它们的混合物，此外也包括属于元素周期表的第一族或第二族的元素)。
[0424]
还可以使用作为功函数小的材料的属于元素周期表的第一族或第二族的元素、即锂(li)和铯(cs)等碱金属、镁(mg)、钙(ca)和锶(sr)等碱土金属、以及包含它们的合金(例如mgag、alli)、铕(eu)和镱(yb)等稀土金属以及包含它们的合金等。需要说明的是，使用碱金属、碱土金属、以及包含它们的合金来形成阳极时，可以使用真空蒸镀法、溅射法。此外，在使用银浆等时，可以使用涂布法、喷墨法等。
[0425]
有机el元件为底发射型时，阳极优选由可透过来自发光层的光的具有透光性或半透光性的金属材料形成。在本说明书中，透光性或半透光性是指，透过从发光层发出的光50％以上(优选为80％以上)的性质。具有透光性或半透光性的金属材料可以从在上述阳极的项目中列举的材料中适当选择使用。
[0426]
有机el元件为顶发射型时，阳极为具有反射层的反射性电极。反射层优选由具有光反射性的金属材料形成。在本说明书中，光反射性是指，将从发光层发出的光50％以上(优选为80％以上)反射的性质。具有光反射性的金属材料可以从在上述阳极的项目中列举的材料中适当选择使用。
[0427]
阳极可以仅由反射层构成，也可以为具有反射层和导电层(优选为透明导电层)的多层结构。阳极具有反射层和导电层时，优选在反射层和空穴传输区域之间配置该导电层。导电层可以从在上述阳极的项目中列举的材料中适当选择使用。
[0428]
<阴极>
[0429]
阴极优选利用功函数小的(具体地为3.8ev以下)金属、合金、导电性化合物、和它们的混合物等。作为这样的阴极材料的具体例，可以举出属于元素周期表的第一族或第二族的元素、即锂(li)和铯(cs)等碱金属、镁(mg)、钙(ca)和锶(sr)等碱土金属、以及包含它们的合金(例如mgag、alli)、铕(eu)和镱(yb)等稀土金属以及包含它们的合金等。
[0430]
需要说明的是，在使用碱金属、碱土金属、包含它们的合金来形成阴极的情况下，可以使用真空蒸镀法、溅射法。另外，在使用银浆等的情况下，可以使用涂布法、喷墨法等。
[0431]
需要说明的是，通过设置电子注入层，可以与功函数的大小无关地使用al、ag、ito、石墨烯、含有硅或氧化硅的氧化铟-氧化锡等各种导电性材料来形成阴极。这些导电性材料可以使用溅射法、喷墨法、旋涂法等进行成膜。
[0432]
有机el元件为底发射型时，阴极为反射性电极。反射性电极优选由具有光反射性的金属材料形成。具有光反射性的金属材料可以从在上述阴极的项目中列举的材料中适当选择使用。
[0433]
有机el元件为顶发射型时，阴极优选由可透过来自发光层的光的具有透光性或半透光性的金属材料形成。具有透光性或半透光性的金属材料可以从在上述阴极的项目中列
举的材料中适当选择使用。
[0434]
<封盖层(capping layer)>
[0435]
有机el元件为顶发射型时，有机el元件通常在阴极的上部具备封盖层。
[0436]
作为封盖层，例如可以使用高分子化合物、金属氧化物、金属氟化物、金属硼化物、氮化硅、和硅化合物(硅氧化物等)等。
[0437]
另外，也可以将芳香族胺衍生物、蒽衍生物、芘衍生物、芴衍生物、或者二苯并呋喃衍生物用于封盖层。
[0438]
另外，将包含这些物质的层层叠而成的层叠体也可以用作封盖层。
[0439]
(层厚)
[0440]
有机el元件中，设置于阳极和阴极之间的发光层等的层厚除了在上文中有特别规定的以外，没有特别限制，一般而言若层厚过薄，则容易产生针孔等缺陷，反之若过厚则需要高的施加电压从而效率变差，因此通常优选为几nm至1μm的范围。
[0441]
(有机el元件的制造方法)
[0442]
关于有机el元件的制造方法，没有特别限制，可以使用以往的有机el元件所使用的制造方法进行制造。具体来说，可以在基板上通过真空蒸镀法、流延法、涂布法、旋涂法等形成各层。
[0443]
另外，除了使用在聚碳酸酯、聚氨酯、聚苯乙烯、聚芳酯和聚酯等透明聚合物上分散有各层的有机材料的溶液的流延法、涂布法、旋涂法来形成以外，也可以通过有机材料与透明聚合物的同时蒸镀等来形成。
[0444]
〔第二实施方式〕
[0445]
第二实施方式的有机el元件是在各发光单元之中，第三发光单元的空穴传输区域(第三空穴传输区域)包含2层以上的空穴传输层的有机el元件。在其他方面，与第一实施方式的有机el元件同样，因此省略或简化说明。
[0446]
据认为，第二实施方式的有机el元件中，第三空穴传输区域包含2层以上的空穴传输层，由此能够有效地从第二电荷产生层进行空穴注入。
[0447]
此处，空穴传输层有时也具有电子阻挡功能，因此有时被称为电子阻挡层。
[0448]
空穴传输层中所包含的材料通常具有激子耐性，因此，通过在第三空穴传输区域中配置2层以上的空穴传输层，能够抑制空穴传输层与第三发光层的界面的劣化。由此，更易于提高有机el元件的寿命。
[0449]
另外，空穴传输层中所包含的材料通常比第三发光层中所包含的主体材料(例如实施例中使用的化合物bh)能隙更大，因此，通过在第三空穴传输区域中配置2层以上的空穴传输层，能够有效地将第三发光层的发光能量封闭而抑制发光能量的失活。由此，还易于提高发光效率。
[0450]
因此，根据第二实施方式的有机el元件，能够使驱动电压下降、使寿命提高。另外，也可期待发光效率(优选为蓝色荧光发光的发光效率)的提高。
[0451]
从进一步体现本实施方式的效果的观点出发，第三发光单元的空穴传输区域(第三空穴传输区域)优选由2层以上(优选为2层以上且4层以下)形成，更优选由2层形成。具体来说，更优选由2层空穴传输层形成。
[0452]
从进一步体现本实施方式的效果的观点出发，第二发光单元的空穴传输区域(第
二空穴传输区域)优选由2层以上(优选为2层以上且4层以下)形成，更优选由2层形成。具体来说，更优选由2层空穴传输层形成。
[0453]
第一发光单元的空穴传输区域(第一空穴传输区域)优选由3层以上(优选为3层以上且5层以下)形成，更优选由3层形成。具体来说，优选由与阳极侧相接的1层空穴注入层和层叠于空穴注入层上的2层空穴传输层形成。
[0454]
图3是表示第二实施方式的有机el元件的一例的大致构成的图。
[0455]
图3所表示的有机el元件相对于图1所表示的有机el元件1，在第三空穴传输区域和第二空穴传输区域包含2层空穴传输层、第一空穴传输区域包含1层空穴注入层和2层空穴传输层这些方面与第一实施方式的有机el元件不同。
[0456]
具体来说，有机el元件2是在基板11上依次层叠阳极12、第一发光单元13a、第一电荷产生层14、第二发光单元15a、第二电荷产生层16、第三发光单元17a、和阴极18而构成的。
[0457]
第三空穴传输区域171的厚度d
3
(d
31
和d
32
的合计)为10nm以上且30nm以下，比第二n层161的厚度dn更薄。
[0458]
第三空穴传输区域171从阳极侧起依次包含第一空穴传输层171a、和第二空穴传输层171b，第一空穴传输层171a与第二电荷产生层16的p层162相接。
[0459]
第二空穴传输区域151从阳极侧起依次包含第一空穴传输层151a、和第二空穴传输层151b，第一空穴传输层151a与第一电荷产生层14的p层142相接。
[0460]
第一空穴传输区域131从阳极侧起依次包含空穴注入层131c、第一空穴传输层131a和第二空穴传输层131b，空穴注入层131c与阳极12相接。
[0461]
各空穴传输区域中的第一空穴传输层的厚度(图3中为d
11
、d
21
、和d
31
)各自独立地优选为2nm以上且38nm以下，更优选为5nm以上且25nm以下，进一步优选为5nm以上且15nm以下。
[0462]
各空穴传输区域中的第二空穴传输层的厚度(图3中为d
12
、d
22
、和d
32
)各自独立地优选为2nm以上且38nm以下，更优选为5nm以上且25nm以下，进一步优选为5nm以上且15nm以下。
[0463]
各空穴传输区域中的第二空穴传输层的厚度相对于第一空穴传输层的厚度之比(图3中为d
12
/d
11
、d
22
/d
21
、和d
32
/d
31
)各自独立地优选为0.05以上且19以下，更优选为0.2个以上且5以下，进一步优选为0.3以上且3以下。
[0464]
〔第三实施方式〕
[0465]
[电子设备]
[0466]
本实施方式的电子设备搭载了第一实施方式或第二实施方式的有机el元件。作为电子设备，可以举出例如显示装置和发光装置等。作为显示装置，可以举出例如显示部件(例如有机el面板模块等)、电视、移动电话、平板电脑、和个人电脑等。作为发光装置，可以举出例如照明和车辆用灯具等。
[0467]
根据本实施方式的电子设备，由于搭载了本实施方式的有机el元件，因而能够使驱动电压下降、使寿命提高。
[0468]
在本说明书中，使用“～”表示的数值范围是指，以“～”之前记载的数值作为下限值、以“～”之后记载的数值作为上限值而包含的范围。
[0469]
在本说明书中，rx和ry相互键合而形成环是指，例如rx和ry包含碳原子、氮原子、
氧原子、硫原子或硅原子，rx中所包含的原子(碳原子、氮原子、氧原子、硫原子或硅原子)与ry中所包含的原子(碳原子、氮原子、氧原子、硫原子或硅原子)经由单键、双键、三键、或者二价的连接基团键合，而形成成环碳数为5以上的环(具体来说，杂环或芳香族烃环)。x是数字、文字、或者、数字与文字的组合。y为数字、文字、或者、数字与文字的组合。
[0470]
作为二价的连接基团，没有特别限制，可以举出例如-o-、-co-、-co
2-、-s-、-so-、-so
2-、-nh-、-nra-、和2个以上这些连接基团组合而成的基团等。
[0471]
作为杂环的具体例，可以举出从在后述的“对于通式中的各取代基的说明”中例示的“成环原子数5～30的杂芳基”去除连接键而成的环结构(杂环)。这些杂环可以具有取代基。
[0472]
作为芳香族烃环的具体例，可以举出从在后述的“对于通式中的各取代基的说明”中例示的“成环碳数6～30的芳基”去除连接键而成的环结构(芳香族烃环)。这些芳香族烃环可以具有取代基。
[0473]
作为ra，可以举出例如取代或未取代的碳数1～30的烷基、取代或未取代的成环碳数6～30的芳基、取代或未取代的成环原子数5～30的杂芳基等。
[0474]
例如，rx和ry相互键合而形成环是指，下述通式(e1)所示的分子结构中，rx
1
中所包含的原子与ry
1
中所包含的原子形成通式(e2)所示的环(环结构)e；通式(f1)所示的分子结构中，rx
1
中所包含的原子与ry
1
中所包含的原子形成由通式(f2)表示的环f；通式(g1)所示的分子结构中，rx
1
中所包含的原子与ry
1
中所包含的原子形成通式(g2)所示的环g；通式(h1)所示的分子结构中，rx
1
中所包含的原子与ry
1
中所包含的原子形成通式(h2)所示的环h；通式(i1)所示的分子结构中，rx
1
中所包含的原子与ry
1
中所包含的原子形成通式(i2)所示的环i。
[0475]
通式(e1)～(i1)中，*各自独立地表示与一分子中的其他原子的键合位置。通式(e1)中的2个*分别对应于通式(e2)中的2个*，通式(f1)中的2个*分别对应于通式(f2)中的2个*，通式(g1)中的2个*分别对应于通式(g2)中的2个*，通式(h1)中的2个*分别对应于通式(h2)中的2个*，通式(i1)中的2个*分别对应于通式(i2)中的2个*。
[0476]
【化16】
[0477][0478]
【化17】
[0479][0480]
通式(e2)～(i2)所示的分子结构中，e～i各自表示环结构(上述成环原子数为5以上的环)。通式(e2)～(i2)中，*各自独立地表示与一分子中的其他原子的键合位置。通式(e2)中的2个*分别对应于通式(e1)中的2个*。通式(f2)～(i2)中的2个*也同样地分别对应于通式(f1)～(i1)中的2个*。
[0481]
例如，通式(e1)中，rx
1
和ry
1
相互键合而形成通式(e2)中的环e且环e为未取代的苯环时，通式(e1)所示的分子结构成为下述通式(e3)所示的分子结构。此处，通式(e3)中的2个*各自独立地对应于通式(e2)和通式(e1)中的2个*。
[0482]
例如，通式(e1)中，rx
1
和ry
1
相互键合而形成通式(e2)中的环e且环e为未取代的吡咯环时，通式(e1)所示的分子结构成为下述通式(e4)所示的分子结构。此处，通式(e4)中的2个*各自独立地对应于通式(e2)和通式(e1)中的2个*。通式(e3)和(e4)中，*各自独立地表示与一分子中的其他原子的键合位置。
[0483]
【化18】
[0484][0485]
本说明书中，成环碳数表示，原子键合成环状的结构的化合物(例如单环化合物、稠环化合物、桥环化合物、碳环化合物、杂环化合物)的构成该环自身的原子之中的碳原子的数量。在该环被取代基取代的情况下，取代基中含有的碳不包含在成环碳数中。下文中记载的“成环碳数”只要没有特别注明就是相同含义。例如苯环的成环碳数为6，萘环的成环碳数为10，吡啶基的成环碳数为5，呋喃基的成环碳数为4。另外，在苯环、萘环上作为取代基取代有例如烷基的情况下，该烷基的碳数不包含在成环碳数的数量中。另外，在芴环上作为取
代基键合有例如芴环的情况下(包括螺芴环)，作为取代基的芴环的碳数不包括在成环碳数的数量中。
[0486]
本说明书中，成环原子数表示原子键合成环状的结构(例如单环、稠环、集合环)的化合物(例如单环化合物、稠环化合物、桥环化合物、碳环化合物、杂环化合物)的构成该环自身的原子的数量。不构成环的原子、该环被取代基取代时的取代基中所含原子不包括在成环原子数中。下文记载的“成环原子数”只要没有特别注明就是相同含义。例如，吡啶环的成环原子数为6，喹唑啉环的成环原子数为10，呋喃环的成环原子数为5。分别键合于吡啶环、喹唑啉环的碳原子上的氢原子、取代基的构成原子不包括在成环原子数的数量中。另外，在芴环上键合有作为取代基的例如芴环的情况下(包括螺芴环)，作为取代基的芴环的原子数不包括在成环原子数的数量中。
[0487]
·
本说明书中的对于通式中的各取代基的说明(各取代基的说明)
[0488]
作为本说明书中的成环碳数6～30的芳基(有时称为芳香族烃基)，可以举出例如苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、芴基、芘基、基、荧蒽基、苯并[a]蒽基、苯并[c]菲基、三亚苯基、苯并[k]荧蒽基、苯并[g]基、苯并[b]三亚苯基、苉基、和苝基等。
[0489]
作为本说明书中的芳基，成环碳数优选为6～20，更优选为6～14，进一步优选为6～12。上述芳基之中进一步更优选为苯基、联苯基、萘基、菲基、三联苯基、芴基。对于1-芴基、2-芴基、3-芴基和4-芴基，优选在9位的碳原子上取代有后述的本说明书中的取代或未取代的碳数1～30的烷基、取代或未取代的成环碳数6～18的芳基。
[0490]
作为本说明书中的成环原子数5～30的杂芳基(有时称为杂环基、杂芳香族环基、或者芳香族杂环基)，作为杂原子，优选包含选自由氮、硫、氧、硅、硒原子、和锗原子组成的组中的至少一种原子，更优选包含选自由氮、硫、和氧组成的组中的至少一种原子。
[0491]
作为本说明书中的成环原子数5～30的杂环基，可以举出例如：吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、萘啶基、酞嗪基、喹喔啉基、喹唑啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、吲哚基、苯并咪唑基、吲唑基、咪唑并吡啶基、苯并三唑基、咔唑基、呋喃基、噻吩基、噁唑基、噻唑基、异噁唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噁唑基、苯并异噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、哌啶基、吡咯烷基、哌嗪基、吗啉基、吩嗪基、吩噻嗪基、和吩噁嗪基等。
[0492]
本说明书中的杂环基的成环原子数优选为5～20，更优选为5～14。上述杂环基之中，进一步更优选为1-二苯并呋喃基、2-二苯并呋喃基、3-二苯并呋喃基、4-二苯并呋喃基、1-二苯并噻吩基、2-二苯并噻吩基、3-二苯并噻吩基、4-二苯并噻吩基、1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基、4-咔唑基、和9-咔唑基。对于1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基和4-咔唑基，优选在9位的氮原子上取代有本说明书中的取代或未取代的成环碳数6～30的芳基、取代或未取代的成环原子数5～30的杂环基。
[0493]
另外，在本说明书中，杂环基可以为例如从下述通式(xy-1)～(xy-18)所示的局部结构所衍生的基团。
[0494]
【化19】
[0495][0496]
【化20】
[0497][0498]
【化21】
[0499][0500]
上述通式(xy-1)～(xy-18)中，x
a
和y
a
各自独立地为杂原子，优选为氧原子、硫原
子、硒原子、硅原子、或者锗原子。上述通式(xy-1)～(xy-18)所示的局部结构在任选的位置具有连接键而形成杂环基，该杂环基可以具有取代基。
[0501]
另外，在本说明书中，作为取代或未取代的咔唑基，例如也可以包括下述通式(xy-19)～(xy-22)所示那样的对咔唑环进一步稠合环而成的基团。这样的基团也可以具有取代基。另外，连接键的位置也可以适当变更。
[0502]
【化22】
[0503][0504]
作为本说明书中的碳数1～30的烷基，可以为直链、支链或环状中的任意种。另外，可以为卤代烷基。
[0505]
作为直链或支链的烷基，可以举出例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、新戊基、戊基、异戊基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、1-戊基己基、1-丁基戊基、1-庚基辛基、和3-甲基戊基等。
[0506]
本说明书中的直链或支链的烷基的碳数优选为1～10，进一步优选为1～6。上述直链或支链的烷基之中，进一步更优选为甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、正己基、戊基、异戊基、和新戊基。
[0507]
作为本说明书中的环状的烷基，可以举出例如成环碳数3～30的环烷基。
[0508]
作为本说明书中的成环碳数3～30的环烷基，可以举出环丙基、环丁基、环戊基、环己基、4-甲基环己基、金刚烷基、和降冰片基等。环烷基的成环碳数优选为3～10，进一步优选为5～8。上述环烷基之中，进一步更优选为环戊基、环己基。
[0509]
作为本说明书中的烷基经卤素原子取代而成的卤代烷基，可以举出例如上述碳数1～30的烷基被1个以上的卤素原子、优选为氟原子取代而成的基团。
[0510]
作为本说明书中的碳数1～30的卤代烷基，可以举出氟甲基、二氟甲基、三氟甲基、氟乙基、三氟甲基甲基、三氟乙基、和五氟乙基等。
[0511]
作为本说明书中的取代甲硅烷基，可以举出例如碳数3～30的烷基甲硅烷基、和成环碳数6～30的芳基甲硅烷基。
[0512]
作为本说明书中的碳数3～30的烷基甲硅烷基，可以举出具有在上述碳数1～30的烷基中例示的烷基的三烷基甲硅烷基，具体而言，三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三正丁基甲硅烷基、三正辛基甲硅烷基、三异丁基甲硅烷基、二甲基乙基甲硅烷基、二甲基异丙基甲硅烷基、二甲基正丙基甲硅烷基、二甲基正丁基甲硅烷基、二甲基叔丁基甲硅烷基、二乙基异丙基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、和三异丙基甲硅烷基等。三烷基甲硅烷基中的3个烷基相互可以相同也可以不同。
[0513]
作为本说明书中的成环碳数6～30的芳基甲硅烷基，可以举出例如二烷基芳基甲
硅烷基、烷基二芳基甲硅烷基、和三芳基甲硅烷基。
[0514]
二烷基芳基甲硅烷基可以举出例如具有2个在上述碳数1～30的烷基中例示的烷基、具有1个上述成环碳数6～30的芳基的二烷基芳基甲硅烷基。二烷基芳基甲硅烷基的碳数优选为8～30。
[0515]
烷基二芳基甲硅烷基可以举出例如具有1个在上述碳数1～30的烷基中例示的烷基、具有2个上述成环碳数6～30的芳基的烷基二芳基甲硅烷基。烷基二芳基甲硅烷基的碳数优选为13～30。
[0516]
三芳基甲硅烷基可以举出例如具有3个上述成环碳数6～30的芳基的三芳基甲硅烷基。三芳基甲硅烷基的碳数优选为18～30。
[0517]
在本说明书中，烷基磺酰基由-so
2
r
w
表示。-so
2
r
w
中的r
w
表示取代或未取代的烷基。
[0518]
作为本说明书中的取代或未取代的碳数1～30的烷基磺酰基，可以举出上述-so
2
r
w
中的r
w
为取代或未取代的上述碳数1～30的烷基的基团。
[0519]
在本说明书中，芳烷基(有时称为芳基烷基(arylalkyl))中的芳基为芳香族烃基、或者杂环基。
[0520]
作为本说明书中的碳数7～30的芳烷基，优选为具有成环碳数6～30的芳基的基团，表示为-z
3-z
4
。作为该z
3
的例子，可以举出与上述碳数1～30的烷基对应的亚烷基等。作为该z
4
的例子，可以举出例如上述成环碳数6～30的芳基的例子。该芳烷基优选芳基部分为碳数6～30(优选为6～20，更优选为6～12)、烷基部分为碳数1～30(优选为1～20，更优选为1～10，进一步优选为1～6)。作为该芳烷基，可以举出例如：苄基、2-苯基丙烷-2-基、1-苯基乙基、2-苯基乙基、1-苯基异丙基、2-苯基异丙基、苯基叔丁基、α-萘基甲基、1-α-萘基乙基、2-α-萘基乙基、1-α-萘基异丙基、2-α-萘基异丙基、β-萘基甲基、1-β-萘基乙基、2-β-萘基乙基、1-β-萘基异丙基、和2-β-萘基异丙基等。
[0521]
本说明书中的碳数1～30的烷氧基表述为-oz
1
。作为该z
1
的例子，可以举出上述碳数1～30的烷基。烷氧基可以举出例如甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、和己氧基等。烷氧基的碳数优选为1～20。
[0522]
作为烷氧基经卤素原子取代而成的卤代烷氧基，可以举出例如上述碳数1～30的烷氧基经1个以上的氟原子取代而成的基团。
[0523]
在本说明书中，芳氧基(有时称为芳烷氧基(日文原文：
アリ
一
ルアルコキシ
基))中的芳基也包含杂芳基。
[0524]
本说明书中的成环碳数6～30的芳烷氧基表示为-oz
2
。作为该z
2
的例子，例如可以举出上述成环碳数6～30的芳基等。芳烷氧基的成环碳数优选为6～20。作为该芳烷氧基，可以举出例如苯氧基。
[0525]
本说明书中的取代氨基表示为-nhr
v
、或者-n(r
v
)
2
。作为该r
v
的例子，可以举出例如上述碳数1～30的烷基、和上述成环碳数6～30的芳基等。
[0526]
作为本说明书中的碳数2～30的烯基，可以为直链或支链中的任意种，可以举出例如乙烯基、丙烯基、丁烯基、油烯基、二十碳五烯基、二十二碳六烯基、苯乙烯基、2，2-二苯基乙烯基、1，2，2-三苯基乙烯基、和2-苯基-2-丙烯基等。
[0527]
作为本说明书中的碳数2～30的炔基，可以为直链或支链中的任意种，可以举出例如乙炔基、丙炔基、和2-苯基乙炔基等。
[0528]
本说明书中的碳数1～30的烷硫基和成环碳数6～30的芳硫基表示为-sr
v
。作为该r
v
的例子，可以举出上述碳数1～30的烷基和上述成环碳数6～30的芳基。烷硫基的碳数优选为1～20。芳硫基的成环碳数优选为6～20。
[0529]
作为本说明书中的卤素原子，可以举出氟原子、氯原子、溴原子、和碘原子等，优选氟原子。
[0530]
作为本说明书中的取代膦基，可以举出例如苯基磷烷基等。
[0531]
本说明书中的成环碳数6～30的芳基羰基表示为-coy
’
。作为该y
’
的例子，可以举出上述的“成环碳数6～30的芳基”。作为本说明书中的成环碳数6～30的芳基羰基，可以举出例如苯基羰基、二苯基羰基、萘基羰基、和三苯基羰基等。
[0532]
本说明书中的碳数2～31的酰基表示为-cor
’
。作为该r
’
的例子，可以举出上述的碳数1～30的烷基。作为本说明书中的碳数2～31的酰基，可以举出例如乙酰基、丙酰基等。
[0533]
本说明书中的取代磷酰基由下述通式(p)表示。
[0534]
【化23】
[0535][0536]
上述通式(p)中，作为ar
p1
和ar
p2
，可以举出选自由碳数1～30(优选为碳数1～10，更优选为碳数1～6)的烷基、和成环碳数6～30(优选为成环碳数6～20，更优选为6～14)的芳基组成的组中的任一取代基等。作为碳数1～30的烷基的例子，可以举出上述的碳数1～30的烷基。作为成环碳数6～30的芳基的例子，可以举出上述的成环碳数6～30的芳基。
[0537]
作为本说明书中的酯基，可以举出例如烷基酯基。烷基酯基表示为-c(＝o)or
e
。作为r
e
的例子，可以举出取代或未取代的上述烷基。
[0538]
本说明书中的硅氧烷基为夹隔着醚键的硅化合物基团，可以举出例如三甲基硅氧烷基等。
[0539]
在本说明书中，“成环碳”是指构成饱和环、不饱和环、或者芳环的碳原子。“成环原子”是指构成杂环(包括饱和环、不饱和环、和芳环)的碳原子和杂原子。
[0540]
另外，在本说明书中，氢原子包括中子数不同的同位素，即氕(protium)、氘(deuterium)、氚(tritium)。
[0541]
在本说明书中，作为表述为“取代或未取代的”时的取代基，可以举出选自由成环碳数6～30的芳基、成环原子数5～30的杂芳基、碳数1～30的直链烷基、碳数3～30的支链烷基、成环碳数3～30的环烷基、碳数1～30的卤代烷基、取代或未取代的甲硅烷基(例如碳数3～30的烷基甲硅烷基、和成环碳数6～30的芳基甲硅烷基等)、碳数1～30的烷氧基、成环碳数6～30的芳氧基、取代或未取代的氨基、碳数1～30的烷硫基、成环碳数6～30的芳硫基、碳数7～30的芳烷基、碳数2～30的烯基、卤素原子、碳数2～30的炔基、氰基、羟基、硝基、羧基、和取代磷酰基组成的组中的至少一种的基团。
[0542]
在本说明书中，作为表述为“取代或未取代的”时的取代基，也可以举出二芳基硼基(ar
b1
ar
b2
b-)。作为该ar
b1
和ar
b2
的例子，可以举出上述的“成环碳数6～30的芳基”。
[0543]
作为表述为“取代或未取代的”时的取代基的具体例和优选基团，可以举出与“各取代基的说明”中的取代基的具体例和优选基团同样的基团。
[0544]
表述为“取代或未取代的”时的取代基可以进一步被选自由成环碳数6～30的芳基、成环原子数5～30的杂芳基、碳数1～30的直链烷基、碳数3～30的支链烷基、成环碳数3～30的环烷基、碳数1～30的卤代烷基、碳数3～30的烷基甲硅烷基、成环碳数6～30的芳基甲硅烷基、碳数1～30的烷氧基、成环碳数6～30的芳氧基、取代氨基、碳数1～30的烷硫基、成环碳数6～30的芳硫基、碳数7～30的芳烷基、碳数2～30的烯基、碳数2～30的炔基、卤素原子、氰基、羟基、硝基、和羧基组成的组中的至少一种的基团取代。另外，这些取代基中，可以两个以上相互键合而形成环。
[0545]
表述为“取代或未取代的”时的“未取代”是指，未被上述取代基取代而是键合有氢原子。
[0546]
需要说明的是，在本说明书中，“取代或未取代的碳数xx～yy的zz基”这样的表述中的“碳数xx～yy”表示zz基为未取代时的碳数，经取代时的取代基的碳数不包括在内。
[0547]
在本说明书中，“取代或未取代的原子数xx～yy的zz基”这样的表述中的“原子数xx～yy”表示zz基为未取代时的原子数，经取代时的取代基的原子数不包括在内。
[0548]
在本说明书中说明的化合物、或者其局部结构中，表述为“取代或未取代的”的情况也与上述同样。
[0549]
在本说明书中，取代基彼此相互键合而构建环时，该环的结构为饱和环、不饱和环、芳香族烃环、或者杂环。
[0550]
在本说明书中，作为连接基团中的芳香族烃基、杂环基等，可以举出从上述的一价基团去除1个以上的原子而得到的二价以上的基团。
[0551]
实施例
[0552]
以下，对本发明的实施例进行说明。本发明不受这些实施例的任何限定。
[0553]
<化合物>
[0554]
以下示出有机el元件的制造中使用的化合物。
[0555]
【化24】
[0556][0557]
【化25】
[0558][0559]
【化26】
[0560][0561]
【化27】
[0562][0563]
【化28】
[0564][0565]
【化29】
[0566][0567]
【化30】
[0568][0569]
【化31】
[0570][0571]
【化32】
[0572][0573]
【化33】
[0574][0575]
【化34】
[0576][0577]
【化35】
[0578][0579]
【化36】
[0580][0581]
<有机el元件的制作>
[0582]
如下制作有机el元件。
[0583]
(实施例1)
[0584]
将25mm
×
75mm
×
1.1mm厚的带ito透明电极(阳极)的玻璃基板(geomatec株式会社制)在异丙醇中进行5分钟超声波清洗后，进行uv臭氧清洗1分钟。ito的膜厚为130nm。
[0585]
·
第一发光单元的形成
[0586]
将清洗后的带透明电极线的上述玻璃基板安装于真空蒸镀装置的基板架，首先在形成有透明电极线的一侧的面上以覆盖透明电极的方式共蒸镀化合物ht-1和化合物hi，形成了膜厚10nm的空穴注入层。空穴注入层中的化合物ht-1的浓度设为97质量％，化合物hi的浓度设为3质量％。
[0587]
接着，在空穴注入层上蒸镀化合物ht-1，形成了膜厚117nm的第一空穴传输层。
[0588]
接着，在该第一空穴传输层上蒸镀化合物ht-2，形成了膜厚10nm的第二空穴传输层。
[0589]
接着，在该第二空穴传输层上共蒸镀化合物pgh-1和化合物pgd，形成了膜厚40nm的作为第一发光层的黄色磷光发光层。黄色磷光发光层中的化合物pgh-1的浓度设为80质量％，化合物pgd的浓度设为20质量％。
[0590]
接着，在该黄色磷光发光层上蒸镀化合物et-1，形成了膜厚10nm的电子传输层。
[0591]
·
第一电荷产生层的形成
[0592]
接着，在该电子传输层上共蒸镀化合物et-2和锂(li)，形成了膜厚10nm的第一n层。第一n层中的化合物et-2的浓度设为96质量％，li的浓度设为4质量％。
[0593]
接着，在该第一n层上共蒸镀化合物ht-1和化合物hi，形成了膜厚10nm的第一p层。第一p层中的化合物ht-1的浓度设为90质量％，化合物hi的浓度设为10质量％。
[0594]
·
第二发光单元的形成
[0595]
接着，在该第一p层上蒸镀化合物ht-1，形成了膜厚10nm的第一空穴传输层。
[0596]
接着，在该第一空穴传输层上蒸镀化合物ht-2，形成了膜厚10nm的第二空穴传输层。
[0597]
接着，在该第二空穴传输层上共蒸镀化合物bh和化合物bd-1，形成了膜厚25nm的作为第二发光层的蓝色荧光发光层。蓝色荧光发光层中的化合物bh的浓度设为96质量％，化合物bd-1的浓度设为4质量％。
[0598]
接着，在该蓝色荧光发光层上蒸镀化合物pgh-2，形成了膜厚10nm的电子传输层。
[0599]
·
第二电荷产生层的形成
[0600]
接着，在该电子传输层上共蒸镀化合物et-2和锂(li)，形成了膜厚56nm的第二n层。第二n层中的化合物et-2的浓度设为96质量％，li的浓度设为4质量％。
[0601]
接着，在该第二n层上共蒸镀化合物ht-1和化合物hi，形成了膜厚10nm的第二p层。第二p层中的化合物ht-1的浓度设为90质量％，化合物hi的浓度设为10质量％。
[0602]
·
第三发光单元的形成
[0603]
接着，在该第二p层上蒸镀化合物ht-1，形成了膜厚10nm的第一空穴传输层。
[0604]
接着，在该第一空穴传输层上蒸镀化合物ht-2，形成了膜厚10nm的第二空穴传输层。
[0605]
接着，在该第二空穴传输层上共蒸镀化合物bh和化合物bd-1，形成了膜厚25nm的作为第三发光层的蓝色荧光发光层。蓝色荧光发光层中的化合物bh的浓度设为96质量％，化合物bd-1的浓度设为4质量％。
[0606]
接着，在该蓝色荧光发光层上蒸镀化合物pgh-2，形成了膜厚10nm的第一电子传输层。
[0607]
接着，在该第一电子传输层上蒸镀化合物et-1，形成了膜厚12nm的第二电子传输层。
[0608]
接着，在该第二电子传输层上蒸镀氟化锂(lif)，形成了膜厚1nm的电子注入层。
[0609]
然后，在该电子注入层上蒸镀金属铝(al)，形成了膜厚80nm的金属al阴极。
[0610]
按照以上方式制造底发射型的有机el元件。
[0611]
若简略示出实施例1的有机el元件的元件构成，则如下所示。
[0612]
ito(130)/
[0613]
ht-1∶hi(10，97％∶3％)/ht-1(117)/ht-2(10)/pgh-1∶pgd(40，80％∶20％)/et-1(10)/
[0614]
et-2∶li(10，96％∶4％)/ht-1∶hi(10，90％∶10％)/
[0615]
ht-1(10)/ht-2(10)/bh∶bd-1(25，96％∶4％)/pgh-2(10)/
[0616]
et-2∶li(56，96％∶4％)/ht-1∶hi(10，90％∶10％)/
[0617]
ht-1(10)/ht-2(10)/bh∶bd-1(25，96％∶4％)/pgh-2(10)/et-1(12)/lif(1)/
[0618]
al(80)
[0619]
需要说明的是，括弧内的数字表示膜厚(单位：nm)。
[0620]
相同括弧内，以百分比表示的数字例如为ht-1∶hi(10，97％∶3％)的情况下，表示空穴注入层中的化合物ht-1和化合物hi的比例(质量％)为ht-1∶hi＝97质量％∶3质量％。以下，设为同样的标记。
[0621]
(实施例2)
[0622]
以形成以下的元件构成的方式改变各层的膜厚和材料，除此以外，与实施例1同样地制作了底发射型的有机el元件。
[0623]
若简略示出实施例2的有机el元件的元件构成，则如下所示。
[0624]
ito(80)/
[0625]
ht-1∶hi(10，97％∶3％)/ht-1(10)/ht-2(10)/bh∶bd-1(25，96％∶4％)/pgh-3(10)/
[0626]
et-2∶li(10，96％∶4％)/ht-1∶hi(10，90％∶10％)/
[0627]
ht-1(10)/ht-2(10)/pgh-1∶pgd(48，80％∶20％)/et-1(10)/
[0628]
et-2∶li(95，96％∶4％)/ht-1∶hi(10，90％∶10％)/
[0629]
ht-1(10)/ht-2(10)/bh∶bd-1(25，96％∶4％)/pgh-1(10)/et-1(10)/lif(1)/
[0630]
al(80)
[0631]
(实施例3)
[0632]
以形成以下的元件构成的方式改变各层的膜厚和材料，除此以外，与实施例1同样地制作了底发射型的有机el元件。
[0633]
若简略示出实施例3的有机el元件的元件构成，则如下所示。
[0634]
ito(130)/
[0635]
ht-1∶hi(10，97％∶3％)/ht-1(70)/ht-2(10)/bh∶bd-1(25，96％∶4％)/pgh-3(10)/
[0636]
et-2∶li(10，96％∶4％)/ht-1∶hi(10，90％∶10％)/
[0637]
ht-1(10)/ht-2(10)/pgh-1∶pgd(48，80％∶20％)/et-1(10)/
[0638]
et-2∶li(95，96％∶4％)/ht-1∶hi(10，90％∶10％)/
[0639]
ht-1(10)/ht-2(10)/bh∶bd-1(25，96％∶4％)/pgh-2(10)/et-1(10)/lif(1)/
[0640]
al(80)
[0641]
(实施例4)
[0642]
在作为元件制作用基板的玻璃基板(25mm
×
75mm
×
0.7mm厚)上，通过溅射法依次成膜膜厚100nm的作为银合金层的apc(ag-pd-cu)层(反射层)、和膜厚10nm的氧化铟-氧化锌(izo：注册商标)膜(透明导电层)。由此，得到了由apc层和izo膜形成的导电材料层。
[0643]
接下来，使用通常的光刻技术，通过掩模使用抗蚀剂图案的蚀刻，对该导电材料层进行图案化，形成了下部电极(阳极)。
[0644]
·
第一发光单元的形成
[0645]
接着，在下部电极上，使用真空蒸镀法共蒸镀化合物ht-1和化合物hi，形成了膜厚
10nm的空穴注入层。空穴注入层中的化合物ht-1的浓度设为97质量％，化合物hi的浓度设为3质量％。
[0646]
接着，在空穴注入层上蒸镀化合物ht-1，在空穴注入层上形成了膜厚10nm的第一空穴传输层。
[0647]
接着，在该第一空穴传输层上蒸镀化合物ht-3，形成了膜厚5nm的第二空穴传输层。
[0648]
接着，在该第二空穴传输层上共蒸镀化合物bh和化合物bd-2，形成了膜厚20nm的作为第一发光层的蓝色荧光发光层。蓝色荧光发光层中的化合物bh的浓度设为98质量％，化合物bd-2的浓度设为2质量％。
[0649]
接着，在该蓝色荧光发光层上蒸镀化合物pgh-2，形成了膜厚5nm的电子传输层。
[0650]
·
第一电荷产生层的形成
[0651]
接着，在该电子传输层上共蒸镀化合物et-3和锂(li)，形成了膜厚58nm的第一n层。第一n层中的化合物et-3的浓度设为96质量％，li的浓度设为4质量％。
[0652]
接着，在该第一n层上共蒸镀化合物ht-1和化合物hi，形成了膜厚10nm的第一p层。第一p层中的化合物ht-1的浓度设为90质量％，化合物hi的浓度设为10质量％。
[0653]
·
第二发光单元的形成
[0654]
接着，在该第一p层上蒸镀化合物ht-1，形成了膜厚10nm的第一空穴传输层。
[0655]
接着，在该第一空穴传输层上蒸镀化合物ht-3，形成了膜厚5nm的第二空穴传输层。
[0656]
接着，在该第二空穴传输层上共蒸镀化合物bh和化合物bd-2，形成了膜厚20nm的作为第二发光层的蓝色发光层。蓝色发光层中的化合物bh的浓度设为98质量％，化合物bd-2的浓度设为2质量％。
[0657]
接着，在该蓝色发光层上蒸镀化合物pgh-2，形成了膜厚5nm的电子传输层。
[0658]
·
第二电荷产生层的形成
[0659]
接着，在该电子传输层上共蒸镀化合物et-3和锂(li)，形成了膜厚64nm的第二n层。第二n层中的化合物et-3的浓度设为96质量％，li的浓度设为4质量％。
[0660]
接着，在该第二n层上共蒸镀化合物ht-1和化合物hi，形成了膜厚10nm的第二p层。第二p层中的化合物ht-1的浓度设为90质量％，化合物hi的浓度设为10质量％。
[0661]
·
第三发光单元的形成
[0662]
接着，在该第二p层上蒸镀化合物ht-1，在第二p层上形成了膜厚10nm的第一空穴传输层。
[0663]
接着，在该第一空穴传输层上蒸镀化合物ht-3，形成了膜厚5nm的第二空穴传输层。
[0664]
接着，在该第二空穴传输层上共蒸镀化合物bh和化合物bd-2，形成了膜厚20nm的作为第三发光层的蓝色荧光发光层。蓝色荧光发光层中的化合物bh的浓度设为98质量％，化合物bd-2的浓度设为2质量％。
[0665]
接着，在该蓝色荧光发光层上蒸镀化合物pgh-2，形成了膜厚5nm的第一电子传输层。
[0666]
接着，在该第一电子传输层上蒸镀化合物et-1，形成了膜厚15nm的第二电子传输层。
[0667]
接着，在该第二电子传输层上蒸镀氟化锂(lif)，形成了膜厚1nm的电子注入层。
[0668]
然后，在该电子注入层上以mg与ag达到混合比(质量％比)1∶9的方式共蒸镀，形成了合计膜厚12nm的由半透光性的mgag合金形成的上部电极(阴极)。
[0669]
接着，在上部电极上整个面成膜化合物cap1，形成了膜厚70nm的封盖层。
[0670]
按照以上操作，制作了顶发射型的有机el元件。
[0671]
若简略示出实施例4的有机el元件的元件构成，则如下所示。
[0672]
apc(100)/izo(10)/
[0673]
ht-1∶hi(10，97％∶3％)/ht-1(10)/ht-3(5)/bh∶bd-2(20，98％∶2％)/pgh-2(5)/
[0674]
et-3∶li(58，96％∶4％)/ht-1∶hi(10，90％∶10％)/
[0675]
ht-1(10)/ht-3(5)/bh∶bd-2(20，98％∶2％)/pgh-2(5)/
[0676]
et-3∶li(64，96％∶4％)/ht-1∶hi(10，90％∶10％)/
[0677]
ht-1(10)/ht-3(5)/bh∶bd-2(20，98％，2％)/pgh-2(5)/et-1(15)/lif(1)/
[0678]
mg∶ag(12，10％∶90％)/cap1(70)
[0679]
(实施例5)
[0680]
以形成以下的元件构成的方式改变各层的膜厚和材料，除此以外，与实施例1同样地制作了底发射型的有机el元件。
[0681]
若简略示出实施例5的有机el元件的元件构成，则如下所示。
[0682]
ito(130)/
[0683]
ht-1∶hi(10，97％∶3％)/ht-1(117)/ht-2(10)/pgh-1∶pgd(40，80％∶20％)/et-1(10)/
[0684]
et-2∶li(10，96％∶4％)/ht-1∶hi(10，90％∶10％)/
[0685]
ht-1(10)/ht-2(10)/bh∶bd-1(25，96％∶4％)/pgh-2(10)/
[0686]
et-2∶li(56，96％∶4％)/ht-1∶hi(10，90％∶10％)/
[0687]
ht-1(10)/ht-2(10)/bh∶bd-1(25，96％∶4％)/pgh-2(10)/et-1(70)/lif(1)/
[0688]
al(80)
[0689]
(实施例6)
[0690]
以形成以下的元件构成的方式改变各层的膜厚和材料，除此以外，与实施例1同样地制作了底发射型的有机el元件。
[0691]
若简略示出实施例6的有机el元件的元件构成，则如下所示。
[0692]
ito(130)/
[0693]
ht-1∶hi(10，97％∶3％)/ht-1(117)/ht-2(10)/pgh-1∶prd(5，98％∶2％、/
[0694]
pgh-1∶pgd(35，80％∶20％)/et-1(10)/
[0695]
et-2∶li(10，96％∶4％)/ht-1∶hi(10，90％∶10％)/
[0696]
ht-1(10)/ht-2(10)/bh∶bd-3(25，96％∶4％)/pgh-2(10)/
[0697]
et-2∶li(56，96％∶4％)/ht-1∶hi(10，90％∶10％)/
[0698]
ht-1(10)/ht-2(10)/bh∶bd-3(25，96％∶4％)/pgh-2(10)/et-1(12)/lif(1)/
[0699]
al(80)
[0700]
(实施例7)
[0701]
以形成以下的元件构成的方式改变各层的膜厚和材料，除此以外，与实施例1同样地制作了底发射型的有机el元件。
[0702]
若简略示出实施例7的有机el元件的元件构成，则如下所示。
[0703]
ito(80)/
[0704]
ht-1∶hi(10，97％∶3％)/ht-1(10)/ht-2(10)/bh-2∶bd-4(25，96％∶4％)/pgh-3(10)/
[0705]
et-2∶li(10，96％∶4％)/ht-1∶hi(10，90％∶10％)/
[0706]
ht-1(10)/ht-2(10)/pgh-1∶prd(5，98％∶2％)/pgh-1∶pgd-2(43，80％∶20％)/et-1(10)/
[0707]
et-2∶li(95，96％∶4％)/ht-1∶hi(10，90％∶10％)/
[0708]
ht-1(10)/ht-2(10)/bh-2∶bd-4(25，96％∶4％)/pgh-1(10)/et-1(1)/lif(1)/
[0709]
al(80)
[0710]
(实施例8)
[0711]
以形成以下的元件构成的方式改变各层的膜厚，除此以外，与实施例4同样地制作了顶发射型的有机el元件。
[0712]
若简略示出实施例8的有机el元件的元件构成，则如下所示。
[0713]
apc(100)/izo(10)/
[0714]
ht-1∶hi(10，97％∶3％)/ht-1(10)/ht-3(5)/bh∶bd-2(20，98％∶2％)/pgh-2(5)/
[0715]
et-3∶li(96，96％∶4％)/ht-1∶hi(10，90％∶10％)/
[0716]
ht-1(10)/ht-3(5)/bh∶bd-2(20，98％∶2％)/pgh-2(5)/
[0717]
et-3∶li(64，96％∶4％)/ht-1∶hi(10，90％∶10％)/
[0718]
ht-1(10)/ht-3(5)/bh∶bd-2(20，98％，2％)/pgh-2(5)/et-1(15)/lif(1)/
[0719]
mg∶ag(12，10％∶90％)/cap1(70)
[0720]
(比较例1)
[0721]
以形成以下的元件构成的方式改变各层的膜厚和材料，除此以外，与实施例1同样地制作了底发射型的有机el元件。
[0722]
若简略示出比较例1的有机el元件的元件构成，则如下所示。
[0723]
ito(130)/
[0724]
ht-1∶hi(10，97％∶3％)/ht-1(117)/ht-2(10)/pgh-1∶pgd(40，80％∶20％)/et-1(10)/
[0725]
et-2∶li(10，96％∶4％)/ht-1∶hi(10，90％∶10％)/
[0726]
ht-1(10)/ht-2(10)/bh∶bd-1(25，96％∶4％)/pgh-2(10)/
[0727]
et-2∶li(10，96％∶4％)/ht-1∶hi(10，90％∶10％)/
[0728]
ht-1(56)/ht-2(10)/bh∶bd-1(25，96％∶4％)/pgh-2(10)/et-1(12)/lif(1)/
[0729]
al(80)
[0730]
(比较例2)
[0731]
以形成以下的元件构成的方式改变各层的膜厚和材料，除此以外，与实施例1同样地制作了底发射型的有机el元件。
[0732]
若简略示出比较例2的有机el元件的元件构成，则如下所示。
[0733]
ito(80)/
[0734]
ht-1∶hi(10，97％∶3％)/ht-1(10)/ht-2(10)/bh∶bd-1(25，96％∶4％)/pgh-3(10)/
[0735]
et-2∶li(10，96％∶4％)/ht-1∶hi(10，90％∶10％)/
[0736]
ht-1(10)/ht-2(10)/pgh-1∶pgd(48，80％∶20％)/et-1(10)/
[0737]
et-2∶li(10，96％∶4％)/ht-1∶hi(10，90％∶10％)/
[0738]
ht-1(95)/ht-2(10)/bh∶bd-1(25，96％∶4％)/pgh-2(10)/et-1(10)/lif(1)/
[0739]
al(80)
[0740]
(比较例3)
[0741]
以形成以下的元件构成的方式改变各层的膜厚和材料，除此以外，与实施例1同样地制作了底发射型的有机el元件。
[0742]
若简略示出比较例3的有机el元件的元件构成，则如下所示。
[0743]
ito(80)/
[0744]
ht-1∶hi(10，97％∶3％)/ht-1(10)/ht-2(10)/bh∶bd-1(25，96％∶4％)/pgh-3(10)/
[0745]
et-2∶li(10，96％∶4％)/ht-1∶hi(10，90％∶10％)/
[0746]
ht-1(10)/ht-2(10)/bh∶bd-1(25，96％∶4％)/et-1(10)/
[0747]
et-2∶li(95，96％∶4％)/ht-1∶hi(10，90％∶10％)/
[0748]
ht-1(10)/ht-2(10)/pgh-1∶pgd(48，80％∶20％)/pgh-2(10)/et-1(10)/lif(1)/
[0749]
al(80)
[0750]
(比较例4)
[0751]
以形成以下的元件构成的方式改变各层的膜厚和材料，除此以外，与实施例1同样地制作了底发射型的有机el元件。
[0752]
若简略示出比较例4的有机el元件的元件构成，则如下所示。
[0753]
ito(130)/
[0754]
ht-1∶hi(10，97％∶3％)/ht-1(117)/ht-2(10)/pgh-1∶pgd(40，80％∶20％)/et-1(10)/
[0755]
et-2∶li(10，96％∶4％)/ht-1∶hi(10，90％∶10％)/
[0756]
ht-1(10)/ht-2(10)/bh∶bd-1(25，96％∶4％)/pgh-2(10)/et-2(46)/
[0757]
et-2∶li(10，96％∶4％)/ht-1∶hi(10，90％∶10％)/
[0758]
ht-1(10)/ht-2(10)/bh∶bd-1(25，96％∶4％)/pgh-2(10)/et-1(12)/lif(1)/
[0759]
al(80)
[0760]
(比较例5)
[0761]
除了以形成以下的元件构成的方式改变各层的膜厚和材料以及未形成第三发光单元以外，与实施例1同样地制作了底发射型的有机el元件。
[0762]
若简略示出比较例5的有机el元件的元件构成，则如下所示。
[0763]
ito(120)/
[0764]
ht-1∶hi(14，97％∶3％)/ht-1(60)/bh∶bd-1(22，96％∶4％)/et-1(20)/
[0765]
et-2∶li(20，96％∶4％)/ht-1∶hi(10，90％∶10％)/
[0766]
ht-1(30)/pgh-1∶pgd(40，80％∶20％)/et-1(10)/
[0767]
et-2∶li(15，96％∶4％)/
[0768]
al(80)
[0769]
<m
1
～m
3
、l
1
～l
3
、和φ
1
～φ
3
>
[0770]
对于在实施例1～8和比较例1～5中制作的有机el元件，求出上述数学式(1-1)～(1-3)和上述数学式(2-1)～(2-3)中的m
1
～m
3
、l
1
～l
3
、和φ
1
～φ
3
。结果示于表1。
[0771]
来自蓝色发光层、黄色磷光发光层、红黄系磷光发光层、和红绿系磷光发光层的发光的主峰波长利用上文记载过的方法进行测定。
[0772]
需要说明的是，红黄系磷光发光层是指，实施例6的第一发光层(由红色磷光发光层和黄色磷光发光层形成的磷光发光层)。红绿系磷光发光层是指实施例7的第二发光层(由红色磷光发光层和绿色磷光发光层形成的磷光发光层)。
[0773]
φ
1
是使用反射性电极(实施例1的情况下，为阴极)的复折射率n＝n-jk(n：折射率、k：消光系数)的n和k以及构成第一发光单元的有机层(实施例1的情况下，为第一空穴传输区域(空穴注入层、第一空穴传输层、和第二空穴传输层)、第一发光层、以及第一电子传输区域(电子传输层))的折射率n
0
进行计算的。
[0774]
φ
2
是使用反射性电极(实施例1的情况下，为阴极)的复折射率n＝n-jk(n：折射率、k：消光系数)的n和k以及构成第二发光单元的有机层(实施例1的情况下，为第二空穴传输区域(第一空穴传输层和第二空穴传输层)、第二发光层、以及第二电子传输区域(电子传输层))的折射率n
0
进行计算的。
[0775]
φ
3
是使用反射性电极(实施例1的情况下，为阴极)的复折射率n＝n-jk(n：折射率、k：消光系数)的n和k以及构成第三发光单元的有机层(实施例1的情况下，为第三空穴传输区域(第一空穴传输层和第二空穴传输层)、第三发光层、以及第三电子传输区域(第一电子传输层、第二电子传输层、和电子注入层))的折射率n
0
进行计算的。
[0776]
φ
1
～φ
3
的计算例如可以参照principles of optics(光学原理)，max born and emil wolf，1974(pergamon press)进行计算。
[0777]
实施例2～8、和比较例1～5中的φ
1
～φ
3
也可以与上文同样地进行计算。
[0778]
上述有机层的折射率使用分光椭偏测定装置进行测定。
[0779]
需要说明的是，折射率是指，相对于层的形成面垂直的方向上的折射率。
[0780]
【表1】
[0781][0782]
〔评价〕
[0783]
对于在实施例1～8和比较例1～5中制作的有机el元件，进行了以下评价。结果示
于表2。
[0784]
<蓝色荧光发光的主峰波长和峰强度>
[0785]
通过以下的方法，测定由有机el元件得到的蓝色荧光发光的主峰波长。另外，也测定了其强度。
[0786]
以电流密度达到10ma/cm
2
的方式对有机el元件施加电压，对于此时的分光放射亮度谱利用分光放射亮度计cs-2000(konica minolta公司制)进行测量。
[0787]
所得到的分光放射亮度谱中，测定发光强度达到最大的发光谱的峰波长及其强度，将它们设为本评价中的“蓝色荧光发光的主峰波长(单位：nm)”和“蓝色荧光发光的主峰强度”。
[0788]
·
驱动电压
[0789]
对于以电流密度达到10ma/cm
2
的方式在阳极和阴极之间通电时的电压(单位：v)进行测量。基于以下的评价基准，对驱动电压进行评判。
[0790]-评价基准-[0791]
a：驱动电压小于12v
[0792]
b：驱动电压为12v以上
[0793]
·
蓝色荧光发光的寿命
[0794]
以电流密度达到50ma/cm
2
的方式对元件施加电压，使用分光放射亮度计cs-2000(konica minolta株式会社制)每单位通电时间对发光谱进行测定，测定作为蓝色波长区域的460nm的发光峰强度。计算通电后的发光峰强度相对于初始发光峰强度的比率。将峰强度相对于初始发光峰强度下降5％的时间设为5％劣化寿命(单位：分钟)，通过以下的计算式算出5％劣化寿命比(％)。即，在将初始发光峰强度设为x时，5％劣化寿命是指发光峰强度下降至0.95x的时间。
[0795]
对于各例的元件，比较相对于实施例1的5％劣化寿命比(％)。
[0796]
另外，基于以下的评价基准，对由有机el元件发出的蓝色荧光发光的寿命进行评判。
[0797]
计算式：5％劣化寿命比(％)＝(各例的5％劣化寿命/实施例1的5％劣化寿命)
×
100
[0798]-评价基准-[0799]
a：5％劣化寿命比为90％以上
[0800]
b：5％劣化寿命比为80％以上且小于90％
[0801]
c：5％劣化寿命比小于80％
[0802]
【表2】
[0803][0804]
(表2的说明)
[0805]
■
ht区域表示空穴传输区域。
[0806]
■
hi层表示空穴注入层。
[0807]
■
ht层1表示第一空穴传输层，ht层2表示第二空穴传输层。
[0808]
■
et区域表示电子传输区域。
[0809]
■
et层表示电子传输层。
[0810]
■
et层的厚度在电子传输层由多层形成时表示其总厚度。
[0811]
■
5/35表示层叠红色磷光发光层5nm和黄色磷光发光层35nm。
[0812]
■
5/43表示层叠红色磷光发光层5nm和绿色磷光发光层43nm。
[0813]
如表2所示，实施例1～8的有机el元件相较于比较例1～5的有机el元件，驱动电压低，并且蓝色荧光发光的“5％劣化寿命比”显示高的值。
[0814]
因此，根据实施例1～8的有机el元件，能够使驱动电压下降、使寿命提高。
[0815]
另外，第三发光单元满足光学干涉的式子(具体来说，数学式(1-3)和数学式(2-3))的实施例1～4、6和7的有机el元件其蓝色荧光发光的主峰强度大。因此，根据实施例1～4、6和7的有机el元件，能够使蓝色荧光发光的发光效率提高。
[0816]
符号说明
[0817]
1，2...有机el元件、11...基板、12...阳极、13，13a...第一发光单元、14...第一电荷产生层、15，15a...第二发光单元、16...第二电荷产生层、17，17a...第三发光单元、18...阴极、12a，18a...反射界面、131...第一空穴传输区域、131a，151a，171a...第一空穴传输层、131b，151b，171b...第二空穴传输层、131c...空穴注入层、132...第一发光层、133...第一电子传输区域、141...第一n层、142...第一p层、151...第二空穴传输区域、152...第二发光层、153...第二电子传输区域、161...第二n层、162...第二p层、171...第三空穴传输区域、172...第三发光层、173...第三电子传输区域。