共源共栅结构、输出结构、放大器与驱动电路的制作方法

文档序号:26225049发布日期:2021-08-10 14:36阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种共源共栅结构,其特征在于,所述共源共栅结构中的共栅结构的偏置电压由其自身提供,所述共源共栅结构具有第一节点、第二节点、第三节点、第四节点、第五节点。

2.如权利要求1所述的共源共栅结构,其特征在于,所述共源共栅结构的共栅结构包括:

第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管的栅极、漏极和所述第二晶体管的栅极均连接所述第一节点,所述第二晶体管的漏极连接所述第二节点。

3.如权利要求2所述的共源共栅结构,其特征在于,所述共源共栅结构的共源结构包括:

第三晶体管和第四晶体管,所述第三晶体管的漏极连接所述第一晶体管的源极,所述第四晶体管的漏极连接所述第二晶体管的源极,所述第三晶体管的源极与所述第四晶体管的源极均连接所述第三节点,所述第三晶体管的栅极连接所述第四节点,所述第四晶体管的栅极连接所述第五节点。

4.如权利要求3所述的共源共栅结构,其特征在于,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管的类型相同。

5.一种放大器,其特征在于,包括:

如权利要求1至4任一项所述的共源共栅结构,所述共源共栅结构中的所述第四节点和所述第五节点分别作为所述放大器的第一输入端口和第二输入端口;

电流源,包括两个端口,所述电流源的第一端口连接所述第三节点;

负载结构,包括四个端口,所述负载结构的第一端口连接所述第一节点,所述负载结构的第二端口连接所述第二节点,所述负载结构的第二端口作为所述放大器的输出端口。

6.如权利要求5所述的放大器,其特征在于,所述电流源的晶体管类型与所述共源共栅结构的晶体管类型相同。

7.如权利要求5所述的放大器,其特征在于,所述负载结构包括:

第五晶体管和第六晶体管,所述第五晶体管的栅极、漏极均与所述第六晶体管的栅极连接,所述第五晶体管的漏极作为所述负载结构的第一端口,所述第六晶体管的漏极作为所述负载结构的第二端口,所述第五晶体管的源极作为所述负载结构的第三端口,所述第六晶体管的源极作为所述负载结构的第四端口。

8.如权利要求5所述的放大器,其特征在于,所述负载结构中的晶体管类型与所述共源共栅结构的晶体管类型不同。

9.如权利要求7所述的放大器,其特征在于,所述电流源的第二端口接地,所述负载结构的所述第三端口和所述第四端口均连接电源。

10.如权利要求7所述的放大器,其特征在于,所述电流源的第二端口连接电源,所述负载结构的所述第三端口和所述第四端口均接地。

11.一种输出结构,其特征在于,所述输出结构中的晶体管的偏置电压均由所述输出结构自身提供,所述输出结构包括第一节点、第二节点、第六节点、第七节点、第八节点、第九节点。

12.如权利要求11所述的输出结构,其特征在于,所述输出结构包括:

第一晶体管、第二晶体管、第五晶体管、第六晶体管,所述第一晶体管的栅极、所述第二晶体管的栅极、所述第一晶体管的漏极、所述第五晶体管的漏极均连接所述第一节点,所述第二晶体管的漏极、所述第六晶体管的漏极均连接所述第二节点,所述第一晶体管的源极连接所述第六节点,所述第二晶体管的源极连接所述第七节点,所述第五晶体管的源极连接所述第八节点,所述第六晶体管的源极连接所述第九节点,所述第二节点作为所述输出结构的输出端口。

13.如权利要求12所述的输出结构,其特征在于,所述第一晶体管和所述第二晶体管为n型晶体管,所述第五晶体管和所述第六晶体管为p型晶体管。

14.一种放大器,其特征在于,包括:

如权利要求11至13任一项所述的输出结构,所述输出结构的输出端口作为所述放大器的输出端口;

输入结构,包括五个端口,所述输入结构的第一输出端口和第二输出端口均连接所述输出结构,所述输入结构的第一输入端口和第二输入端口分别作为所述放大器的第一输入端口和第二输入端口;

电流源,包括两个端口,所述电流源的第一端口连接所述输入结构的第五端口。

15.如权利要求14所述的放大器,其特征在于,所述电流源的第二端口接地,所述输入结构的第一输出端口连接所述第六节点,所述输入结构的第二输出端口连接所述第七节点,所述输出结构的所述第八节点和所述第九节点均连接电源。

16.如权利要求14所述的放大器,其特征在于,所述电流源的第二端口连接电源,所述输入结构的第一输出端口连接所述第八节点,所述输入结构的第二输出端口连接所述第九节点,所述输出结构的所述第六节点和所述第七节点均接地。

17.一种驱动电路,其特征在于,包括:

第一放大器,为如权利要求5~10或14~16任一项所述的放大器,第一输入端连接第一参考电压,第二输入端连接第十节点;

第二放大器,为如权利要求5~10或14~16任一项所述的放大器,第一输入端连接第二参考电压,第二输入端连接所述第十节点;

第一驱动晶体管,栅极连接所述第一放大器的输出端,源极连接电源,漏极连接所述第十节点;

第二驱动晶体管,栅极连接所述第二放大器的输出端,源极接地,漏极连接所述第十节点,所述第十节点作为所述驱动电路的输出端。

18.如权利要求17所述的驱动电路,其特征在于,所述第一驱动晶体管为p型晶体管,所述第二驱动晶体管为n型晶体管。

19.如权利要求17所述的驱动电路,其特征在于,所述第一驱动晶体管与所述第二驱动晶体管均为n型晶体管或均为p型晶体管。

20.如权利要求17所述的驱动电路,其特征在于,所述第一参考电压与所述第二参考电压不相等。

21.如权利要求17所述的驱动电路,其特征在于,还包括:

参考电压产生电路,用于产生所述第一参考电压和所述第二参考电压,第一参考电压和所述第二参考电压均可调节。

22.如权利要求21所述的驱动电路,其特征在于,所述第一放大器、所述第二放大器、所述第一驱动晶体管、所述第二驱动晶体管均由第一电源供电,所述参考电压产生电路由第二电源供电。

23.如权利要求22所述的驱动电路,其特征在于,所述第一电源的电压值大于所述第二电源的电压值。


技术总结
本公开提供一种共源共栅结构、输出结构、放大器与驱动电路。共源共栅结构中的共栅结构的偏置电压由其自身提供,输出结构中的晶体管的偏置电压均由其自身提供,共源共栅结构具有第一节点、第二节点、第三节点、第四节点、第五节点。放大器包括上述共源共栅结构和/或上述输出结构,驱动电路包括上述放大器。本公开实施例提供的放大电路无需设置偏置电路即可实现电压放大。

技术研发人员:朱磊
受保护的技术使用者:长鑫存储技术(上海)有限公司
技术研发日:2020.12.07
技术公布日:2021.08.10
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