1.一种薄膜体声波滤波器，其特征在于，所述滤波器包括：
芯片衬底，所述芯片衬底的上表面具有空气腔；
覆盖所述空气腔的谐振器件；
设置在所述芯片衬底下表面的重布局互联结构，用于布局引线与植球衬垫的电连接；
贯穿所述芯片衬底的通孔互联结构，所述通孔互联结构用于电连接所述谐振器件与所述重布局互联结构，且用于将所述谐振器件的热量传导至所述重布局互联结构，以散发到所述滤波器的外部；
与所述芯片衬底上表面相对固定的盖板，所述盖板覆盖所述谐振器件，且与所述器件具有间隙。
2.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述谐振器件包括位于所述空气腔上方的谐振薄膜，所述谐振薄膜上表面具有顶部电极，其下表面具有底部电极，所述顶部电极和所述底部电极通过电极引线与位于所述芯片衬底上表面的压焊衬垫电连接，所述压焊衬垫完全覆盖所述通孔互联结构。
3.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述盖板通过键合块键合固定在所述芯片衬底的上表面；
其中，所述键合块包括设置在所述芯片衬底上表面的第一金属块以及设置在所述盖板表面的第二金属块，所述第一金属块与所述第二金属块键合，形成所述键合块。
4.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述盖板通过键合块键合固定在所述芯片衬底的表面；
其中，所述键合块是树脂粘合材料；所述盖板朝向所述谐振器件的一侧表面还具有凹槽。
5.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述盖板通过键合块固定在所述芯片衬底的表面；
所述键合块与所述滤波器的侧面边缘具有5μm-20μm的间距。
6.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述通孔互联结构包括通孔以及位于所述通孔内的金属填充材料，所述芯片衬底的下表面经过减薄处理，以露出所述通孔以及位于所述通孔内的所述金属填充材料；
在经过减薄处理后的所述芯片衬底的下表面形成与所述通孔互联结构电接触的所述重布局互联结构。
7.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述盖板朝向所述芯片衬底的一侧表面还具有电磁屏蔽层。
8.根据权利要求7所述的滤波器，其特征在于，所述电磁屏蔽层包括：覆盖所述盖板表面的钛层以及覆盖所述钛层的铜层、或银层、或镍层、或镍铁层。
9.一种薄膜体声波滤波器的晶圆级封装方法，其特征在于，所述晶圆级封装方法包括：
提供器件晶圆；所述器件晶圆包含多个芯片区域，所述芯片区域之间具有切割沟道；
在所述芯片区域的上表面形成空气腔、覆盖所述空气腔的谐振器件；
在所述器件晶圆的上表面固定封装晶圆，所述封装晶圆覆盖所有所述芯片区域，且与所述谐振器件之间具有间隙；
基于所述切割沟道分割所述器件晶圆与所述封装晶圆，形成多个单颗的所述薄膜体声波滤波器；
其中，所述芯片区域的下表面具有重布局互联结构，用于布局引线与植球衬垫的电连接；所述芯片区域具有通孔互联结构，用于电连接所述谐振器件与所述重布局互联结构，且用于将所述谐振器件的热量传导至所述重布局互联结构，以散发到所述滤波器的外部。
10.根据权利要求9所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述谐振器件包括位于所述空气腔上方的谐振薄膜，所述谐振薄膜上表面具有顶部电极，其下表面具有底部电极，所述顶部电极和所述底部电极通过电极引线与位于所述芯片区域上表面的压焊衬垫电连接，所述压焊衬垫完全覆盖所述通孔互联结构。
11.根据权利要求9所述的晶圆级封装方法，其特征在于，固定所述封装晶圆的方法包括：
在所述器件晶圆的上表面形成第一金属块，在所述封装晶圆的表面形成第二金属块；
将所述第一金属块与所述第二金属块焊接，形成键合块，以键合固定所述封装晶圆与所述器件晶圆。
12.根据权利要求9所述的晶圆级封装方法，其特征在于，固定所述封装晶圆的方法包括：
将所述器件晶圆与所述封装晶圆通过树脂块键合固定，其中，所述封装晶圆朝向所述谐振器件的一侧表面还具有凹槽。
13.根据权利要求9所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述封装晶圆通过键合块固定在所述芯片区域的上表面；
所述键合块与所述滤波器的侧面边缘具有5μm-20μm的间距。
14.根据权利要求9所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述通孔互联结构的制作方法包括：
在制作谐振器件之前，在所述芯片区域的上表面制作盲孔，所述盲孔的深度小于所述器件晶圆的厚度，且大于所述器件晶圆减薄后的厚度；
在所述盲孔内形成金属填充材料；
在固定所述封装晶圆之后，对所述器件晶圆的下表面进行减薄处理，露出所述盲孔以及所述金属填充材料。
15.根据权利要求9所述的晶圆级封装方法，其特征在于，在固定所述封装晶圆之前，还包括：
在所述封装晶圆朝向所述器件晶圆的一侧表面形成电磁屏蔽层。
16.根据权利要求15所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述电磁屏蔽层的制作方法包括：
在所述封装晶圆的表面形成钛层和覆盖所述钛层的铜层、或银层、或镍层、或镍铁层。