半导体结构的形成方法及半导体结构与流程

本申请涉及半导体，本申请涉及但不限于一种半导体结构的形成方法及半导体结构。

背景技术：

1、在半导体器件，例如动态随机存储器(dynamic random access memory，dram)中，通常使用多晶硅(poly)制备位线(bit line，bl)与有源区之间的存储节点接触结构(storage node contact，snc)。

2、其中，在使用多晶硅制备位于bl之间的存储节点接触结构时，由于需要多晶硅填充的位置宽深比太高，导致形成的存储节点接触结构底部出现空洞，影响良率。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种半导体形成方法及半导体结构。

2、第一方面，本申请实施例提供一种半导体结构的形成方法，所述方法包括：

3、提供衬底；其中，所述衬底内形成有按照矩阵排列的有源区和隔离所述有源区的隔离结构；以第一方向为所述矩阵的列方向且以第二方向为所述矩阵的行方向；每一所述有源区以第三方向为延伸方向；

4、在所述衬底上形成导电层；

5、至少刻蚀所述导电层，形成沿所述第一方向延伸的沿所述第二方向排列的位线凹槽和导电条；其中，每一所述位线凹槽暴露一列所述有源区，且所述位线凹槽的底表面低于所述衬底的顶表面；

6、在每一所述位线凹槽内形成位线结构；所述位线结构与对应的所述位线凹槽两侧具有间隙；

7、沿所述第二方向刻蚀所述导电条，形成作为存储节点接触结构的导电柱。

8、第二方面，本申请实施例提供一种半导体结构，包括：

9、衬底；其中，所述衬底内形成有按照矩阵排列的有源区和隔离所述有源区的隔离结构；以第一方向为所述矩阵的列方向且以第二方向为所述矩阵的行方向；每一所述有源区以第三方向为延伸方向；

10、沿所述第一方向延伸的沿所述第二方向排列的位线凹槽；其中，每一所述位线凹槽暴露一列所述有源区，且所述位线凹槽的底表面低于所述衬底的顶表面；

11、位于每一所述位线凹槽内的位线结构；所述位线结构与对应的所述位线凹槽两侧具有间隙；

12、作为存储节点接触结构的导电柱。

13、本申请实施例中，通过在衬底上形成导电层，刻蚀导电层形成位线凹槽，在位线凹槽中形成位线结构，实现位线结构与有源区的电连接，沿所述第二方向刻蚀剩余的导电层，形成存储节点接触结构。由此可见，本申请实施例提供的方案，一方面，位线结构与有源区之间无需形成位线接触结构(bit line contact，blc)，另一方面，无需在形成位线结构之后，填充相邻位线结构之间接触孔形成存储节点接触结构，这样简化了工艺并减少了或避免了填充形成存储节点接触结构由于接触孔深宽比太高，而造成的底部出现空洞的问题；同时，不用在形成位线结构之后刻蚀衬底形成存储节点接触结构，减少或者避免了由于刻蚀速率过快导致的存储节点接触结构和位线结构之间的短路问题，降低工艺难度。

技术特征：

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底中形成有沿第一方向排列且沿第二方向延伸的字线结构以及位于所述字线结构和所述衬底之间的隔离层；

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述至少刻蚀所述导电层，形成沿所述第一方向延伸的沿所述第二方向排列的位线凹槽和导电条，包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少刻蚀所述导电层，形成沿所述第一方向延伸的沿所述第二方向排列的位线凹槽和导电条，包括：

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少刻蚀所述导电层，形成沿所述第一方向延伸的沿所述第二方向排列的位线凹槽和导电条，包括：

6.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，所述位线结构包括第一导电阻挡层和第一金属层，所述在每一所述位线凹槽内形成位线结构，包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述刻蚀所述初始第一金属层和所述初始第一导电阻挡层，形成所述位线结构，包括：

8.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，在每一所述位线凹槽内形成位线结构之后，还包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在每一所述位线凹槽内形成第一绝缘层，以及所述沿所述第二方向刻蚀所述导电条，形成作为存储节点接触结构的导电柱，包括：

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括：

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括：

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括：

13.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述按照第一预设深度刻蚀所述隔离层时采用湿法刻蚀。

14.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：

15.根据权利要求14所述的结构，其特征在于，所述衬底中形成有沿第一方向排列且沿第二方向延伸的字线结构以及位于所述字线结构和所述衬底之间的隔离层。

16.根据权利要求14所述的结构，其特征在于，所述位线结构包括第一导电阻挡层和第一金属层。

17.根据权利要求14至16任一项所述的结构，其特征在于，还包括：

18.根据权利要求17所述的结构，其特征在于，还包括：

技术总结
本申请实施例提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构，其中，半导体结构的形成方法包括：提供衬底；其中，所述衬底内形成有按照矩阵排列的有源区和隔离所述有源区的隔离结构；以第一方向为所述矩阵的列方向且以第二方向为所述矩阵的行方向；每一所述有源区以第三方向为延伸方向；在所述衬底上形成导电层；至少刻蚀所述导电层，形成沿所述第一方向延伸的沿所述第二方向排列的位线凹槽和导电条；其中，每一所述位线凹槽暴露一列所述有源区，且所述位线凹槽的底表面低于所述衬底的顶表面；在每一所述位线凹槽内形成位线结构；所述位线结构与对应的所述位线凹槽两侧具有间隙；沿所述第二方向刻蚀所述导电条，形成作为存储节点接触结构的导电柱。

技术研发人员：王景皓,潘俊波
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12