一种超细厚导体线路板制作工艺的制作方法

[技术领域]

本发明涉及线路板制作工艺技术领域，尤其涉及一种超细厚导体线路板制作工艺。

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背景技术：
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目前还没有比较好的可以应用于电感线圈，nfc无线线圈，无线充电线路线圈，耳机绕线线圈，手机摄像头马达vcm线圈，喇叭线路线圈超细厚导体线路板制作方法，无法满足实际生产制造的需求。

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技术实现要素：
]

为克服现有技术所存在的问题，本发明提供一种超细厚导体线路板制作工艺。

本发明解决技术问题的方案是提供一种超细厚导体线路板制作工艺，包括以下步骤，

s1：将金属复合板中的一面通过激光的光束刻蚀，刻蚀至另一种金属，形成所需要的电路图形与线路；

s2：采用pcb/fpc与半导体等线路的常用清洁方法对激光光束刻蚀加工面进行清洁；

s3：清洁完后，在激光的刻蚀面，贴上覆盖膜；采用高温层压的工艺将覆盖面层粘结在激光的刻蚀面；

s4：将贴完覆盖膜的产品，对另一面进行酸性或者碱性的蚀刻；

s5：将反面金属蚀刻完的产品，按正常的线路板流程进行后道工序的制作。

优选地，所述步骤s1中，激光刻蚀的深度为：从刻蚀面，激光光束刻蚀完第一层金属，刻蚀至第一种金属与第二种金属的结合处，激光光束可以伤第二层金属表面的厚度范围为0.1um-2000um；两种金属层的每层厚度为：1um-2000um之间；且根据需要，每层厚度可以不相同；激光刻蚀的线路图形与间距范围为1um-10000um之间。

优选地，所述步骤s1中，所述金属复合板中的2种不同的金属上下采用：冷轧、热轧，爆炸复合法，爆炸轧制法，分子扩散焊法，高温压合法，超声波焊接法，中间融锡焊接法，将2种不同物质的金属焊接在一起,高温键合法进行上下层的粘结；或者采用电镀法，喷锡法等，化学镀，水镀2等工艺，在一层金属箔/合金箔上附着另一层金属。

优选地，所述激光光束为光纤激光，co2激光，uv激光器，绿光激光器，红外激光器，准分子激光器，深紫外激光器；所述激光器的波长为：199nm-1064nm之间。

优选地，所述金属复合板为铜铝复合板，铜与不锈钢复合板，铜锡复合板，铜硅复合板，铝与不锈钢复合板，铝锡复合板，铝硅复合板，铜与钨复合板，铜与铬复合板，铝与铬复合板，以及其它金属与合金的复合板。

优选地，所述步骤s3中，贴附覆盖膜可以为无胶结构的，也可以为有胶结构的，胶水的种类：丙烯酸类胶粘剂、环氧或改性环氧类胶粘剂，酚醛－缩丁醛类胶粘剂等高分子粘结胶水；覆盖膜的选着可以为：聚醯亚胺pi，peek，tpi，ptfe,pps，pet，pp,尼龙lcp液晶聚合物(liquidcrystalpolymer)、pen,氮铝与氧化铝陶瓷或特富龙，木材，pcb的环氧玻璃纤维，fr4纤维板，木浆板，酚醛板或者其它具有绝缘的膜。

优选地，所述步骤s3中，层压覆盖面绝缘层前：可以在清洁后的激光刻蚀的线路槽体中通过印刷，涂覆，浸泡等工艺，填入绝缘的高分子粘合剂胶体。

优选地，所述步骤s4中，药水只对激光光束刻蚀面的反面金属进行反应蚀刻，不会对刻蚀面的金属层进行反应蚀刻。

与现有技术相比，本发明一种超细厚导体线路板制作工艺的应用面广，且可达到较好的制造效果。

[附图说明]

图1是本发明一种超细厚导体线路板制作工艺的流程示意图。

[具体实施方式]

为使本发明的目的，技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，并不用于限定此发明。

请参阅图1，本发明一种超细厚导体线路板制作工艺1包括以下步骤，

s1：将金属复合板中的一面通过激光的光束刻蚀，刻蚀至另一种金属，形成所需要的电路图形与线路；

s2：采用pcb/fpc与半导体等线路的常用清洁方法对激光光束刻蚀加工面进行清洁；

s3：清洁完后，在激光的刻蚀面，贴上覆盖膜；采用高温层压的工艺将覆盖面层粘结在激光的刻蚀面；

s4：将贴完覆盖膜的产品，对另一面进行酸性或者碱性的蚀刻；

s5：将反面金属蚀刻完的产品，按正常的线路板流程进行后道工序的制作。

优选地，所述步骤s1中，激光刻蚀的深度为：从刻蚀面，激光光束刻蚀完第一层金属，刻蚀至第一种金属与第二种金属的结合处，激光光束可以伤第二层金属表面的厚度范围为0.1um-2000um；两种金属层的每层厚度为：1um-2000um之间；且根据需要，每层厚度可以不相同；激光刻蚀的线路图形与间距范围为1um-10000um之间。

优选地，所述步骤s1中，所述金属复合板中的2种不同的金属上下采用：冷轧、热轧，爆炸复合法，爆炸轧制法，分子扩散焊法，高温压合法，超声波焊接法，中间融锡焊接法，将2种不同物质的金属焊接在一起,高温键合法进行上下层的粘结；或者采用电镀法，喷锡法等，化学镀，水镀2等工艺，在一层金属箔/合金箔上附着另一层金属。

优选地，所述激光光束为光纤激光，co2激光，uv激光器，绿光激光器，红外激光器，准分子激光器，深紫外激光器；所述激光器的波长为：199nm-1064nm之间。

优选地，所述金属复合板为铜铝复合板，铜与不锈钢复合板，铜锡复合板，铜硅复合板，铝与不锈钢复合板，铝锡复合板，铝硅复合板，铜与钨复合板，铜与铬复合板，铝与铬复合板，以及其它金属与合金的复合板。

优选地，所述步骤s3中，贴附覆盖膜可以为无胶结构的，也可以为有胶结构的，胶水的种类：丙烯酸类胶粘剂、环氧或改性环氧类胶粘剂，酚醛－缩丁醛类胶粘剂等高分子粘结胶水；覆盖膜的选着可以为：聚醯亚胺pi，peek，tpi，ptfe,pps，pet，pp,尼龙lcp液晶聚合物(liquidcrystalpolymer)、pen,氮铝与氧化铝陶瓷或特富龙，木材，pcb的环氧玻璃纤维，fr4纤维板，木浆板，酚醛板或者其它具有绝缘的膜。

优选地，所述步骤s3中，层压覆盖面绝缘层前：可以在清洁后的激光刻蚀的线路槽体中通过印刷，涂覆，浸泡等工艺，填入绝缘的高分子粘合剂胶体。

优选地，所述步骤s4中，药水只对激光光束刻蚀面的反面金属进行反应蚀刻，不会对刻蚀面的金属层进行反应蚀刻。

以上所述的本发明实施方式，并不构成对本发明保护范围的限定。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的权利要求保护范围之内。

技术特征：

1.一种超细厚导体线路板制作工艺，其特征在于：包括以下步骤，

s1：将金属复合板中的一面通过激光的光束刻蚀，刻蚀至另一种金属，形成所需要的电路图形与线路；

s2：采用pcb/fpc与半导体等线路的常用清洁方法对激光光束刻蚀加工面进行清洁；

s3：清洁完后，在激光的刻蚀面，贴上覆盖膜；采用高温层压的工艺将覆盖面层粘结在激光的刻蚀面；

s4：将贴完覆盖膜的产品，对另一面进行酸性或者碱性的蚀刻；

s5：将反面金属蚀刻完的产品，按正常的线路板流程进行后道工序的制作。

2.如权利要求1所述的一种超细厚导体线路板制作工艺，其特征在于：所述步骤s1中，激光刻蚀的深度为：从刻蚀面，激光光束刻蚀完第一层金属，刻蚀至第一种金属与第二种金属的结合处，激光光束可以伤第二层金属表面的厚度范围为0.1um-2000um；两种金属层的每层厚度为：1um-2000um之间；且根据需要，每层厚度可以不相同；激光刻蚀的线路图形与间距范围为1um-10000um之间。

3.如权利要求1所述的一种超细厚导体线路板制作工艺，其特征在于：所述步骤s1中，所述金属复合板中的2种不同的金属上下采用：冷轧、热轧，爆炸复合法，爆炸轧制法，分子扩散焊法，高温压合法，超声波焊接法，中间融锡焊接法，将2种不同物质的金属焊接在一起,高温键合法进行上下层的粘结；或者采用电镀法，喷锡法等，化学镀，水镀2等工艺，在一层金属箔/合金箔上附着另一层金属。

4.如权利要求1所述的一种超细厚导体线路板制作工艺，其特征在于：所述激光光束为光纤激光，co2激光，uv激光器，绿光激光器，红外激光器，准分子激光器，深紫外激光器；所述激光器的波长为：199nm-1064nm之间。

5.如权利要求1所述的一种超细厚导体线路板制作工艺，其特征在于：所述金属复合板为铜铝复合板，铜与不锈钢复合板，铜锡复合板，铜硅复合板，铝与不锈钢复合板，铝锡复合板，铝硅复合板，铜与钨复合板，铜与铬复合板，铝与铬复合板，以及其它金属与合金的复合板。

6.如权利要求1所述的一种超细厚导体线路板制作工艺，其特征在于：所述步骤s3中，贴附覆盖膜可以为无胶结构的，也可以为有胶结构的，胶水的种类：丙烯酸类胶粘剂、环氧或改性环氧类胶粘剂，酚醛－缩丁醛类胶粘剂等高分子粘结胶水；覆盖膜的选着可以为：聚醯亚胺pi，peek，tpi，ptfe,pps，pet，pp,尼龙lcp液晶聚合物(liquidcrystalpolymer)、pen,氮铝与氧化铝陶瓷或特富龙，木材，pcb的环氧玻璃纤维，fr4纤维板，木浆板，酚醛板或者其它具有绝缘的膜。

7.如权利要求1所述的一种超细厚导体线路板制作工艺，其特征在于：所述步骤s3中，层压覆盖面绝缘层前：可以在清洁后的激光刻蚀的线路槽体中通过印刷，涂覆，浸泡等工艺，填入绝缘的高分子粘合剂胶体。

8.如权利要求1所述的一种超细厚导体线路板制作工艺，其特征在于：所述步骤s4中，药水只对激光光束刻蚀面的反面金属进行反应蚀刻，不会对刻蚀面的金属层进行反应蚀刻。

技术总结
本发明提供一种超细厚导体线路板制作工艺，包括以下步骤，S1：将金属复合板中的一面通过激光的光束刻蚀，刻蚀至另一种金属，形成所需要的电路图形与线路；S2：采用PCB/FPC与半导体等线路的常用清洁方法对激光光束刻蚀加工面进行清洁；S3：清洁完后，在激光的刻蚀面，贴上覆盖膜；采用高温层压的工艺将覆盖面层粘结在激光的刻蚀面；S4：将贴完覆盖膜的产品，对另一面进行酸性或者碱性的蚀刻，本申请的应用面广，且可达到较好的制造效果。

技术研发人员：吴子明
受保护的技术使用者：深圳光韵达激光应用技术有限公司;吴子明;曹汉宜
技术研发日：2020.12.25
技术公布日：2021.04.30