一种晶圆去静电和清洗方法与流程

本申请属于晶圆去静电和清洗技术领域，尤其是涉及一种晶圆去静电和清洗方法。

背景技术：

晶圆是指制作硅半导体积体电路所用的硅晶片，晶圆制造工艺复杂，拥有很多工序，不同工序中使用了不同的化学材料，通常会在晶圆表面残留化学剂、颗粒、金属等杂质，因此需要对晶圆进行清洗。晶圆在传输过程中了，为了传输的便利性，通常都是几十块晶圆一起放置到晶圆盒内。

在很多情况下，需要将晶圆连通晶圆盒一同处理，比如需要进行去静电和清洗操作，由于晶圆在晶圆盒内比较密级，间隙大约在1cm左右，因此如何提高去静电和清洗效果是本领域急需解决的技术问题。

技术实现要素：

本发明要解决的技术问题是：为解决现有技术中的不足，从而提供一种去静电和清洗效果好的晶圆去静电和清洗方法。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种晶圆去静电和清洗方法，包括以下步骤：

打开清洗槽上的盖体，摆动升降组件升到最高端，将晶圆盒置于晶圆盒支撑架上，摆动升降组件带动晶圆盒支撑架下降到清洗槽内，开启设置在清洗槽上方两侧的静电消除器，摆动升降组件驱动晶圆盒支撑架摆动，同时开始抽风，静电去除完毕后，关闭抽风口和静电消除器，晶圆盒支撑架停止摆动，盖上盖体，向清洗槽注入水或者清洗液，晶圆清洗完毕后，排空清洗槽内的水或者清洗液，完成清洗。

优选地，本发明的晶圆去静电和清洗方法，

所述晶圆盒支撑架的摆动角度为20°-25°。

优选地，本发明的晶圆去静电和清洗方法，所述盖体上设置有喷水口，盖体上的喷水口在清洗槽内的水或者清洗液浸没晶圆前不停地向晶圆喷射水。

优选地，本发明的晶圆去静电和清洗方法，所述盖体上设置有喷气口，当晶圆清洗完毕，且清洗槽内水或者清洗液排空后，由喷气口喷出气体以对晶圆进行干燥。

优选地，本发明的晶圆去静电和清洗方法，所述气体为氮气。

优选地，本发明的晶圆去静电和清洗方法，所述清洗槽底部设置有抽风口，静电消除器工作时，抽风口开始抽风。

优选地，本发明的晶圆去静电和清洗方法，所述清洗槽侧面还设置有抽风口，且抽风口设置高度低于晶圆位于清洗槽内时的最低点。

优选地，本发明的晶圆去静电和清洗方法，所述清洗槽底部为中间底两侧高的斜面，斜面的倾斜角度为20-40°，抽风口沿着斜面设置。

本发明的有益效果是：

本发明的晶圆去静电和清洗方法，通过静电消除器发射正负离子风以去除位于清洗槽内的晶圆上的静电，通过晶圆盒支撑架摆动带动晶圆摆动，使晶圆的间隙能够以不同角度接收静电消除器喷出的正负离子风，使得更多的正负离子风能够进入晶圆间隙并能到达更接近晶圆底部的问题，从而提高了对整个晶圆的去静电效果。实现了在清洗槽内进行去静电的功能。

附图说明

下面结合附图和实施例对本申请的技术方案进一步说明。

图1是本申请实施例的晶圆去静电和清洗装置的正面剖视图；

图2是本申请实施例的晶圆去静电和清洗装置的侧面剖视图；

图3是本申请实施例的晶圆位于清洗槽内时的状态图(图中箭头表示抽风方向)。

图中的附图标记为：

1外壳；

2清洗槽；

3盖体；

4晶圆盒支撑架；

5摆动升降组件；

6静电消除器；

9晶圆盒。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请保护范围的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明创造的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请的技术方案。

实施例

本实施例提供一种晶圆去静电和清洗装置，如图1所示，

本装置包括先给晶圆去静电，再通水/清洗液进行清洗的功能，

包括：

外壳1；

清洗槽2，设置在外壳1内；

盖体3，设置在所述清洗槽2上方，能够在驱动件驱动下发生旋转而盖附在清洗槽2的顶端；

晶圆盒支撑架4，用于放置晶圆盒9；

摆动升降组件5，用于驱动晶圆盒支撑架4升降和摆动(以垂直于图1的方向进行摆动)；

静电消除器6，设置在清洗槽2上方的两侧，用于发射正负离子风以去除晶圆上的静电。

晶圆去静电和清洗装置，静电消除器发射正负离子风以去除位于清洗槽内的晶圆上的静电，通过晶圆盒支撑架摆动带动晶圆摆动，使晶圆的间隙能够以不同角度接收静电消除器喷出的正负离子风，使得更多的正负离子风能够进入晶圆间隙并能到达更接近晶圆底部的问题，从而提高了对整个晶圆的去静电效果。实现了在清洗槽内进行去静电的功能。

摆动升降组件5一般由滑轨和滑块加上驱动件实现升降功能，由转轴、扇形齿轮实现摆动功能。

进一步地，晶圆盒支撑架4的摆动角度为20°-25°。

进一步地，所述盖体3上设置有喷水口，当所述盖体3盖在清洗槽2上时，通过喷水口喷出水或者清洗液，此时，相当于是对晶圆进行淋洗。

进一步地，所述清洗槽2底部设置有抽风口，静电消除器6工作时，抽风口开始抽风以使清洗槽2形成湍流，使清洗槽2内的晶圆的各区域均能消除静电。

进一步地，所述清洗槽2底部为中间底两侧高的斜面，斜面的倾斜角度为20-40°，抽风口沿着斜面设置。

晶圆盒9用于容纳晶圆，且晶圆盒9底部镂空。

清洗槽2内具有溢流槽、进水管、出水管等结构为清洗槽2的常见结构，这里不再赘述。

如图3所示，静电消除器6发射正负离子风正对晶圆的外表面上的直接接触范围为：正负离子风中心位于晶圆的最高点，正负离子风直接接触晶圆时的最低点到晶圆圆心的直线与晶圆的最高点到晶圆圆心的直线的夹角α为45°-60°。

如图2所示，具有两个晶圆盒，可以同时给两个晶圆盒内的晶圆进行处理。

晶圆去静电和清洗方法，包括以下步骤：

打开盖体3，摆动升降组件5升到最高端，将晶圆盒置于晶圆盒支撑架4上，摆动升降组件5下降到清洗槽2内，开启静电消除器6，驱动晶圆盒支撑架4摆动，同时清洗槽2底部或者侧壁上设置的抽风口开始抽风，静电去除完毕后，关闭抽风口和静电消除器6，晶圆盒支撑架4停止摆动，盖上盖体3，向清洗槽2注入水或者清洗液，盖体上的喷水口在清洗槽2内的水或者清洗液浸没晶圆前也不停地向晶圆喷射水，晶圆清洗完毕后，排空清洗槽2内的水或者清洗液，由盖体(3)上设置有喷气口喷出气体(如氮气)对晶圆进行干燥，必要时，可以喷出热气以加快干燥过程，晶圆干燥后打开盖体3取出晶圆。

晶圆成排地放置在晶圆盒9内，由于静电消除器6只能设置在清洗槽2外，因此，成排地晶圆很容易无法完全去除晶圆上的静电，因此，需要通过晶圆盒支撑架4摆动带动晶圆摆动，使晶圆的间隙能够以不同角度接收静电消除器6喷出的正负离子风，同时辅以清洗槽2底部设置有抽风口，使正负离子风能够更加顺利地抵达晶圆的底部，最终使整个晶圆都被正负离子风接触到而被去除静电。

以上述依据本申请的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项申请技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项申请的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。