一种双MOS管一键开机控制电路的制作方法

本实用新型涉及开关领域，具体是一种双mos管一键开机控制电路。

背景技术：

主控芯片是主板或者硬盘的核心组成部分，是联系各个设备之间的桥梁，也是控制设备运行工作的大脑。在主板中，两大芯片是最重要的，一个是南桥芯片，它控制着扩展槽，usb接口，串口，并口，1394接口，vga接口，等，它主要负责外部接口和内部cpu的联系，而另一个是北桥芯片，它控制着cpu的类型，型号，主板的总线频率，内存类型，容量，显卡，等。

现有的控制电路大部分都需要两个按键分别进行开关机的控制，其功能较为落后，有待于改进。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种双mos管一键开机控制电路，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种双mos管一键开机控制电路，包括开关s1、电源e、mos管q1、mos管q2和mos管q3，所述电源e的正极连接电阻r2、电阻r2和mos管q3的源极，mos管q3的栅极连接电阻r3、mos管q1的漏极和mos管q2的漏极，电阻r2的另一端连接开关s1，开关s1的另一端连接电阻r1和mos管q1的栅极，电阻r1的另一端连接电源e的负极、mos管q2的源极和主控芯片u1的接地端，mos管q3的漏极连接主控芯片u1的电源端vin，mos管q3的漏极连接主控芯片u1的信号输出端do。

作为本实用新型的进一步方案：所述开关s1为按键开关。

作为本实用新型的进一步方案：所述mos管q1为n-mos管。

作为本实用新型的进一步方案：所述mos管q2为p-mos管。

作为本实用新型的进一步方案：所述mos管q3为p-mos管。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型双mos管一键开机控制电路通过一个按键即可完成开机功能，并且利用芯片自身的输出信号在开机后可以进行自锁控制，满足芯片的持续供电。

附图说明

图1为本实用新型的电路图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1，一种双mos管一键开机控制电路，包括开关s1、电源e、mos管q1、mos管q2和mos管q3，所述电源e的正极连接电阻r2、电阻r2和mos管q3的源极，mos管q3的栅极连接电阻r3、mos管q1的漏极和mos管q2的漏极，电阻r2的另一端连接开关s1，开关s1的另一端连接电阻r1和mos管q1的栅极，电阻r1的另一端连接电源e的负极、mos管q2的源极和主控芯片u1的接地端，mos管q3的漏极连接主控芯片u1的电源端vin，mos管q3的漏极连接主控芯片u1的信号输出端do。

开关s1为按键开关。mos管q1为n-mos管。mos管q2为p-mos管。mos管q3为p-mos管。未按下开关s1之前，mos管q1、q2、q3都处于截止状态，并未导通，所以主控芯片u1的vin电位为0v，整个电路不工作。当按下s1按键后，mos管q1导通，mos管q1导通后使得mos管q3导通，vin约等于电源e的输出电压，vin给整个芯片系统供电。主控芯片u1系统上电后，拉高do对应的引脚，使得mos管q2导通，mos管q2导通后自然mos管q3也就导通了，这时开关s1松开，那么系统已经保持住了开机状态，以此达到一键开机的功能。

对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

技术特征：

1.一种双mos管一键开机控制电路，包括开关s1、电源e、mos管q1、mos管q2和mos管q3，其特征在于，所述电源e的正极连接电阻r2、电阻r2和mos管q3的源极，mos管q3的栅极连接电阻r3、mos管q1的漏极和mos管q2的漏极，电阻r2的另一端连接开关s1，开关s1的另一端连接电阻r1和mos管q1的栅极，电阻r1的另一端连接电源e的负极、mos管q2的源极和主控芯片u1的接地端，mos管q3的漏极连接主控芯片u1的电源端vin，mos管q3的漏极连接主控芯片u1的信号输出端do。

2.根据权利要求1所述的一种双mos管一键开机控制电路，其特征在于，所述开关s1为按键开关。

3.根据权利要求1所述的一种双mos管一键开机控制电路，其特征在于，所述mos管q1为p-mos管。

4.根据权利要求1所述的一种双mos管一键开机控制电路，其特征在于，所述mos管q2为p-mos管。

5.根据权利要求1-4任一所述的一种双mos管一键开机控制电路，其特征在于，所述mos管q3为n-mos管。

技术总结
本实用新型公开了一种双MOS管一键开机控制电路，包括开关S1、电源E、MOS管Q1、MOS管Q2和MOS管Q3，所述电源E的正极连接电阻R2、电阻R2和MOS管Q3的源极，MOS管Q3的栅极连接电阻R3、MOS管Q1的漏极和MOS管Q2的漏极，电阻R2的另一端连接开关S1，开关S1的另一端连接电阻R1和MOS管Q1的栅极，电阻R1的另一端连接电源E的负极、MOS管Q2的源极和主控芯片U1的接地端，MOS管Q3的漏极连接主控芯片U1的电源端VIN，MOS管Q3的漏极连接主控芯片U1的信号输出端DO。本实用新型双MOS管一键开机控制电路通过一个按键即可完成开机功能，并且利用芯片自身的输出信号在开机后可以进行自锁控制，满足芯片的持续供电。

技术研发人员：段瑞华
受保护的技术使用者：段瑞华
技术研发日：2020.03.05
技术公布日：2020.09.22