一种电路板及其制备方法、通信设备与流程

1.本技术涉及到电路板技术领域，尤其涉及到一种电路板及其制备方法、通信设备。


背景技术：

2.随着ar/vr、5g、云计算等ict应用技术推广，芯片工艺从14nm走向5nm，器件密度和功率快速上升，微电子元件耗散功率越来越大而封装尺寸越来越小，对数通、服务器、能源电路板的板级散热、通流、密度提出了越来越高的要求。传统电路板的板级散热路径如图1所示，通过芯片或器件周边的铜层通道、molding材料、电路板板材耗散。
3.热性能但极大挤占了布局布线的空间，并且铜块和厚铜层均是高成本物料。采用厚铜层或埋嵌铜块的技术方案，实现高通流、高散热必须降低产品的集成密度，电路板层数和板厚增加，产品制造成本升高，技术路线已经遇到了瓶颈。


技术实现要素：

4.本技术提供了一种电路板及其制备方法、通信设备，用以改善电路板与对端电路板插拔时的安全性。
5.第一方面，提供了一种电路板，该电路板包括多个层叠设置的层结构，多个层结构中包括相邻的第一层结构和第二层结构。其中，第一层结构包括用于承载电路的第一介质层，第一介质层具有一个第一设置面，第一层结构还包括设置在第一设置面的第一电路层，以及埋设在第一介质层内的第二电路层。上述第一电路层和第二电路层中，第一电路层的厚度大于第二电路层的厚度，所述第二电路层的电路密度大于所述第一电路层的电路密度。第二层结构包括第二介质层，第一电路层压入到所述第二介质层内。在上述技术方案中，通过在第一层结构中设置厚度不同的两个电路层，其中，第一电路层可具备散热功能，第二电路层可作为精细电路，从而在电路板内获得具有局部厚铜+精细线路共层，提升电路板的通流、散热性能，降低电路板的厚度。
6.在一个具体的可实施方案中，所述第二电路层位于所述第一介质层中靠近所述第一设置面的一侧。方便电路板的制备。
7.在一个具体的可实施方案中，所述第二电路层埋设在所述第一电路层的线路间隙对应的区域。提高第一电路层和第二电路层之间的隔离度。
8.在一个具体的可实施方案中，所述第一介质层还具有背离所述第一设置面的第二设置面；所述第二设置面设置有第三电路层。通过第一电路层和第三电路层线对设置在第一介质层的两面，平衡第一层结构在受热后的形变。
9.在一个具体的可实施方案中，所述第一电路层的覆铜率与所述第三电路层的覆铜率的比值介于80％～120％。通过第一电路层和第三电路层线对设置在第一介质层的两面，平衡第一层结构在受热后的形变。
10.在一个具体的可实施方案中，所述多个层结构还包括第三层结构，所述第三层结构包括第三介质层，所述第三电路层压入到所述第三介质层内。
11.在一个具体的可实施方案中，所述多个层结构中的电路层通过过孔连接。
12.在一个具体的可实施方案中，所述第二介质层具有背离所述第一设置面的第三设置面，所述第二层结构还包括设置在所述第三设置面的第四电路层。
13.在一个具体的可实施方案中，所述第一层结构的个数为至少两个，且相邻的第一层结构之间至少间隔有一个所述第二层结构。
14.第二方面，提供了一种电路板的制备方法，该制备方法包括以下步骤：
15.制备第一铜层；
16.在所述第一铜层上制备隔离层，并在所述隔离层制备第二电路层；
17.形成第一介质层；且第一介质层包裹所述第二电路层；
18.刻蚀所述第一铜层，并形成第一电路层；所述第二电路层部分外露在所述第一设置面；所述第二电路层外露在所述第一设置面的部分与所述第一电路层电隔离；
19.制备第二介质层，所述第一电路层压入到所述第二介质层。
20.在上述技术方案中，通过在第一层结构中设置厚度不同的两个电路层，其中，第一电路层可具备散热功能，第二电路层可作为精细电路，从而在电路板内获得具有局部厚铜+精细线路共层，提升电路板的通流、散热性能，降低电路板的厚度。
21.在一个具体的可实施方案中，所述在所述第一铜层上制备隔离层，并在所述隔离层制备第二电路层，具体为：
22.在所述第一铜层上制备刻蚀层；
23.刻蚀所述刻蚀层形成与第二电路层对应的刻蚀图案；
24.在所述刻蚀图案内制备隔离层；
25.在所述刻蚀图案中填充铜金属形成第二电路层。
26.在一个具体的可实施方案中，所述在所述第一铜层上制备隔离层，并在所述隔离层制备第二电路层，具体为：
27.在所述隔离层上制备第二铜层；
28.在所述第二铜层上制备与第二电路层对应的刻蚀层；
29.根据所述刻蚀图案刻蚀第二铜层形成第二电路层。
30.在一个具体的可实施方案中，所述制备方法还包括：
31.在所述第一介质层背离所述第二介质层的一面设置第三电路层。
32.在一个具体的可实施方案中，所述第一电路层的覆铜率与所述第三电路层的覆铜率的比值介于80％～120％。
33.第三方面，提供了一种通信设备，该通信设备包括电路板以及设置在所述电路板上的芯片，其中，所述电路板为上述任一项所述的电路板。在上述技术方案中，通过在第一层结构中设置厚度不同的两个电路层，其中，第一电路层可具备散热功能，第二电路层可作为精细电路，从而在电路板内获得具有局部厚铜+精细线路共层，提升电路板的通流、散热性能，降低电路板的厚度。
附图说明
34.图1为现有技术中电路板的应用示意图；
35.图2为本技术实施例提供的电路板的结构示意图；
36.图3为本技术实施例提供的第一层结构的示意图；
37.图4为本技术实施例提供的第一层结构、第二层结构和第三层结构的示意图；
38.图5～图15为本技术实施例提供的电路板的制备流程图；
39.图16～图27为本技术实施例提供的电路板的另一制备流程图；
40.图28为现有技术中的电路板的结构示意图；
41.图29为本技术实施例提供的电路板的结构示意图。
具体实施方式
42.本技术实施例提供的电路板可应用于数通设备、服务器、能源设备，用于承载上述设备中的电路板，而随着ar/vr、5g、云计算等ict应用技术推广，芯片的器件密度和功率快速上升，微电子元件耗散功率越来越大而封装尺寸越来越小，因此对电路板的散热要求越来越高。如图1中所示的一种现有技术中的电路板，电路板包含有多层结构，多层结构中均包含有电路层3。在与芯片2连接时，芯片2与电路板1的电路层3连接。芯片2产生的热量通过电路板的电路层33导出(如图1中所示的箭头代表的热量的传递方向)，以实现对芯片2 的散热。
43.现有技术中的电路板为提高散热效率，往往采用在电路板的内层形成厚铜层和埋嵌铜块，如在图1所示的电路板内部的层结构中增加厚铜层或埋嵌铜块，以此提升电路板的传热性能，但是增加的厚铜层或埋嵌铜块极大挤占了布局布线的空间，并且铜块和厚铜层均是高成本物料，会极大的提升电路板的成本。为此本技术实施例提供一种电路板，用于改善电路板的散热效率，提升电路板的集成密度。下面结合具体的附图详细说明本技术实施例提供的电路板结构。
44.参考图2，图2示出了本技术实施例提供的电路板的层结构示意图。电路板包括多个层结构，多个层结构沿第一方向排列，第一方向为电路板的厚度方向。电路板的层结构包含有电路层以及承载电路层的介质层，在图2中用黑色条状代表电路层，其他填充图案的层代表介质层。应理解，在多个层层结构叠时，相邻的层结构之间的电路层之间隔离，不同层的电路层之间可通过过孔连接，具体的过孔的连接方式可根据电路板的实际功能设计，在本技术实施例中不做具体限定。
45.电路板在使用过程中，除需要承担承载电路外，还需要作为芯片的散热通道。为改善电路板的散热效果，在本技术实施例提供的电路板设置了第一层结构10，第一层结构10用于承担电路板的主要散热功能。
46.继续参考图2，第一层结构10的个数可以为一个、两个或者多个(三个及三个以上)等不同的个数，在第一层结构10为至少两个时，相邻的第一层结构10之间至少间隔有一个第二层结构20。如图2中所示的，第一层结构10的个数为两个，两个第一层结构10之间间隔有一个第二层结构20。
47.应理解，本技术实施例提供的第一层结构10可为电路板中的任一层结构。在图2中示例出了第一层结构10为电路板内部的一个层结构的示意图，但是在本技术实施例中，不具体限定第一层结构10所在位置。第一层结构10即可为电路板的内部的层结构，也可为位于电路板表面的层结构。在第一层结构10位于电路板的内部时，电路板还包括与其相邻的第二层结构20和第三层结构30。当然，在第一层结构10位于电路板的表面层结构时，电路板
还可包含与第一层结构10相邻的第二层结构20或者第三层结构30。
48.参考图3，图3中示出了第一层结构10的结构示意图。第一层结构10包含有第一介质层11。第一介质层11具有第一设置面111和第二设置面112，第二设置面112背离第一设置面111。结合图2所示的结构，第一设置面111为朝向第二层结构20的一表面，在第一层结构10与第二层结构20连接时，第一设置面111用于与第二层结构20连接。第二设置面112 为朝向第三层结构30的以表面，在第一层结构10与第三层结构30连接时，第二设置面112 用于与第三层结构30连接。
49.第一层结构10除包含第一介质层11外，还包括第一电路层12和第二电路层13。第一电路层12和第二电路层13通过第一介质层11承载。具体的，第一电路层12设置在第一设置面111，并外露在第一介质层11外。在第一层结构10与第二层结构20相邻时，第一电路层12压入到第二层结构内。
50.作为一个可选的方案，第一电路层12具有高平整性的表面，以使得第一电路层12压入到第二层结构内时具有更好的压合均匀性。
51.第二电路层13埋设在第一介质层11内，示例性的，第二电路层13位于第一介质层11 中靠近第一设置面111的一侧。参考图2所示的结构，第二电路层13和第一电路层12以第一设置面111为分界线，第一电路层12位于第一介质层11外，第二电路层13位于第一介质层11内。另外，第二电路层13部分外露在第一设置面111，且第二电路层13外露在第一设置面111的部分与第一电路层12电隔离。
52.作为一个可选的方案，在图2中示例出了第一电路层12和第二电路层13完全不重叠的情况。为方便描述将第一电路层12对应的区域命名为第一区域，第二电路层13对应的区域为第二区域。第一区域和第二区域完全不重叠，也可理解为第二电路层13埋设在第一电路层 12的线路间隙对应的区域。
53.在设置上述第一电路层12和第二电路层13时，第一电路层12和第二电路层13满足：第一电路层12的厚度大于第二电路层13的厚度。示例性的，第一电路层12的厚度介于2-3oz，如第一电路层12的厚度为2oz、2.5oz、3oz等不同的厚度；第二电路层13的厚度介于0.1～1oz，如第二电路层13的厚度为0.1oz、0.5oz、1oz等不同的厚度。
54.由于第一电路层12的厚度较大，第一电路层12无法刻蚀形成电路密度较高的电路图案，因此第一电路层12只能制备形成电路密度较低的电路图案，示例性的，第一电路层12可实现4mil线宽的电路，如第一电路层12中的电路的线宽可以为4mil、4.5mil、5mil等不同的宽度。另外，由于第一电路层12的厚度较大，因此，第一电路层12可作为电路板的主要散热结构，电路板上设置的器件(如芯片)可通过第一电路层12散热，电路板内无需再额外埋设铜块作为散热结构。
55.第二电路层13的厚度较小，第二电路层13可刻蚀形成电路密度较高的电路图案，因此第二电路层13可制备形成比较精细的电路，示例性的，第二电路层13可实现≥1mil线宽的高精细线路。如第二电路层13的线宽可为1mil、1.5mil、2mil等不同的厚度。
56.由上述结构可看出，在采用第一层结构10时，通过第一电路层12和第二电路层13实现了局部厚铜(第一电路层12)+精细线路(第二电路层13)共层的结构，从而可提升电路板的通流、散热性能，降低电路板的厚度。
57.作为一个可选的方案，第一层结构10还包括第三电路层14，第三电路层14设置在
第二设置面112。在设置第一电路层12和第三电路层14时，第一电路层12和第三电路层14采用类对称的方式分列在第一介质层11的两面。第三电路层14也承载一部分电路板的散热效果。在制备时，第一电路层12的覆铜率(单位面积中覆盖铜的比例)和第三电路层14的覆铜率可近似相等。在电路板受热膨胀时，第一电路层12和第三电路层14具有相同的膨胀系数，从而改善第一介质层11在受热后发生翘曲的情况，减少产生的应力。
58.示例性的，第一电路层12的覆铜率与第三电路层14的覆铜率的比值介于80％～120％。如第一电路层12的覆铜率与第三电路板的覆铜率的比值为：80％、90％、100％、110％、110％、 120％等不同的比值。
59.另外，第三电路层14的厚度与第一电路层12的厚度也近似相等，两者的比值也介于 80％～120％之间。如第一电路层12的厚度与第三电路板的厚度的比值为：80％、90％、100％、 110％、110％、120％等不同的比值。
60.在上述实施例中，第一层结构10中设置了两层厚铜层(第一电路层12和第三电路层14)，因此，通过第一电路层12和第三电路层14可改善电路板的散热效果。
61.参考图4，图4示出了第一层结构10、第二层结构20和第三层结构30层叠的结构示意图。第一层结构10、第二层结构20和第三层结构30在层叠时，第一层结构10的第一介质层11、第二层结构20的第二介质层21和第三层结构30的第三介质层31层叠并连接。另外，第一电路层12压入到第二介质层21中，第三电路层14压入到第三介质层31中。从而使得第一电路层12和第二电路层13不会额外的占用电路板的厚度。
62.另外，第二介质层21具有背离第一设置面111的第三设置面(图中未标示)，第二层结构20还包括设置在第三设置面的第四电路层22。第三介质层31具有背离第二设置面的第四设置面(图中未标示)，第三层结构30还包括设置在第四设置面的第五电路层32。在第二层结构20和第三层结构30上分别设置电路层，提升电路板内的电路层密度。
63.为方便理解本技术实施例提供的电路板，下面结合具体的制备方法来说明本技术实施例提供的电路板。
64.本技术实施例提供的电路板的制备方法包括以下步骤：
65.步骤001：制备第一铜层。
66.参考图5，将1-2oz或以上的铜箔、可剥胶200(可脱落的一种黏结材料)、刚性支撑基板100压合在一起，使厚铜箔平整固定。在刚性支撑基板100上涂覆可剥胶200，铜箔通过可剥胶200与支撑基板100粘接连接。其中，铜箔作为第一铜层300，该第一铜层300用于在后续步骤中制备形成第一电路层。因此第一铜层300的厚度需要满足第一电路层对厚度的要求。
67.应理解，上述可剥胶200不限于材料，只需满足以下条件：1)在第一层结构压合过程中，可以将第一铜层300粘接在刚性支撑基板100；2)在制备完成第一层结构后，将第一层结构和第二层结构压合(第一电路层压入第二介质层内)前，可将刚性支撑基板100与第一铜层 300剥离。示例性的，可剥胶200可为离型材料制备的胶。
68.上述刚性支撑基板100不限于材料，只需要刚性支撑基板100满足以下条件：1)刚性支撑基板100与可剥胶200粘接以将第一铜层300固定，满足对第一铜层300的刚性支撑要求； 2)满足第一次压合(将第二电路层压入第一介质层内)的温度压力条件；3)满足将第一层结构和第二层结构压合(第一电路层压入第二介质层内)前，可跟随可剥胶200一起从第
一铜层300剥离的特点即可。示例性的，刚性支撑基板100的材料可以为树脂、橡胶等。
69.步骤002：在第一铜层上制备隔离层，并在隔离层制备第二电路层；
70.具体可包含以下步骤：
71.a)如图6所示，在第一铜层300上制备刻蚀层400。即在第一铜层300露出的一侧(第一铜层300背离刚性支撑基板100的一侧)贴覆干膜或光刻胶类材料，上述干膜或光刻胶类材料作为刻蚀层400。
72.b)刻蚀刻蚀层400形成与第二电路层对应的刻蚀图案401。上述刻蚀可通过干刻蚀或者湿刻蚀的方式制备而成，在本技术实施例中不做具体限定。应理解，图6中所示的为电路板的剖视图，因此在图6中仅示例出了两个缺口，但是在本技术实施例中形成的刻蚀图案401 与形成的电路图案匹配，根据形成的刻蚀图案401可形成第二电路层。应理解，上述刻蚀图案401可实现≥1mil线宽的高精细线路。如刻蚀形成的图案的线宽为1mil、1.5mil、2mil、2.5mil 等不同的宽度。
73.c)如图7中所示，在刻蚀图案401内制备隔离层500。在干膜或光刻胶材料的图形中进行电镀，先电镀一层保护层金属，以将第一铜层300与即将制备的第二电路层13隔离。上述保护层金属即为将第一铜层300和第二电路层13隔离的隔离层500。上述隔离层500可采用不同的导电金属，如锡、铝等常见的金属。
74.电镀形成的隔离层500不限于材料和工艺，只需要满足可以形成在形成的刻蚀图案401 内，并可以导电使得第一电路层通过电镀形成，在第一铜层300蚀刻过程中可以遮盖第一电路层，防止第一电路层被蚀刻的功能即可。另外，该隔离层500的材料还需满足可以通过一定方式去除。
75.d)在刻蚀图案401中填充铜金属形成第二电路层13。
76.继续参考图7，通过电镀的方式在填充层内形成第二电路层13，其中，电镀的铜层形成在隔离层500上，以避免第二电路层13与第一铜层300粘连在一起。
77.步骤003：形成第一介质层；且第一介质层包裹第二电路层。
78.参考图8，在形成第二电路层13后，剥除刻蚀层(干膜或者光刻胶材料)，形成的第二电路层13与第一铜层300层叠，并位于第一铜层300背离刚性支撑基板的一面。
79.参考图9，在第一铜层300的表面(背离刚性支撑基板的表面)覆盖一张半固化片材料，该半固化片材料为制备第一介质层11的材料，只需要满足在一定温度和压力条件下可以与第一铜层300进行粘接，并可以填充一定程度的空间的材料即可应用在本技术实施例中，如半固化片材料可为树脂或者其他可制备电路板的结构层的材质。在半固化片材料覆盖在第一铜层300时，第二电路层13及承载第二电路层13的隔离层500被压入到半固化材料内，在半固化材料形成第一介质层11时，第二电路层13即可被埋入在第一介质层11内。
80.如图10所示，作为一个可选的方案，该制备方法还包括在半固化片材料上形成第二铜层 600，该第二铜层600用于形成第一层结构的第三电路。第二铜层600的厚度与第一铜层300 的厚度相同或近似相同。
81.步骤004：刻蚀第一铜层，并形成第一电路层；第二电路层部分外露在第一设置面；第二电路层外露在第一设置面的部分与第一电路层电隔离。
82.参考图11，将可剥胶200和刚性支撑基板100从第一铜层300上剥除，露出第一铜层300 的另一侧铜面。
83.参考图12和图13，在第一铜层300的表面贴覆刻蚀层700(干膜或光刻胶材料)，并在刻蚀层700上形成与第一电路层12对应的刻蚀图案。对第一铜层300进行蚀刻，形成第一电路层12的图形。
84.作为一个可选的方案，在第一层结构包含有第二铜层600时，也通过在第二铜层600上形成刻蚀层800，之后根据刻蚀层800的图案形成第三电路层14，在此不再赘述。
85.参考图14，褪除表面的刻蚀层700和刻蚀层800(干膜或光刻胶材料)。
86.参考图15，褪除第二电路层13表面的隔离层，获得一张同层外侧厚铜(第一电路层12 和第三电路层14)、基材内侧走细线路(第二电路层13)的电路板内层板或子板。
87.步骤005：将第一结构层与其余层结构层叠，高温压合形成多层电路板。
88.具体的，包含制备第二介质层，第一电路层压入到第二介质层。制备第三介质层，第三电路层压入到第三介质层。
89.采用相同的步骤制备其余层结构形成如图2所示的电路板。
90.本技术实施例还提供了另一种电路板的制备方法，具体制备方法包括以下步骤：
91.步骤010：制备第一铜层。
92.参考图16中所示，将1-2oz或以上的铜箔、可剥胶200(可脱落的一种黏结材料)、刚性支撑基板100压合在一起，使厚铜箔平整固定。在支撑基板100上涂覆可剥胶200，铜箔通过可剥胶200与支撑基板100粘接连接。其中，铜箔作为第一铜层300，该第一铜层300用于在后续步骤中制备形成第一电路层。因此第一铜层300的厚度需要满足第一电路层对厚度的要求。
93.应理解，上述可剥胶200不限于材料，只需满足以下条件：1)在第一层结构压合过程中，可以将第一铜层300粘接在刚性支撑基板100；2)在制备完成第一层结构后，将第一层结构和第二层结构压合(第一电路层压入第二介质层内)前，可将刚性支撑基板100与第一铜层 300剥离。示例性的，可剥胶200可为离型材料制备的胶。
94.上述刚性支撑基板100不限于材料，只需要刚性支撑基板100满足以下条件：1)刚性支撑基板100与可剥胶200粘接以将第一铜层300固定，满足对第一铜层300的刚性支撑要求； 2)满足第一次压合(将第二电路层压入第一介质层内)的温度压力条件；3)满足将第一层结构和第二层结构压合(第一电路层压入第二介质层内)前，可跟随可剥胶200一起从第一铜层300剥离的特点即可。示例性的，刚性支撑基板100的材料可以为树脂、橡胶等。
95.步骤020：在第一铜层上制备隔离层，并在隔离层制备第二电路层；
96.参考图17，上述步骤包括以下步骤：
97.a)如图17所示，在第一铜层200上制备隔离层510。即在第一铜层200露出的一侧(第一铜层200背离刚性支撑基板100的一侧)电镀形成一层隔离层510，电镀形成的隔离层510 不限于材料和工艺，只需要满足可以形成在形成的刻蚀图案内，并可以导电使得第一电路层通过电镀形成，在第一铜层200蚀刻过程中可以遮盖第一电路层，防止第一电路层被蚀刻的功能即可。另外，该隔离层510的材料还需满足可以通过一定方式去除。上述隔离层510可采用不同的导电金属，如锡、铝等常见的金属。
98.b)如图18所示，在隔离层510上形成第二铜层610。具体的，在隔离层510上直接制备形成第二铜层610，该第二铜层610用于形成第一层结构的第二电路层。在具体制备时，可通过电镀的方式在隔离层510上直接制备形成第二铜层610。
99.c)在第二铜层610上制备与第二电路层对应的刻蚀层710。
100.如图19所示，在第二铜层610上制备形成刻蚀层710(干膜或刻蚀材料)。上述刻蚀层 710用于对应形成第二电路层的图案，以遮挡不需要刻蚀的第二铜层610的部位。
101.参考图20，刻蚀上述刻蚀层710形成与第二电路层相对应的图案，在本技术实施例中不做具体限定。应理解，图16中所示的为电路板的剖视图，因此在图16中仅示例出了两个刻蚀形成凸起，该凸起遮挡的第二铜层610的部位即为第二铜层610需要保留的部分。但应理解在本技术实施例中形成的刻蚀图案与形成的电路图案匹配，根据形成的刻蚀图案可形成第二电路层。上述刻蚀图案可实现≥1mil线宽的高精细线路。如刻蚀形成的图案的线宽为1mil、 1.5mil、2mil、2.5mil等不同的宽度。
102.d)根据刻蚀图案刻蚀第二铜层形成第二电路层13。
103.如图21所示，刻蚀第二铜层，由于第二铜层中部分位置被刻蚀图案遮挡，因此该刻蚀图案下方的铜层被保留，以形成第二电路层13。
104.步骤030：形成第一介质层；且第一介质层包裹第二电路层。
105.参考图22，在形成第二电路层13后，剥除刻蚀层(干膜或者光刻胶材料)，形成的第二电路层13与第一铜层300层叠，并位于第一铜层300背离刚性支撑基板100的一面。
106.参考图23，刻蚀位于第二电路层外的隔离层，仅保留位于第二电路层13下方的隔离层部分。隔离层刻蚀后，第一铜层300外露。
107.参考图24，在第一铜层300的表面(背离刚性支撑基板的表面)覆盖一张半固化片材料，该半固化片材料为制备第一介质层11的材料，只需要满足在一定温度和压力条件下可以与第一铜层300进行粘接，并可以填充一定程度的空间的材料即可应用在本技术实施例中，如半固化片材料可为树脂或者其他可制备电路板的结构层的材质。在半固化片材料覆盖在第一铜层300时，第二电路层13及承载第二电路层13的隔离层被压入到半固化材料内，在半固化材料形成第一介质层11时，第二电路层13即可被埋入在第一介质层11内。
108.作为一个可选的方案，该制备方法还包括在半固化片材料上形成第三铜层810，该第三铜层810用于形成第一层结构的第三电路。第三铜层810的厚度与第一铜层300的厚度相同或近似相同。
109.步骤040：刻蚀第一铜层，并形成第一电路层；第二电路层部分外露在第一设置面；第二电路层外露在第一设置面的部分与第一电路层电隔离。
110.参考图25，将可剥胶和刚性支撑基板从第一铜层300上剥除，露出第一铜层300的另一侧铜面。参考图26，在第一铜层300的表面贴覆刻蚀层910(干膜或光刻胶材料)，并在干膜或光刻胶上形成与第一电路层对应的刻蚀图案。对第一铜层300进行蚀刻，形成第一电路层的图形。在第一层结构包含有第三铜层810时，刻蚀层910的个数为两个，分别覆盖第一铜层300和第三铜层810也通过与形成第一电路层的方式形成第三电路层，在此不再赘述。
111.褪除表面的干膜光刻胶材料，之后褪除第二电路层表面的隔离层，形成如图27所示的外侧厚铜(第一电路层12和第三电路层14)、基材内侧走细线路(第二电路层12)的电路板内层板或子板。
112.步骤050：制备第二介质层，第一电路层压入到第二介质层。
113.将第一结构层与其余层结构层叠，高温压合形成多层电路板。
114.具体的，包含制备第二介质层，第一电路层压入到第二介质层。制备第三介质层，
第三电路层压入到第三介质层。
115.采用相同的步骤制备其余层结构形成如图23所示的电路板。
116.通过上述方法可看出，本技术实施例提供的电路板可使用可剥胶(可脱落的一种黏结材料)固定厚铜箔，厚铜箔表层采用图形电镀的方式形成线路层，在线路面放置半固化片(用于形成第一介质层)，通过高温压合方式将线路面埋入半固化片内，取下可剥胶，并对露出的厚铜一侧铜面进行减成蚀刻形成厚铜面图形，形成一张同时厚铜图形和线路层分布在同层次二侧的单层电路板板，将多张单层或双层电路板板通过叠板压合半固化片的方式，获得具有局部厚铜+精细线路共层的多层电路板。其中，第一层结构的厚铜图形(第一电路层和第三电路层)分布在第一层结构的第一介质层的外侧，起到高通流、高散热的功能。第一层结构的线路图形(第二电路层)埋入在电路板的第一介质层的内侧，起到高速信号、高密互连的功能。从而实现了高通流、高散热的效果，且形成的第一层结构并不占用整面或大区域的布局布线空间，具备高集成的特点。另外，由于采用第一电路层和第三电路层散热，因此，电路板无需借助铜块、厚铜层、阴阳铜芯板等高成本物料实现整面厚铜或局部厚铜，可以使电路板的线路加工能力达成芯片载板级的水平，从而可实现20/20um的载板级线路能力，相较于传统电路板线路能力提升4倍。
117.为方便理解本技术实施例提供的电路板带来的效果，将其与现有技术中的电路板进行对比。参考图28和图29，图28为现有技术中的电路板的结构示意图，图29为本技术实施例提供的电路板的结构示意图。
118.参考图28，由图28可看出现有技术中的电路板为八层，为方便描述将八层结构分别命名为第一层101、第二层102、第三层103、第四层104、第五层105、第六层106、第七层107、第八层108。其中，第五层105为为了方便散热形成的嵌入式铜块。
119.参考图29，由图29可看出，本技术实施例提供的电路板为七层，分别为第一层111、第二层112、第三层113、第四层114、第五层115、第六层116和第七层117。其中，第二层 112和第六层116为上述图2中所示的第一层结构。
120.对比图28和图29可看出，在本技术实施例中无需单独设置一层嵌入式铜块作为改善电路板散热的结构。通过设置的第二层112和第六层116的厚铜层(第一电路层)即可承担电路板的散热功能。另外，对比图28和图29，在本技术实施例中，可以采用比现有技术更少的层数以及更少的板厚，但是可以获取更好的布线密度。
121.应理解，本技术实施例提供的第一层结构，除图29中所示的应用外，还可应用在其他的电路板结构中，示例性的，上述第一层结构还可和任意技术方案组合使用，例如埋嵌铜块、空腔、混压等电路板技术，不限共层的层数，可组成多厚铜分布的复杂电路板结构。
122.本技术实施例还提供了一种通信设备，该通信设备可为ar/vr、5g、云计算等ict相关的设备。通信设备包括电路板以及设置在电路板上的芯片，其中，电路板为上述任一项的电路板。在上述技术方案中，通过在第一层结构中设置厚度不同的两个电路层，其中，第一电路层可具备散热功能，第二电路层可作为精细电路，从而在电路板内获得具有局部厚铜+精细线路共层，提升电路板的通流、散热性能，降低电路板的厚度。
123.显然，本领域的技术人员可以对本技术进行各种改动和变型而不脱离本技术的精神和范围。这样，倘若本技术的这些修改和变型属于本技术权利要求及其等同技术的范围之内，则本技术也意图包含这些改动和变型在内。