MEMS声波器件、体声波谐振器的制作方法、滤波器及电子设备与流程

mems声波器件、体声波谐振器的制作方法、滤波器及电子设备
技术领域
1.本发明的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种mems声波器件，一种体声波谐振器的制作方法，一种滤波器，以及一种电子设备。


背景技术：

2.在频带日益紧俏的5g时代，需要高带宽的mems声波器件来满足人们的各种迫切需求。linbo3(ln)单晶体(即铌酸锂单晶体)由于其具备机电耦合系数大、传播损耗小等优异性能，可用于制造高频段、大带宽、低损耗的声波器件，例如薄膜体声波谐振器(film bulk acoustic resonator，简称fbar，又称为体声波谐振器，也称baw)以及滤波器等。薄膜体声波谐振器在通信领域发挥着重要作用，特别是fbar滤波器在射频滤波器领域市场占有份额越来越大。
3.利用ln作为单晶压电材料制成的传统声波器件(ln厚度10微米以上，即厚膜ln)的性能与其切型和传播方向密切相关，这就要求制作声波器件时，需要选择合适的切型以获得高质量的性能；然而，由于mems声波器件(ln厚度10微米以下)利用薄膜ln，由于边界条件等原因，其性能与其切型和传播方向的关系与传统声波器件不同，因此有必要寻找针对基于薄膜ln单晶压电材料的mems声波器件优化条件


技术实现要素：

4.为缓解或解决现有技术中的上述问题的至少一个方面，提出本发明。
5.根据本发明的实施例的一个方面，提出了一种声波器件，包括：
6.压电层，所述压电层为铌酸锂单晶压电层，且所述压电层为(yxl)158
°‑
171
°
的旋转y切的切型。
7.本发明的实施例也涉及一种体声波谐振器的制作方法，包括步骤：
8.提供poi晶圆，所述poi晶圆包括衬底、压电层以及设置在压电层的第一侧与衬底之间的绝缘层，所述压电层为铌酸锂单晶压电层且构成所述谐振器的压电层，所述压电层为(yxl)158
°‑
171
°
的旋转y切的切型；
9.在压电层的第二侧设置谐振器的底电极，第二侧与所述第一侧在压电层的厚度方向上相对；
10.移除衬底和至少一部分绝缘层，在移除衬底的过程中，所述绝缘层作为保护压电层的阻挡层，所述至少一部分绝缘层被移除以露出所述压电层的第一侧，且所述压电层的与谐振器的有效区域对应的绝缘层被移除；
11.在压电层的第一侧设置谐振器的顶电极。
12.本发明的实施例还涉及一种滤波器，包括上述的声波器件。
13.本发明的实施例也涉及一种电子设备，包括上述的滤波器或者上述的声波器件。
附图说明
14.以下描述与附图可以更好地帮助理解本发明所公布的各种实施例中的这些和其他特点、优点，图中相同的附图标记始终表示相同的部件，其中：
15.图1a-1c分别为根据本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器的俯视示意图、沿图1a中的aa线的示意性截面图以及沿图1a中的bb线的示意性截面图；
16.图2a-2c直至图18a-18c为示例性示出了图1a-1c中所示的体声波谐振器的制作过程的系列图，其中a对应于俯视示意图，b对应于aa线的示意性截面图，c对应于bb线的示意性截面图；
17.图19a为y切ln的示意图；
18.图19b为(yxl)163
°
切ln的示意图；
19.图20为lnoi结构的示意性截面图，其中压电层为(yxl)163
°
切ln压电层；
20.图21为示意性示出y切ln绕x晶轴逆时针旋转90-270度的过程中的机电耦合系数变化曲线；
21.图22a和22b分别示出了剪切波模式的变形示意图以及厚度伸缩模式的变形示意图；
22.图23为(yxl)163
°
切ln的阻抗对数频率响应的仿真图；
23.图24为(yxl)158
°
切ln和(yxl)171
°
切ln的阻抗对数频率响应的仿真图；
24.图25a-25c分别为根据本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器的俯视示意图、沿图25a中的aa线的示意性截面图以及沿图25a中的bb线的示意性截面图，其中示出了保留的绝缘层处于顶电极的电极连接端与压电层之间。
具体实施方式
25.下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本发明实施方式的说明旨在对本发明的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本发明的一种限制。发明的一部分实施例，而并不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
26.图1a-1c分别为根据本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器的俯视示意图、沿图1a中的aa线的示意性截面图以及沿图1a中的bb线的示意性截面图。在本发明中，基于poi(piezoelectrics on insulator，绝缘体上的单晶压电层)晶圆制作体声波谐振器。poi晶圆包括辅助衬底、单晶压电层以及设置在单晶压电层与辅助衬底之间的绝缘层。
27.如后面提及的，在谐振器转移加工过程中，绝缘层能够更好的保护单晶压电薄膜(即单晶压电层)，从而可以减小甚至避免后续去除辅助衬底的过程中对单晶压电薄膜的损伤，减小甚至避免对压电薄膜的表面损伤，以得到性能优异的体声波谐振器。
28.另外，绝缘层的存在，也有利于辅助衬底去除方案的多样化，简化器件加工工艺。
29.在本发明中，上述的poi晶圆为lnoi结构，相应的体声波谐振器则为linbo3(ln)单晶体声波谐振器。lnoi结构中的ln为铌酸锂单晶体。在本发明中，基于lnoi结构制作体声波谐振器或者其他声学器件。
30.ln单晶体常见的切型有y切、x切和z切，“x”、“y”、“z”分别是ln单晶体被指定的x晶
轴、y晶轴、z晶轴，这几种切型的切割平面都垂直于某一晶轴。例如下图19a的y切示意图，其切割平面-m垂直于y晶轴，所以被称为y切。本专利中的切型为旋转y切，如下图19b所示的切型为(yxl)163
°
切，其是将y晶轴绕x晶轴逆时针旋转163
°
，且切割平面-n垂直于该y+163
°
轴。
31.为使ln体声波谐振器的主模工作在5g频段，需要获得微米级别甚至亚微米级别厚度的ln薄膜，这需要采用特定工艺来将ln键合至衬底上，图20为lnoi结构的示意性截面图，其中压电层为(yxl)158
°‑
171
°
切ln压电层。在图20中，ln为铌酸锂单晶体，硅(“i”)被当作衬底，二氧化硅(“o”)被当作键合层，压电层为(yxl)163
°
切ln压电层。图20中的lnoi结构为poi晶圆结构，包括衬底(在图20中为i)、单晶压电层(在图20中为ln)以及设置在单晶压电层与衬底之间的绝缘层(在图20中为o)。
32.在图20所示的实施例中，选择(yxl)163
°
切ln作为单晶压电层材料。其原因说明如下：
33.为设计5ghz频段的ln体声波谐振器，根据ln单晶的弹性劲度矩阵、压电应力常数矩阵、相对介电常数矩阵数据，可绘制出厚度方向上施加交变电场引起的机电耦合系数随x轴逆时针旋转角度θ变化的曲线图。图21为示意性示出y切ln绕x晶轴逆时针旋转90-270度的过程中的机电耦合系数变化曲线。由于考虑到和为0，而d
31
和d
32
对应的和虽然不为0，但是其谐振频率基本上在1ghz以下。故图21只展示了(d
33
/厚度伸缩模式)和(d
34
/y-z剪切模式)的曲线图。
34.图22a示出了剪切波模式的变形示意图，即(yxl)163
°
切ln谐振器的主要振动模态。图22b示出了厚度伸缩模式的变形示意图，该模式应尽可能被抑制。ln薄膜的厚度t是决定y-z剪切波模式和厚度伸缩模式频率的主要因素，由于在设计5g频段中的器件时，这两种模式有可能会同时出现，从而给后续的设计带来麻烦，故需要避免厚度伸缩模式的出现。
35.从图21可知，在绕x晶轴逆时针旋转253度时，接近峰值，同时为0,这一切型被称为(yxl)163
°
切。由于的大小代表了剪切模式的强度，而的大小代表了厚度伸缩模式的强度，因此使用(yxl)163
°
切ln单晶制作薄膜体声波谐振器，可以使得谐振器获得最优的声波特性。
36.考虑到切片过程中存在一定的误差，可以将剪切体声波谐振器的切型放宽到一定角度，由图21可以看出，在(yxl)163
°
左侧，剪切波的机电耦合系数下降比较快，当到达(yxl)158
°
左右时，剪切波模式的下降到45％。而在右侧达到(yxl)171
°
左右时，剪切波模式的达到峰值59.1％，而此时厚度伸缩模式的只有1.8％，是剪切波模式的3％左右。故可以选取(yxl)158
°‑
171
°
的切型来设计ln薄膜体声波谐振器。
37.图23为(yxl)163
°
切ln的阻抗对数频率响应的仿真图，图24为(yxl)158
°
切ln和(yxl)171
°
切ln的阻抗对数频率响应的仿真图。可以看出，虽然和163
°
切曲线相比，(yxl)158
°
切和(yxl)171
°
切曲线出现了厚度伸缩模式(寄生)，但厚度伸缩模式的强度远比剪切模式(主模式)的强度小(5％以下)，因此选择(yxl)158
°
切和(yxl)171
°
切之间的ln可以在最大化主模式的前提下抑制寄生模式。
38.下面参照图2a-2c直至图18a-18c具体说明图1a-1c中所示的体声波谐振器的制作过程。
39.在图1a-1c至图18a-18c中，附图标记示例性说明如下：
40.100：辅助衬底，具体材料可选为硅、碳化硅、蓝宝石、二氧化硅，或其他硅基材料。
41.101：释放孔，贯穿衬底100。
42.110：绝缘层或键合层，例如为二氧化硅、氮化硅、碳化硅、蓝宝石等，或者所述绝缘层的材料的导热系数不小于0.2w/cm
·
k。
43.111：绝缘层，起到保护压电层或者隔开电极连接端与压电层的作用，例如二氧化硅、氮化硅、碳化硅、蓝宝石等，其可以为绝缘层110的一部分。
44.120：单晶铌酸锂压电层或ln单晶压电层。
45.121：释放孔，用于释放声学镜空腔中的牺牲层材料。
46.122：通孔或者电连接孔，在具体的实施例中，用于沉积导电材料，将底电极131引出到与顶电极181共面。
47.130：底电极膜层，材料可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金等。
48.131：底电极，例如由底电极膜层图案化而形成。
49.140：牺牲材料膜层，材料可以是多晶硅、无定形硅、二氧化硅、磷掺杂二氧化硅(psg)、氧化锌、氧化镁、聚合物高分子及类似材料等。
50.141：牺牲材料层，包括了对应于释放后形成声学镜空腔的空腔区域142以及释放后形成牺牲材料释放通道的通道区域。
51.142：牺牲材料层141的释放后形成声学镜空腔的空腔区域。
52.143：声学镜，可为空腔，也可采用布拉格反射层及其他等效形式。本发明所示的实施例中采用的是空腔。
53.150：支撑材料层，材料可以为氮化铝、氮化硅、多晶硅、二氧化硅、无定形硅、硼掺杂二氧化硅及其他硅基材料等。
54.151：支撑层，由支撑材料层平坦化后形成。
55.160:键合层，具体材料可选为二氧化硅或者其他硅基材料，用于将支撑层和转移衬底进行键合，此层材料也可以没有。键合层也可以为胶带等。
56.170：基底，具体材料可选为硅、碳化硅、蓝宝石、二氧化硅、或者其他硅基材料。
57.180：顶电极膜层，材料可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金等。顶电极膜层的材料可以与底电极膜层的材料相同或不同。
58.181：顶电极，例如由顶电极膜层图案化而形成。
59.182：底电极电连接部，材料可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金等。底电极电连接部182的材料可以与顶电极膜层相同，也可以不同。
60.图2a-2c示出了poi晶圆。poi晶圆包括辅助衬底100、绝缘层110和ln单晶压电层120，压电层120为(yxl)163
°
切ln压电层。
61.图2a-2c对应于步骤1：提供poi晶圆，所述poi晶圆包括辅助衬底100、单晶压电层120以及设置在单晶压电层的第一侧与衬底之间的绝缘层110。
62.图3a-3c以及图4a-4c示例性示出了在压电单晶薄膜表面沉积电极膜层及形成底
电极的图案的过程。
63.可以先在压电层120上沉积一均匀电极膜层130，如图3a-3c所示；然后通过湿法或者干法刻蚀的方式形成图案化的底电极131，如图4a-4c所示。
64.可选的，也可以通过剥离工艺(lift-off)或打印等工艺直接形成底电极的图案。
65.图3a-3c以及图4a-4c对应于步骤2：在poi晶圆的压电层120的与第一侧相对的第二侧形成底电极131。
66.图5a-5c和图6a-6d示例性示出了底电极131和单晶压电层120上沉积牺牲材料膜层140及形成牺牲材料层141的图案的过程。
67.形成图案化的牺牲材料层141可通过在底电极131及压电单晶薄膜上首先沉积均匀牺牲材料膜层140，如图5a-5c所示，然后通过湿法或者干法刻蚀的方式形成图案化的牺牲材料层141，如图6a-6d所示。
68.图6a-6d中，牺牲材料层141(对应于声学镜空腔)仅覆盖底电极131的一部分(此时，如图18b所示，会导致底电极131的非电极连接端被后续提及的支撑层151覆盖)，但本发明不局限于此，牺牲材料层141也可以同时覆盖底电极131的一部分以及在底电极131的非电极连接端的压电层的一部分(此时，虽然没有示出，会导致底电极131的非电极连接端处于声学镜空腔之内且没有被支撑层151覆盖)。
69.图6c和图6d中141的牺牲材料层包括了对应于释放后形成声学镜空腔的空腔区域142以及释放后形成牺牲材料释放通道的通道区域。
70.图7a-7c和图8a-8c示出了在单晶压电层120、底电极131和牺牲材料层141上沉积支撑材料层并平坦化的过程。支撑材料层150的厚度大于底电极131的厚度。通过抛光过程(比如cmp(chemical mechanical polishing，化学机械抛光))形成抛光后的支撑层151。
71.图5a-5c，图6a-6d，图7a-7c以及图8a-8d对应于步骤3：提供由声学镜层(即用于形成声学镜的层)和支撑层151构成的中间层，所述中间层覆盖压电层120的第二侧与底电极131，中间层的远离辅助衬底100的一侧为平坦面。更具体的，在图5a-5c，图6a-6d，图7a-7c以及图8a-8d中，步骤3包括：步骤3a：形成牺牲材料层141，所述牺牲材料层141仅覆盖底电极131的一部分或者所述牺牲材料层覆盖底电极131的非电极连接端的一部分以及压电层120的一部分；以及步骤3b：设置覆盖牺牲材料层141、底电极131和压电层120的支撑材料层150，使得支撑材料层150平坦化以形成所述支撑层151。
72.更具体的，在上述的步骤3b中，使得支撑层151的远离衬底100的一侧构成所述平坦面。但是，本发明不限于此，还可以将支撑材料层150研磨抛光，直至使得支撑层151的远离衬底100的一侧与牺牲材料层141的远离衬底100的一侧齐平从而共同构成所述平坦面。
73.图9a-9c和图10a-10c示出了支撑层151与基底170键合的过程。
74.如图9a-9c所示，支撑层151的平坦面设置有键合层160，如图10a-10c所示，基底170经由键合层160键合连接到支撑层151。
75.基底170与支撑层151可以通过物理或化学方式键合，键合层160的材料可单独在基底170或支撑层151上，或二者表面皆有。
76.基底170和支撑层151也可以不经键合层直接键合，而是可以在基底170和支撑层151之间形成化学键，也可以是表面抛光至表面粗糙度极低时通过分子间作用力形成物理键合。
77.图9a-9c和图10a-10c对应于步骤4：将基底170在中间层(含有支撑层和牺牲材料层)的平坦面与中间层键合。
78.图11a-11d至图13a-13c是器件反转、衬底100和绝缘层110移除的过程。
79.辅助衬底100和绝缘层110(阻隔层)的刻蚀工艺迥异，比如辅助衬底100是硅，绝缘层110是二氧化硅，绝缘层110可以在辅助衬底100移除过程中起到终止层或阻挡层的作用，绝缘层110的去除工艺温和，减少甚至避免了压电单晶薄膜的另一表面在移除辅助衬底100的过程受到的伤害。
80.压电单晶薄膜表面释放工艺可以采用全部去除衬底100、全部去除绝缘层110的方式实现，例如参见图11b，12b和13b。
81.在可选的实施例中，如图11d所示，由于作为阻隔层的绝缘层110的存在，压电单晶薄膜表面释放工艺可以采用在衬底100上先形成释放孔101，然后经由该释放孔释放绝缘层110材料。如果在衬底100上形成释放孔101的工艺对绝缘层110和单晶压电层120不造成任何损伤，释放孔可以排布在任何区域；如果会对绝缘层110和单晶压电层120造成损伤，可以采用在谐振器或由谐振器形成的滤波器的带外区域(比如划片道)形成释放孔，使器件加工工艺简单。
82.衬底100的整体去除或者形成释放孔的工艺可以采用磨削、研磨、抛光、湿法或干法刻蚀、激光烧蚀等相关工艺或者这些工艺的集合。
83.绝缘层110的整体去除工艺可以采用磨削、研磨、抛光、湿法或干法刻蚀、激光烧蚀等相关工艺或者这些工艺的集合。
84.绝缘层110去除以后，如果压电单晶薄膜的表面有部分损伤，尤其是谐振器或由谐振器形成的滤波器的有效区域有损伤，可以通过抛光过程对压电薄膜表面进行抛光处理。
85.绝缘层110也可以仅仅去除一部分，而在谐振器的有效区域之外保留一部分，例如参见图25a-25c，其中示出的附图标记111对应的部分可为保留的绝缘层110的一部分。
86.图11a-11d至图13a-13c对应于步骤5：移除衬底以及绝缘层，至少一部分绝缘层被移除以露出所述压电层的第一侧，且所述压电层的第一侧的与谐振器的有效区域对应的绝缘层被移除。
87.图14a-14c和图15a-15c示出了在压电单晶薄膜或压电层120的释放表面沉积顶电极薄膜及形成顶电极的图案的过程。
88.形成顶电极可通过首先沉积均匀电极膜层180(如图14a-14c所示)，然后通过湿法或干法刻蚀的方式形成图案化的顶电极181(如图15a-15c所示)。也可以通过剥离工艺(lift-off)或打印等工艺直接形成顶电极的图案。
89.图16a-16c和图17a-17c示出了在压电层上形成牺牲材料层的释放孔、底电极连接部的连接孔，以及形成电连接图案的过程。
90.形成牺牲材料层的释放孔121(如图16a-16c所示)和电连接孔122(如图16a-16c所示)可以通过湿法或干法刻蚀、激光烧蚀等相关工艺或者这些工艺的集合实现。
91.形成电连接图案或底电极电连接部182可通过首先沉积均匀导电膜层然后通过湿法或干法刻蚀的方式，或者通过剥离工艺或打印等工艺，形成图案化的底电极电连接部(如图17a-17c所示)。
92.牺牲材料层的释放孔121、底电极的电连接孔122(图16a-16c和图17a-17c)，与底
电极电连接部182以及顶电极(图14a-14c和图15a-15c)的形成过程可以互换。
93.图18a-18c示出了释放牺牲材料层143而形成声学镜空腔143的过程。图18a-18c分别为体声波谐振器的俯视示意图、沿图18a中的aa线的示意性截面图以及沿图18a中的bb线的示意性截面图。
94.牺牲材料层141可通过湿法或者干法移除，以形成声学镜空腔143，从而获得图1a-1c所示的谐振器结构。
95.在以上实施例中，在形成了底电极131后，先形成牺牲材料层141，然后形成支撑层151，但是本发明不限于，也可以先形成支撑材料层后再形成牺牲材料层141。
96.基于以上，本发明提出了一种体声波谐振器的制作方法，包括步骤：
97.提供poi晶圆，所述poi晶圆包括衬底100、压电层120以及设置在压电层120的第一侧与衬底之间的绝缘层110，所述压电层120为铌酸锂单晶压电层且构成所述谐振器的压电层，所述压电层为(yxl)158
°‑
171
°
的旋转y切的切型；
98.在压电层120的第二侧设置谐振器的底电极131，第二侧与所述第一侧在压电层的厚度方向上相对；
99.移除衬底100和至少一部分绝缘层110，在移除衬底100的过程中，所述绝缘层110作为保护压电层的阻挡层，所述至少一部分绝缘层被移除以露出所述压电层120的第一侧，且所述压电层120的与谐振器的有效区域对应的绝缘层被移除；
100.在压电层120的第一侧设置谐振器的顶电极181。
101.需要指出的是，在本发明中，各个数值范围，除了明确指出不包含端点值之外，除了可以为端点值，还可以为各个数值范围的中值，这些均在本发明的保护范围之内。
102.在本发明中，上和下是相对于谐振器的基底的底面而言的，对于一个部件，其靠近该底面的一侧为下侧，远离该底面的一侧为上侧。
103.在本发明中，内和外是相对于谐振器的有效区域(压电层、顶电极、底电极和声学镜在谐振器的厚度方向上的重叠区域构成有效区域)的中心(即有效区域中心)在横向方向或者径向方向上而言的，一个部件的靠近有效区域中心的一侧或一端为内侧或内端，而该部件的远离有效区域中心的一侧或一端为外侧或外端。对于一个参照位置而言，位于该位置的内侧表示在横向方向或径向方向上处于该位置与有效区域中心之间，位于该位置的外侧表示在横向方向或径向方向上比该位置更远离有效区域中心。
104.如本领域技术人员能够理解的，根据本发明的体声波谐振器可以用于形成滤波器或电子设备。
105.基于以上，本发明提出了如下技术方案：
106.1、一种mems声波器件，包括：
107.压电层，所述压电层为铌酸锂单晶压电层，且所述压电层为(yxl)158
°‑
171
°
的旋转y切的切型。
108.2、根据1所述的器件，其中：
109.所述压电层为(yxl)163
°
的旋转y切的切型。
110.3、根据1或2所述的器件，其中：
111.所述声波器件为体声波谐振器，所述谐振器包括基底、声学镜、底电极和顶电极，所述压电层设置在底电极与顶电极之间，进一步可选的，压电层为薄膜材料，厚度范围0.1
微米至10微米之间。
112.4、根据3所述的器件，其中：
113.声学镜、底电极、压电层和顶电极在谐振器的厚度方向上的重合区域构成谐振器的有效区域；
114.在有效区域之外，所述压电层的上表面的至少一部分设置有绝缘层。
115.5、根据4所述的器件，其中：
116.在顶电极的处于有效区域之外的部分对应的区域，所述绝缘层至少设置在顶电极的下表面与压电层的上表面之间；
117.所述绝缘层的材料选自二氧化硅、氮化硅、碳化硅、蓝宝石中的一种，或者所述绝缘层的材料的导热系数不小于0.2w/cm
·
k。
118.6、根据3所述的器件，其中：
119.所述压电层的下表面与基底的上表面之间设置有支撑结构，所述支撑结构的材料选自氮化铝、氮化硅、碳化硅、多晶硅、单晶硅、二氧化硅、无定形硅、掺杂二氧化硅中的一种，或者所述支撑结构的材料的导热系数不小于0.2w/cm
·
k。
120.7、根据3所述的器件，其中：
121.所述声学镜为声学镜空腔。
122.8、根据7所述的器件，其中：
123.所述声学镜空腔为凹入到支撑层内的形状，且声学镜空腔的下边界由所述支撑层限定；或者
124.所述声学镜空腔的下边界由所述基底限定。
125.9、根据3所述的器件，其中：
126.声学镜、底电极、压电层和顶电极在谐振器的厚度方向上的重合区域构成谐振器的有效区域；
127.在有效区域之外，所述压电层的上表面的至少一部分设置有绝缘层。
128.10、根据9所述的器件，其中：
129.在顶电极的处于有效区域之外的部分对应的区域，所述绝缘层至少设置在顶电极的下表面与压电层的上表面之间；
130.所述绝缘层的材料选自二氧化硅、氮化硅、碳化硅、蓝宝石中的一种，或者所述绝缘层的材料的导热系数不小于0.2w/cm
·
k。
131.11、一种体声波谐振器的制作方法，包括步骤：
132.提供poi晶圆，所述poi晶圆包括衬底、压电层以及设置在压电层的第一侧与衬底之间的绝缘层，所述压电层为铌酸锂单晶压电层且构成所述谐振器的压电层，所述压电层为(yxl)158
°‑
171
°
的旋转y切的切型；
133.在压电层的第二侧设置谐振器的底电极，第二侧与所述第一侧在压电层的厚度方向上相对；
134.移除衬底和至少一部分绝缘层，在移除衬底的过程中，所述绝缘层作为保护压电层的阻挡层，所述至少一部分绝缘层被移除以露出所述压电层的第一侧，且所述压电层的与谐振器的有效区域对应的绝缘层被移除；
135.在压电层的第一侧设置谐振器的顶电极。
136.12、根据11所述的方法，其中：
137.移除全部的绝缘层。
138.13、根据11所述的方法，其中：
139.使得在所述谐振器的顶电极的处于所述有效区域之外的部分对应的区域，在顶电极与压电层之间保留有所述绝缘层。
140.14、根据11所述的方法，其中：
141.所述压电层为(yxl)163
°
的旋转y切的切型。
142.15、根据权利要求11所述的方法，其中：
143.压电层为薄膜材料，厚度范围0.1微米至10微米之间。
144.16、一种滤波器，包括根据1-10中任一项所述的声波器件。
145.17、一种电子设备，包括根据16所述的滤波器，或者根据1-10中任一项所述的声波器件。
146.这里的电子设备，包括但不限于射频前端、滤波放大模块等中间产品，以及手机、wifi、无人机等终端产品。
147.尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行变化，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。