技术特征：
1.一种nrz码转换电路，其特征在于，包括第一比较器、第二比较器、第一上升沿延缓电路、第二上升沿延缓电路和或门，其中：所述第一比较器和所述第二比较器，用于输入待转换的pam信号；所述第一上升沿延缓电路的输入端连接所述第一比较器的输出端，用于将第一信号的上升沿进行延缓处理，得到第二信号，其中，所述第一信号为所述待转换的pam信号，在输入到所述第一比较器之后，所述第一比较器输出的信号；所述第二上升沿延缓电路的输入端连接所述第二比较器的输出端，用于将第三信号的上升沿进行延缓处理，得到第四信号，其中，所述第三信号为所述待转换的pam信号，在输入到所述第二比较器之后，所述第二比较器输出的信号；所述或门，用于输出由所述pam信号转换得到的目标信号，所述目标信号是由所述第二信号和所述第四信号在经过所述或门之后，转换得到的nrz信号。2.根据权利要求1所述的nrz码转换电路，其特征在于，所述nrz码转换电路还包括第一整形电路和第二整形电路，其中：所述第一整形电路的输入端连接所述第一上升沿延缓电路的输出端，用于对所述第二信号进行反相，得到第五信号；所述第二整形电路的输入端连接所述第二上升沿延缓电路的输出端，用于对所述第四信号进行反相，得到第六信号；其中，所述第一整形电路和所述第二整形电路的输出端连接所述或门的输入端，以使得所述第五信号和所述第六信号经过所述或门生成nrz信号。3.根据权利要求1所述的nrz码转换电路，其特征在于，所述第一上升沿延缓电路包括第一pmos管和第一nmos管，所述第二上升沿延缓电路包括第二pmos管和第二nmos管，其中：所述第一pmos管和所述第一nmos管的栅极连接所述第一比较器的输出端，所述第一pmos管的漏极连接所述第一nmos管的漏极；所述第二pmos管和所述第二nmos管的栅极连接所述第二比较器的输出端，所述第二pmos管的漏极连接所述第二nmos管的漏极；其中，所述第一比较器和所述第二比较器输出的信号，通过所述第一pmos管和所述第一nmos管的漏极，以及所述第二pmos管和所述第二nmos管的漏极发送到所述或门。4.根据权利要求2所述的nrz码转换电路，其特征在于，所述第一整形电路包括第三pmos管和第三nmos管，所述第二整形电路包括第四pmos管和第四nmos管，其中：所述第三pmos管和所述第三nmos管的栅极连接所述第一上升延缓电路的输出端，所述第三pmos管和所述第三nmos管的漏极连接所述或门的输入端；所述第四pmos管和所述第四nmos管的栅极连接所述第二上升延缓电路的输出端，所述第四pmos管和所述第四nmos管的漏极连接所述或门的输入端。5.根据权利要求3所述的nrz码转换电路，其特征在于，所述第一pmos管和所述第二pmos管的宽长比小于第一预设宽长比阈值，且大于第二预设宽长比阈值，其中，所述第一预设宽长比阈值和所述第二预设宽长比阈值均小于1。6.一种基于权利要求1至5任一项所述nrz码转换电路的nrz码转换方法，其特征在于，包括：将待转换的pam信号分别输入到第一比较器和第二比较器，得到第一信号和第三信号，
其中，所述第一信号为所述待转换的pam信号，在输入到所述第一比较器之后，所述第一比较器输出的信号；所述第三信号为所述待转换的pam信号，在输入到所述第二比较器之后，所述第二比较器输出的信号；通过第一上升沿延缓电路，对所述第一信号的上升沿进行延缓处理，得到第二信号；通过第二上升沿延缓电路，对所述第三信号的上升沿进行延缓处理，得到第四信号；将所述第二信号和所述第四信号输入到或门，得到nrz信号。7.根据权利要求6所述的nrz码转换方法，其特征在于，在所述将所述第二信号和所述第四信号输入到或门，得到nrz信号之前，所述方法还包括：分别对所述第二信号和所述第四信号进行反相处理，得到反相处理后的第二信号和反相处理后的第四信号；将所述反相处理后的第二信号和所述反相处理后的第四信号，输入到所述或门，得到nrz信号。8.一种nrz码转换器，其特征在于，所述nrz码转换器包括权利要求1至5任一项所述的nrz码转换电路。
技术总结
本发明提供一种NRZ码转换电路、转换方法及NRZ码转换器，该NRZ码转换电路包括第一比较器、第二比较器、第一上升沿延缓电路、第二上升沿延缓电路和或门，其中：第一比较器和第二比较器，用于输入PAM信号；第一上升沿延缓电路的输入端连接第一比较器的输出端，用于将第一信号的上升沿进行延缓处理，得到第二信号；第二上升沿延缓电路的输入端连接第二比较器的输出端，用于将第三信号的上升沿进行延缓处理，得到第四信号；或门，用于输出由PAM信号转换得到的目标信号。本发明降低了对输入边沿苛刻的要求，以及电路对边沿转换时间的敏感性，解决了由于PAM上升沿转换时间变慢，而引起的长边沿转换NRZ后改变数据的周期问题。沿转换NRZ后改变数据的周期问题。沿转换NRZ后改变数据的周期问题。
技术研发人员：应子罡 谢京州 吴宗桂 张雄波 杨丽丽 刘银栋 徐秀波
受保护的技术使用者：北京国科天迅科技有限公司
技术研发日：2021.10.14
技术公布日：2022/2/28