壳体、壳体制备方法及电子设备与流程

1.本技术涉及电子技术领域，尤其涉及一种壳体、壳体制备方法及电子设备。


背景技术：

2.随着技术的发展，手机和平板电脑等电子设备已经成为了人们不可或缺的工具。消费者在面对琳琅满目的电子设备时，不仅需要考虑电子设备的功能是否满足自身需求，电子设备的壳体的外观也是左右消费者是否选购的重要因素之一。相关技术中的壳体的外观效果相对单一，无法满足用户对壳体的外观效果的丰富追求。


技术实现要素：

3.第一方面，本技术提供一种壳体，所述壳体具有预设表面，所述预设表面具有多个凸起结构，所述凸起结构具有多个反光面，所述预设表面的表面粗糙度ra的范围为：1.5μm≤ra≤4.0μm。
4.第二方面，本技术提供一种壳体制备方法，所述制备方法包括：
5.提供玻璃基材，所述玻璃基材包括待处理表面；
6.将所述玻璃基材浸泡于蒙砂液中并进行抛动，以在待处理表面形成晶体膜；以及
7.去除所述晶体膜，以得到壳体，其中，所述壳体具有由所述待处理表面得到的预设表面，且所述预设表面具有多个凸起结构，所述凸起结构具有多个反光面，所述预设表面的表面粗糙度ra的范围为：1.5μm≤ra≤4.0μm。
8.第三方面，本技术提供一种电子设备，所述电子设备包括如第一方面所述的壳体。
9.本技术实施方式提供的壳体，由于所述预设表面具有多个凸起结构，且所述预设表面的表面粗糙度ra的范围为：1.5μm≤ra≤4.0μm，当光线照射至所述壳体时，所述凸起结构的所述反光面对所述光线进行反射，因此，所述壳体呈现出低闪的闪光效果以及较好的质感，即，本技术实施方式提供的壳体具有较好的色彩-材料-工艺外观装饰效果。此外，所述预设表面的表面粗糙度的范围为：1.5μm≤ra≤4.0μm，从而使得所述预设表面具有较高的粗糙度，在触摸体验上兼具细腻感以及砂粒感。
附图说明
10.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
11.图1为本技术一实施方式提供的壳体的结构示意图；
12.图2为图1中沿着i-i线的剖视图；
13.图3为图2中ii处的放大示意图；
14.图4为图1中iii处的壳体的预设表面在扫描显微镜下的形貌图；
15.图5为图4中的俯视形貌图；
16.图6为图4中凸起结构的尺寸示意图；
17.图7为另一实施方式中图2中沿ii处的放大示意图；
18.图8为本技术一实施方式提供的壳体制备方法的流程图；
19.图9为本技术一实施方式提供的玻璃基材的示意图；
20.图10为图8中s120所包括的流程示意图；
21.图11至图13依次为玻璃基材经过s120中的各个步骤的反应示意图；
22.图14为经过s130之后的结构示意图；
23.图15为所述玻璃基材的延伸方向与所述竖直方向的角度a等于零度时的示意图；
24.图16为所述玻璃基材的延伸方向与所述竖直方向的角度a为-10
°
的示意图；
25.图17为所述玻璃基材的延伸方向与所述竖直方向的角度a为+10
°
的示意图；
26.图18为本技术另一实施方式提供的壳体制备方法的流程图；
27.图19为图18中s10所包括的流程示意图；
28.图20为本技术又一实施方式提供的壳体制备方法的流程图；
29.图21为本技术另一实施方式提供的壳体制备方法的流程图；
30.图22为本技术另一实施方式提供的壳体制备方法的流程图；
31.图23为对凹面进行抛光之前的玻璃基材的示意图；
32.图24为对凹面进行抛光之后的玻璃基材的示意图；
33.图25为经过s1之后的玻璃基材的示意图；
34.图26为经过s112之后的玻璃基材的示意图；
35.图27为经过s120之后的玻璃基材的示意图；
36.图28为图27中v处的放大示意图；
37.图29为图28中所示的玻璃基材经过s130之后的示意图；
38.图30为图29中所示的玻璃基材经过s2之后的示意图；
39.图31为本技术一实施方式提供的电子设备的立体示意图；
40.图32为图31中所示的电子设备的分解示意图。
具体实施方式
41.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
42.在本文中提及“实施例”或“实施方式”意味着，结合实施例或实施方式描述的特定特征、结构或特性可以包含在本技术的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
43.需要说明的是，本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
44.本技术提供一种壳体10，所述壳体10可应用于电子设备1(参见图31及图32)，所述电子设备1可以为但不仅限于为手机、电脑等具有壳体10的设备。所述壳体10应用于电子设备1时，可以为但不仅限于为电子设备1的后盖。所述壳体10可以为2d壳体、或者2.5d壳体或者3d壳体。可以理解地，上述介绍为对壳体10的一种应用环境的介绍，不应当理解为对本技术实施方式提供的壳体10的限定。请一并参阅图1、图2及图3，图1为本技术一实施方式提供的壳体的结构示意图；图2为图1中沿着i-i线的剖视图；图3为图2中ii处的放大示意图。所述壳体10具有预设表面110，所述预设表面110具有多个凸起结构111，所述凸起结构111具有多个反光面1111，所述预设表面110的表面粗糙度ra的范围为：1.5μm≤ra≤4.0μm。
45.在一实施方式中，所述壳体10的材质为玻璃。比如，所述壳体10为防眩光玻璃(anti-glare glass，ag)。
46.所述预设表面110可以为所述壳体10的所有表面的一个表面或者多个表面，也可以为所述壳体10中一个表面的部分表面，或者全部表面。所述预设表面110的选取根据所述壳体10需要呈现出来的装饰效果来定。在本实施方式的示意图中，以所述预设表面110为所述壳体10的一个表面为例进行示意，不应当理解为对本技术实施方式提供的壳体10的限定。需要说明的是，所谓多个，是指大于等于两个。所述多个表面，是指大于或等于两个表面。
47.所述预设表面110具有多个凸起结构111，所述凸起结构111具有多个反光面1111，所述反光面1111用于反射光线。当光线照射至所述凸起结构111的所述反光面1111上时，每个所述反光面1111均可对所述光线进行反射，每个反光面1111对所述光线进行反射的反射程度与所述壳体10与所述光线之间的角度相关。
48.在本实施方式中，所述反光面1111的部分对光线的反射为镜面反射，使得所述壳体10呈现出闪光；所述反光面1111的另外部分对所述光线的反射为漫反射，使得所述壳体10呈现出哑光。具体地，当所述反光面1111的部分对光线的反射为镜面反射时，被反射的光线可较为聚集地被反射，当入射至人眼时，可被人眼察觉，因此，所述壳体10可呈现出闪光。当所述反光面1111的部分对光线的反射为漫反射时，被反射的光线不能聚焦地被反射至人眼，因此，所述壳体10呈现出哑光效果。
49.所述反光面1111对所述光线进行镜面反射的部分与对光线进行漫反射的部分的之间的比值不同，使得所述壳体10呈现出不同的闪光效果。当所述反光面1111对光线进行镜面反射的部分与对光线进行漫反射的部分的比值越大，则所述壳体10呈现出的闪光效果越强；反之，当所述反光面1111对光线进行镜面反射的部分与对光线进行漫反射的部分的比值越小，则所述壳体10呈现出的闪光效果越弱。本技术实施方式中，所述反光面1111包括对光线进行镜面发射的部分以及对光线进行漫反射的部分，因此，可使得所述壳体10呈现出低闪的效果。所述壳体10的闪光效果稍后详细介绍。
50.所述预设表面110的表面粗糙度ra的范围为：1.5μm≤ra≤4.0μm，比如，所述预设表面110的粗糙度ra的取值可以为1.5μm，1.6μm，1.7μm，1.8μm，1.9μm，2.0μm，2.1μm，2.2μm，2.3μm，2.4μm，2.5μm，2.6μm，2.7μm，2.8μm，2.9μm，3.0μm，3.1μm，3.2μm，3.3μm，3.4μm，3.5μm，4.0μm等中的一种。
51.通常而言，所述预设表面110的表面粗糙度越大，则所述预设表面110对光线的反射越大；相应地，所述预设表面110的粗糙度越小，则所述预设表面110对光线的反射越小。
相应地，所述预设表面110的表面粗糙度越大，则所述壳体10的所述预设表面110在触摸体验上细腻感越弱且砂粒感越强；相应地，所述预设表面110的粗糙度越小，则所述壳体10的所述预设表面110在触摸体验上细腻感越强且砂粒感越弱。
52.当所述预设表面110的表面粗糙度ra小于1.5μm时，一方面所述预设表面110对照射至所述预设表面110的光线的反射较小，所述预设表面110的反光效果不明显，且所述预设表面110的砂粒感不强。因此，相较于预设表面110的粗糙度ra＜1.5μm而言，本技术实施方式提供的壳体10的所述预设表面110的粗糙度ra≥1.5μm的闪光效果比预设表面110的粗糙度ra＜1.5μm的闪光效果好。换而言之，相较于预设表面110的粗糙度ra＜1.5μm而言，本技术实施方式提供的壳体10由于所述预设表面110的粗糙度ra≥1.5μm，因此，本技术实施方式提供的壳体10更闪。当所述预设表面110的表面粗糙度ra大于4.0μm时，所述预设表面110的反光度越强，且所述预设表面110在触摸体验上的砂粒感较强，甚至出现刮手。因此，相较于预设表面110的粗糙度ra＞4.0而言，本技术实施方式提供的壳体10闪光度较弱。综上所述，本技术实施方式提供的壳体10的所述预设表面110的表面粗糙度ra的范围为：1.5微米(μm)≤ra≤4.0微米(μm)，从而使得所述预设表面110对照射至所述预设表面110的反光效果相对较好，即使得所述预设表面110具有较低的闪光度，因此，所述壳体10的所述预设表面110呈现出低闪的闪光效果以及较好的质感，且在触摸体验上兼具细腻感以及砂粒感。
53.需要说明的是，本技术实施方式中所述反光面1111用于反射光线，所述反光面1111可反射可见光线(或称为可见光)，也可反射不可见光线(或称为不可见光)。而由于所述不可见光不能被人眼察觉，可见光可被人眼察觉，因此，本技术中所指的所述预设表面110的反光效果或者所述壳体10的反光效果，是指对可见光的反射而呈现的效果。
54.需要说明的是，所谓表面粗糙度(surface roughness)，是指加工表面具有较小间距和微小峰谷的不平度。表面粗糙度越小，则表面越光滑；反之，表面粗糙度越大，则表面越不光滑。所述预设表面110的表面粗糙度可由粗糙度测试仪器测试出来，所述粗糙度测试仪器可在所述预设表面110滑动一段距离，即可探测出所述预设表面110的粗糙度。
55.综上所述，本技术实施方式提供的壳体10，由于所述预设表面110具有多个凸起结构111，且所述预设表面110的表面粗糙度ra的范围为：1.5μm≤ra≤4.0μm，当光线照射至所述壳体10时，所述凸起结构111的所述反光面1111对所述光线进行反射，因此，所述壳体10呈现出低闪的闪光效果以及较好的质感，即，本技术实施方式提供的壳体10具有较好的色彩-材料-工艺(color-material-finishing，cmf)外观装饰效果。此外，所述预设表面110的表面粗糙度ra的范围为：1.5μm≤ra≤4.0μm，从而使得所述预设表面110具有较高的粗糙度，在触摸体验上兼具细腻感以及砂粒感。
56.在一实施方式中，所述预设表面110的粗糙度ra的范围为：1.5μm≤ra≤3.5μm。
57.当所述预设表面110的粗糙度ra的范围为：1.5μm≤ra≤3.5μm时，可使得所述壳体10呈现出更好的低闪闪光效果，且还使得所述预设表面110在触摸体验上兼具更舒适的细腻感以及砂粒感。
58.请参阅图4及图5，图4为图1中iii处的壳体的预设表面在扫描显微镜下的形貌图；图5为图4中的俯视形貌图。在本实施方式中，所述凸起结构111为四棱锥(也称为四面体)，所述四棱锥具有四个反光面1111，所述反光面1111用于反射光线。
59.所述凸起结构111为四棱锥，当光线照射至所述四棱锥时，四个反光面1111均可对所述光线进行反射，使得所述壳体10的所述预设表面110呈现出低闪的闪光效果以及较好的质感，且在触摸体验上兼具细腻感以及砂粒感。
60.在一实施方式中，所述凸起结构111在所述预设表面110上的正投影上相距最远的两点之间的距离l的范围为：30μm≤l≤150μm。
61.请一并参阅图6，图6为图4中凸起结构的尺寸示意图。所述凸起结构111在所述预设表面110上的正投影，在所述正投影中选取距离最远的两个点：第一点p1及第二点p2，所述第一点p1及所述第二点p2之间的距离为l，所述l的范围为：30μm≤l≤150μm。
62.所述l的范围为：30μm≤l≤150μm，可使得所述壳体10的所述预设表面110呈现出低闪的闪光效果。当所述距离l＜30μm时，所述壳体10呈现出的哑光效果较为明显。当所述距离l＞150μm时，所述壳体10的闪光效果太闪而使得所述壳体10呈现出来的质感不佳。因此，本技术实施方式中提供的壳体10中所述凸起结构111的第一点及所述第二点之间的距离为l，所述l的范围为：30μm≤l≤150μm，可使得所述壳体10的所述预设表面110呈现出低闪的闪光效果以及较好的质感。
63.在一实施方式中，请一并参阅图3，所述凸起结构111的高度h为：3μm≤h≤15μm。
64.在所述凸起结构111的形态一定的情况下，所述凸起结构111的高度越高，则所述凸起结构111的反射效果越好，呈现出来的闪光效果越强；反之，在凸起结构111的形态一定的情况下，所述凸起结构111的高度越小，则所述凸起结构111的反射效果越好，呈现出来的闪光效果越弱。当所述凸起结构111的高度h＜3μm时，所述壳体10的所述预设表面110呈现出的反光效果接近哑光效果。当所述凸起结构111的高度h大于15μm时，所述壳体10的所述预设表面110呈现出的反光效果太强。本技术实施方式中所述凸起结构111的高度h为：3μm≤h≤15μm，可使得所述壳体10的预设表面110呈现出低闪的闪光效果以及较好的质感。
65.可选地，所述凸起结构111的高度h为：4μm≤h≤10μm。当所述凸起结构111的高度为：4μm≤h≤10μm时，可使得所述壳体10具有更优的低闪的闪光效果以及更好的质感。
66.在一实施方式中，请一并参阅图3，所述凸起结构111的反射面与所述预设表面110之间的角度θ满足：1/5≤tanθ≤1/3。
67.当所述凸起结构111的反射面与所述预设表面110之间的角度越小，所述壳体10的预设表面110的闪光度越低，即，所述预设表面110越不闪；当所述凸起结构111的反射面与所述预设表面110之间的角度越大，所述壳体10的预设表面110的闪光度越高，即，所述预设表面110越闪。本实施方式中凸起结构111的反射面与所述预设表面110之间的角度θ满足：1/5≤tanθ≤1/3，使得所述壳体10的所述预设表面110呈现出低闪的闪光效果以及较好的质感，且在触摸体验上兼具细腻感以及砂粒感。
68.在一种实施方式中，所述壳体10的雾度wd为：85％≤wd≤95％。所述壳体10的透过率tg为：5％≤tg≤15％。相邻的两个凸起结构111的中心点o1及o2之间的距离jd为：50μm≤jd≤200μm(请参阅图6)。
69.所述壳体10雾度、透过率及相邻的两个凸起结构111的中心点之间的距离jd中的至少一个或多个配合所述凸起结构111前面的结构参数(预设表面110的表面粗糙度ra、距离l、凸起的高度h、角度θ等中的至少一个或多个)共同使得所述壳体10呈现出更好的低闪闪光效果以及更好的的质感。
70.请一并参阅图2及图7，图7为另一实施方式中图2中沿ii处的放大示意图。在本实施方式中，所述壳体10具有相背的第一表面10a及第二表面10b。所述预设表面110为所述第一表面10a的全部，可以理解为，在其他方式中，所述预设表面110可以为所述预设表面110的部分表面。所述壳体10还具有光学膜层120及盖底层130。所述光学膜层120设置于所述第二表面10b，所述盖底层130设置于所述光学膜层120背离所述壳体10的一侧。所述光学膜层120具有颜色，比如，蓝色、黄色、绿色、渐变色等。所述光学膜层120中还可具有预设图案。所述光学膜层120的设置使得所述壳体10具有较好的颜色及质感。所述盖体层可以为但不仅限于为油墨或者底漆。所述盖底层130的设置可保证所述壳体10不透光，进而使得所述壳体10自所述预设表面110的一侧观察时，呈现较好的外观效果。
71.本技术还提供一种壳体制备方法，所述壳体制备方法可制备前面各个实施方式介绍的壳体10，前面各个实施方式中介绍的壳体10可由本技术提供的壳体制备方法制备而成。
72.请参阅图8，图8为本技术一实施方式提供的壳体制备方法的流程图。所述制备方法包括s110、s120以及s130。s110、s120以及s130详细介绍如下。
73.s110、提供玻璃基材200，所述玻璃基材200包括待处理表面200a。请一并参阅图9，图9为本技术一实施方式提供的玻璃基材的示意图。所述玻璃基材200中通常包括多种氧化物，比如sio2、na2o、k2o、al2o3、mgo。
74.所述玻璃基材200可以为2d玻璃基材200、或者2.5d玻璃基材200、或者3d玻璃基材200。所述待处理表面200a可以为所述玻璃基材200的所有表面的一个表面或者多个表面，也可以为所述玻璃基材200中一个表面的部分表面，或者全部表面。所述待处理表面200a的选取根据所述玻璃基材200制备出来的壳体10需要呈现出来的装饰效果来定。在本实施方式的示意图中，以所述待处理表面200a为所述玻璃基材200的一个表面为例进行示意，不应当理解为对本技术实施方式提供的玻璃基材200的限定。需要说明的是，所谓多个，是指大于等于两个。所述多个表面，是指大于或等于两个表面。
75.s120、将所述玻璃基材200浸泡于蒙砂液中并进行抛动，以在待处理表面200a形成晶体膜300。以及请一并参阅图10至图13，图10为图8中s120所包括的流程示意图。图11至图13依次为玻璃基材经过s120中的各个步骤的反应示意图。
76.具体地，请参阅图10，s120具体包括s121、s122及s123，s121、s122及s123详细介绍如下。
77.s121、将玻璃基材200浸泡于蒙砂液中并进行玻璃基材200抛动，所述玻璃基材200与所述蒙砂液发生反应，生成晶核310(也称为晶种)，所述晶核310覆盖在所述待处理表面200a。经过s121之后的玻璃基材200的结构具体请参阅图11。
78.s122、所述待处理表面200a中未被所述晶核310覆盖的区域继续与所述蒙砂液发生反应生成晶体320，所述晶体320吸附于所述晶核310上生长，所述晶体320用于抑制被覆盖的玻璃基材200与所述蒙砂液发生反应。经过s122之后的玻璃基材200的结构请一并参阅图12。
79.s123、经过总时长t，在所述待处理表面200a形成预设厚度的晶体膜300。
80.经过s123之后的玻璃基材200的结构请一并参阅图13。所述待处理表面200a被所述晶核310覆盖的区域由于所述晶核310的保护，停止与所述蒙砂液发生反应。所述待处理
表面200a中未被所述晶核310覆盖的区域继续与所述蒙砂液发生反应生成晶体320，所述晶体320吸附于所述晶核310上横向生长，且所述晶体320可保护所述晶体320覆盖的玻璃基材200，用于抑制甚至阻止被覆盖的玻璃基材200与所述蒙砂液发生反应，直至所述玻璃基材200待处理表面200a都被预设厚度的晶体膜300覆盖。由于所述晶核310覆盖的区域先停止与蒙砂液发生反应，生成晶体320的区域后停止与蒙砂液发生反应，因此，所述晶核310覆盖的玻璃基材200的部分的厚度最厚，而所述晶体320覆盖的玻璃基材200的部分的厚度较薄，且距离所述晶核310越远所述玻璃基材200的厚度越薄。
81.相关技术中，通常采用向所述玻璃基材200上喷淋蒙砂液的方式制备壳体10，由于蒙砂液中含有助剂颗，为了能够将蒙砂液顺利喷淋出来，蒙砂液中的助剂颗粒不能做的太大，且蒙砂液不能做的太粘稠，否则可能会出现蒙砂液堵住喷淋蒙砂液的喷头而无法喷出。本技术实施方式提供的壳体制备方法，将所述玻璃基材200浸泡于蒙砂液中，不存在蒙砂液堵住喷头的问题，因此，蒙砂液中的助剂颗粒可做得较大，进而可制备出在触摸体验上兼具细腻感以及砂粒感的壳体10。即，相较于喷淋方式制备壳体10而言，本技术实施方式提供的壳体制备方法可获得更高粗糙度的触感。此外，本技术实施方式提供的壳体制备方法将玻璃基材200浸泡于蒙砂液中，因此，所述玻璃基材200的待处理表面200a能够与蒙砂液充分接触，有利于提升对所述玻璃基材200的待处理表面200a进行加工的效率。此外，本技术实施方式提供的壳体制备方法在制备时，将所述玻璃基材200在蒙砂液中进行抛动，可使得所述晶核310在所述玻璃基材200上分布得较为均匀，且使得所述晶核310对所述晶体320的吸附效果更加均匀，使得最终生成的晶体膜300的均匀性较为一致，进而使得最终制备出来的凸起结构111的尺寸及结构形态符合要求。此外，将所述玻璃基材200浸泡于蒙砂液中并将所述玻璃基材200进行抛动，可使得所述玻璃基材200在所述蒙砂液中的减薄反应和抑制减薄反应这两种反应达到平衡，防止所述减薄反应或者所述抑制减薄反应占据上风导致生成晶体膜300的均匀性不一致。倘若生成的晶体膜300的均匀性不一致，则，最终制备出来的凸起结构111的尺寸及结构形态不符合要求。因此，本技术实施方式通过将所述玻璃基材200浸泡入所述蒙砂液中并进行抛动，可使得生产的晶体膜300均匀性较为一致，进而使得最终制备出来的凸起结构111的尺寸及结构形态符合要求。进一步地，倘若将所述玻璃基材200浸泡入所述蒙砂液中不进行抛动，则，所述玻璃基材200周围的蒙砂液与所述玻璃基材200发生反应，使得所述玻璃基材200周围的蒙砂液中反应物的浓度下降，使得玻璃基材200周围的蒙砂液中的反应物的浓度小于距离玻璃基材200较远处的反应物的浓度，进而使得所述晶体膜300的生长速度变慢。本技术实施方式提供的制备方法将所述玻璃基材200浸泡入所述蒙砂液中并进行抛动，还可使得所述蒙砂液各处的浓度更加均匀，进而使得所述蒙砂液中各处的反应物的浓度较为均衡，进而使得所述晶体膜300的生长速度较快，缩短所述壳体10的制备时长。
82.在一实施方式中，所述蒙砂液包括：重量百分比的范围为5％～10％的氢氟酸(hf)；重量百分比的范围为35％～50％的氟化氢铵(nh4hf2)；重量百分比的范围为20％～35％的盐酸(hcl)；重量百分比的范围为3％～5％的硫酸钡(basio2)；以及重量百分比的范围为5％～10％水。
83.所述蒙砂液中的各个成分之间的重量百分比的选取均可影响所述蒙砂液与玻璃基材200反应生成的晶形，最终影响在所述预设表面110形成的所述凸起结构111的形态，所
述凸起结构111的形态影响到所述壳体10的闪光效果以及触感。此外，所述蒙砂液中的各个成分之间的重量百分比的选取还可影响制备出来的所述壳体10的良率。本技术实施方式中选取的蒙砂液可使得制备出来的壳体10的预设表面110的凸起结构111具有较好的形态，所述壳体10的所述预设表面110呈现出低闪的闪光效果以及较好的质感，且在触摸体验上兼具细腻感以及砂粒感，此外，使得制备所述壳体10时具有较高的良率。
84.将所述玻璃基材200放置于所述蒙砂液中，所述蒙砂液中的氢氟酸(hf)与玻璃基材200(含有sio2)发生反应生成络合氟硅酸(h2sif6)，具体见反应式(1)、反应式(2)及反应式(3)。需要说明的是，所谓络合氟硅酸，是指络合状态的氟硅酸。
85.4hf+sio2＝sif4+2h2o
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(1)
86.3sif4+3h2o＝h2sio3+2h2sif6ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(2)
87.sif4+2hf＝h2sif6ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(3)
88.在反应式(1)中，生成的sif4是气态，并不会全部挥发，主要进行反应式(2)及反应式(3)的反应，生成络合氟硅酸(h2sif6)。
89.另，所述蒙砂液中的氢氟酸(hf)与所述玻璃基材200中的各种氧化物发生反应生成氟化物，具体请参见反应式(4)、(5)、(6)、(7)，反应式(4)、(5)、(6)、(7)详细如下。
90.na2o+2hf＝2naf+h2o
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(4)
91.al2o3+6hf＝2alf3+3h2o
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(5)
92.mgo+2hf＝2mgf2+h2o
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(6)
93.k2o+2hf＝2kf+h2o
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(7)
94.由此可见，经过反应式(4)、(5)、(6)、(7)，可生成各种阳离子(记为m+，在本实施方式中为m为na离子、al离子、mg离子、k离子、nh4离子等)。
95.络合氟硅酸(h2sif6)与蒙砂液中的阳离子发生反应生成m2sif6，所述m2sif6作为所述晶核310。其中，m2sif6包括na2sif6、al2si3f
18
、mgsif6、k2sif6、(nh4)2sif6。
96.所述待处理表面200a中未被所述晶核310覆盖的区域继续与所述蒙砂液发生反应生成晶体320。具体地，所述玻璃基材200中未被所述晶核310覆盖的区域继续与所述蒙砂液中的氢氟酸发生反应，产生了氟硅酸盐(m2sif6)，所述氟硅酸盐作为所述晶体320。所述氟硅酸盐可以为但不仅限于na2sif6、al2si3f
18
、mgsif6、k2sif6、(nh4)2sif6。
97.具体地，见反应式(8)、(9)、(10)、(11)、及(12)。
98.2naf+sif4＝na2sif6ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(8)
99.2alf3+3sif4＝al2si3f
18
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(9)
100.mgf2+sif4＝mgsif6ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(10)
101.2kf+sif4＝k2sif6ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(11)
102.2nh4+sif4＝(nh4)2sif6ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(12)
103.在另一实施方式中，所述蒙砂液包括：重量百分比的范围为6％～8％的氢氟酸；重量百分比的范围为42％～45％的氟化氢铵；重量百分比的范围为28％～30％的盐酸；重量百分比为4％硫酸钡；以及重量百分比为8％的水。
104.所述蒙砂液中的各个成分之间的重量百分比的选取均可影响所述蒙砂液与玻璃基材200反应生成的晶形，最终影响在所述预设表面110形成的所述凸起结构111的形态，所述凸起结构111的形态影响到所述壳体10的闪光效果以及触感。此外，所述蒙砂液中的各个
成分之间的重量百分比的选取还可影响制备出来的所述壳体10的良率。本技术实施方式中选取的蒙砂液可使得制备出来的壳体10的预设表面110的凸起结构111具有较好的形态，所述壳体10的所述预设表面110呈现出更好的低闪的闪光效果以及更好的质感，且在触摸体验上兼具细腻感以及砂粒感，此外，使得制备所述壳体10时具有更高的良率。
105.s130、去除所述晶体膜300，以得到壳体10，其中，所述壳体10具有由所述待处理表面200a得到的预设表面110，且所述预设表面110具有多个凸起结构111，所述凸起结构111具有多个反光面1111，所述预设表面110的表面粗糙度ra的范围为：1.5μm≤ra≤4.0μm。请一并参阅图14，图14为经过s130之后的结构示意图。
106.去除所述晶体膜300的方式可以为但不仅限于用水将所述晶体膜300去除，只要能够将所述晶体膜300去除且不伤害所述晶体膜300覆盖的玻璃基材200即可。将所述晶体膜300去除之后，则所述待处理表面200a变为所述预设表面110，所述预设表面110上具有凸起结构111。
107.下面将s120中将所述玻璃基材200浸泡于蒙砂液中并进行抛动的各个参数进行详细说明。在一实施方式中，所述将所述玻璃基材200浸泡于蒙砂液中并进行抛动，包括：将玻璃基材200放入承载件900上，并使得所述玻璃基材200的延伸方向与竖直方向之间的角度a的范围为：-10
°
≤a≤10
°
，并将所述承载件900及所述玻璃基材200浸泡于所述蒙砂液中。
108.所谓所述玻璃基材200的延伸方向，通常是指所述玻璃基材200的长度方向。当所述玻璃基材200的延伸方向与竖直方向之间的角度的绝对值越大，则所述玻璃基材200在浸泡入所述蒙砂液中时受到的蒙砂液的阻力越大，甚至造成所述蒙砂液溅出；相应地，当所述玻璃基材200的延伸方向与竖直方向之间的角度的绝对值越小，则所述玻璃基材200在浸泡入所述蒙砂液中时受到的蒙砂液的阻力越小，则，越不容易造成所述蒙砂液溅出。
109.所述玻璃基材200的延伸方向与竖直方向的角度a的范围为：-10
°
≤a≤10
°
，可使得所述玻璃基材200浸泡于所述蒙砂液中时受到的阻力较小，且不容易造成所述蒙砂液溅出。可选地，所述玻璃基材200的延伸方向与竖直方向的角度a的取值为-10
°
，或者-8
°
，或者-5
°
，或者0
°
，或者5
°
，或者8
°
，或者10
°
。请一并参阅图15、图16及图17。图15为所述玻璃基材的延伸方向与所述竖直方向的角度a等于零度时的示意图。图16为所述玻璃基材的延伸方向与所述竖直方向的角度a为-10
°
的示意图。图17为所述玻璃基材的延伸方向与所述竖直方向的角度a为+10
°
的示意图。在本实施方式中，所述玻璃基材的延伸方向标记为d1，所述竖直方向标记为d2，d1和d2之间的角度为角度a。需要说明的是，所述玻璃基材的延伸方向，是指所述玻璃基材的长度方向。
110.所述玻璃基材200的延伸方向与竖直方向的角度a的范围为：-10
°
≤a≤10
°
，可使得所述玻璃基材200浸泡于所述蒙砂液中时受到的阻力较小，且不容易造成所述蒙砂液溅出。
111.在一实施方式中，所述玻璃基材200的延伸方向与所述竖直方向的角度a等于零度。换而言之，所述玻璃基材200的延伸方向为所述竖直方向。当所述玻璃基材200的延伸方向为所述竖直方向时，可使得所述玻璃基材200浸泡于所述蒙砂液中时受到的阻力更小，且不容易造成所述蒙砂液溅出。
112.需要说明的是，在所述壳体制备方法中，可将玻璃基材200放入承载件900(比如，吸盘)上。所述吸盘可以为但不仅限于耐酸腐蚀的高分子吸盘。由于所述吸盘具有一定的柔
软性，因此，所述吸盘吸附所述玻璃基材200上时，有可能会存在所述玻璃基材200放置在所述承载件900上时，所述玻璃基材200的延伸方向和竖直方向不垂直的情况。当多个玻璃基材200放入所述承载件900上时，所述多个玻璃基材200中的每个玻璃基材200的延伸方向可以相同，也可以不同。
113.在一实施方式中，所述将所述玻璃基材200浸泡于蒙砂液中并进行抛动，包括：将玻璃基材200浸泡于蒙砂液中并进行抛动时的抛动速度v的范围为：400mm/s≤v≤2000mm/s。
114.将所述玻璃基材200在所述蒙砂液中并进行抛动时的抛动速度过小时，比如v＜400mm/s时，则会导致最终生成的壳体10的表面留下流痕异色等不良。将所述玻璃基材200在所述蒙砂液中并进行抛动时的抛动速度过大时，比如v＞2000mm/s时，则会使得所述玻璃基材200的上下两端的产生的凸起结构111的尺寸较大，即，使得制备出来的壳体10中的凸起结构111的大小不均匀。
115.本技术实施方式提供的壳体制备方法中，v的范围为：400mm/s≤v≤2000mm/s，可使得制备出来的壳体10的所述预设表面110各处的凸起结构111的大小均匀、各处的反光色差较小甚至无肉眼可视的色差等效果。
116.在一实施方式中，所述将所述玻璃基材200浸泡于蒙砂液中并进行抛动，包括：将玻璃基材200浸泡于蒙砂液中并进行抛动时的抛动距离d的范围为：30mm≤d≤150mm。
117.当所述抛动距离d过小时，比如，d＜30mm，则制备出来的壳体10的所述预设表面110各处的凸起结构111的大小不均匀。当所述抛动距离d过大时，比如，d＞150mm，则制备出来的壳体10的所述预设表面110会出现异色点。
118.本技术实施方式提供的制备方法中，抛动距离d的范围为：30mm≤d≤150mm，使得制备出来的壳体10的所述预设表面110各处的凸起结构111的大小均匀、各处的反光色差较小甚至无肉眼可视的色差等效果。
119.在一实施方式中，所述将所述玻璃基材200浸泡于蒙砂液中并进行抛动，包括：将玻璃基材200浸泡于蒙砂液中并进行抛动时的抛动频率f的范围为：1次/秒(s)≤f≤5次/秒(s)。
120.当所述抛动频率f较小时(比如，小于1次/s)，在蒙砂工序持续的总时长t不变的情况下，会使得制备出来的壳体10的所述预设表面110中存在没有形成凸起结构111的区域。当所述抛动频率f较大时，在蒙砂工序持续的总时长t不变的情况下，容易造成所述壳体10的所述预设表面110各处形成的凸起结构111不均匀，当光线照射至所述预设表面110时，所述预设表面110各处的反光效果不一致。
121.本技术实施方式中，抛动频率f的范围为：1次/秒(s)≤f≤5次/秒(s)，使得制备出来的壳体10的所述预设表面110各处的凸起结构111的大小均匀、各处的反光色差较小甚至无肉眼可视的色差等效果。
122.在一实施方式中，所述将所述玻璃基材200浸泡于蒙砂液中并进行抛动，持续的总时长t的范围为：60s≤t≤400s。
123.当持续的总时长t太小时(比如，t＜60s)，则会使得制备出来的壳体10的所述预设表面110中存在没有形成凸起结构111的区域。当持续的总时长t太大时(比如，t＞400s)，则所述蒙砂液会对可能会破坏已经形成的晶体膜300，进而破坏最终生成的凸起结构111的形
态。
124.在本技术实施方式中，持续的总时长t的范围为：60s≤t≤400s，可使得制备出来的壳体10的所述预设表面110各处的凸起结构111的大小均匀，且凸起结构111的形态不会被破坏。进而使得制备出来的壳体10的所述预设表面110呈现出低闪的闪光效果以及较好的质感，且在触摸体验上兼具细腻感以及砂粒感。
125.在一实施方式中，将所述玻璃基材200在所述蒙砂液中的抛动方向与所述玻璃基材200之间的延伸方向之间的角度b的范围为：-10
°
≤b≤10
°
。
126.当所述玻璃基材200在所述蒙砂液中的抛动方向与所述玻璃基材200的延伸方向之间的角度的绝对值越大，则所述玻璃基材200在所述蒙砂液中摆动时受到的蒙砂液的阻力越大，甚至造成所述蒙砂液溅出；相应地，当所述玻璃基材200在所述蒙砂液中的抛动方向与所述玻璃基材200的延伸方向之间的角度的绝对值越大，则所述玻璃基材200在浸泡入所述蒙砂液中时受到的蒙砂液的阻力越小，则，越不容易造成所述蒙砂液溅出。
127.将所述玻璃基材200在所述蒙砂液中的抛动方向与所述玻璃基材200之间的延伸方向之间的角度b的范围为：-10
°
≤b≤10
°
，可使得所述玻璃基材200在所述蒙砂液中摆动时受到的阻力较小，且不容易造成所述蒙砂液溅出。可选地，所述玻璃基材200在所述蒙砂液中的抛动方向与所述玻璃基材200之间的延伸方向之间的角度b的取值为-10
°
，或者-8
°
，或者-5
°
，或者0
°
，或者5
°
，或者8
°
，或者10
°
。
128.在一实施方式中，所述将所述玻璃基材200浸泡于蒙砂液中并进行抛动，包括：将所述玻璃基材200沿着所述玻璃基材200的延伸方向进行抛动。
129.在本实施方式中，将所述玻璃基材200沿着所述玻璃基材200的延伸方向进行抛动，即，所述玻璃基材200的抛动方向与所述玻璃基材200的延伸方向相同。换而言之，将所述玻璃基材200在所述蒙砂液中的抛动方向与所述玻璃基材200之间的延伸方向之间的角度b等于零。由此可见，将所述玻璃基材200沿着所述玻璃基材200的延伸方向进行抛动，可使得所述玻璃基材200在所述蒙砂液中抛动时受到的阻力较小，且不容易造成所述蒙砂液溅出。
130.可以理解地，当所述玻璃基材200的延伸方向为竖直方向，且当所述玻璃基材200在所述蒙砂液中的抛动方向与所述玻璃基材200之间的延伸方向之间的角度b等于零时，所述抛动方向为上下抛动。
131.可以理解地，在其他实施方式中，所述抛动方向也可以为水平抛动(即左右抛动)，或者环形抛动，只要实现能够将所述玻璃基材200在所述蒙砂液中抛动即可。
132.需要说明的是，所述玻璃基材200浸泡于蒙砂液中并进行抛动的各个参数包括：玻璃基材200的延伸方向与竖直方向之间的角度a、抛动速度v、抛动距离d、抛动频率f、持续的总时长t、抛动方向与玻璃基材200延伸方向之间的角度b。上述各个参数之间单独作用，也可任意两个或多个结合。当上述各个参数之间任意两个结合时，比如，角度a和抛动速度v结合，或者角度a和抛动距离d结合，或者角度a和抛动频率f结合，或者角度a和持续的总时长t结合，或者，角度a与角度b结合，或者抛动速度v和抛动距离d结合，或者抛动速度v和抛动频率f结合，或者抛动速度v和持续的总时长t结合，或者抛动速度v与角度b结合，或者抛动距离d与抛动频率f结合，或者抛动距离d与持续的总时长t结合，或者抛动距离d与角度b集合，或者抛动频率f和持续的总时长t结合，或者持续的总时长t与角度b结合。以此类推。在一种
实施方式中，所述玻璃基材200浸泡于蒙砂液中并进行抛动的各个参数中的玻璃基材200的延伸方向与竖直方向之间的角度a、抛动速度v、抛动距离d、抛动频率f、持续的总时长t均结合在一起。
133.需要说明的是，在一实施方式中，将所述玻璃基材200浸泡于蒙砂液中并进行抛动的温度tm为：10℃≤tm≤30℃。
134.当温度tm太低时(比如，tm＜10℃)，所述玻璃基材200在所述蒙砂液中的反应速度太慢，所述壳体10的制备效率较低。当温度tm太高时(比如，tm＞30℃)，则所述玻璃基材200在所述蒙砂液中的反应速度过快，容易使得制备出来的玻璃基材200产生腐蚀点(俗称霉点)，从而降低壳体10的良率。
135.在本实施方式中，选取10℃≤tm≤30℃，可使得根据所述玻璃基材200制备所述壳体10时具有较高的制备效率，以及较好的质量。
136.请一并参阅图18，图18为本技术另一实施方式提供的壳体制备方法的流程图。在本实施方式中，所述壳体制备方法包括s110、s10、s120、s130。换而言之，在所述s110及s120之间还包括s10，s110、s120及s130请参阅前面描述，在此不再赘述，s10详细介绍如下。
137.s10、用清洗液对所述待处理表面200a进行清洗。
138.用清洗液对所述待处理表面200a进行清洗，可去除所述待处理表面200a上的灰尘、油渍等杂质，保证用所述蒙砂液对所述玻璃基材200进行蒙砂处理的顺利进行，以及在所述待处理表面200a上进行蒙砂处理后得到的凸起结构111的均匀性。
139.所述清洗液可以为但不仅限于为水、可以去油污的酸溶液(比如，氢氟酸、硝酸)。
140.用清洗液对所述待处理表面200a进行清洗的方式可以为但不仅限于将玻璃基材200浸泡入清洗液中进行清洗，或者用清洗液对玻璃基材200进行喷淋的方式进行清洗，本技术不做限定，只要满足能够将所述待处理表面200a清洗干净即可。
141.在一实施方式中，将玻璃基材200浸泡入清洗液中进行清洗时，将所述玻璃基材200的延伸方向与竖直方向之间的角度c的范围为：-45
°
≤c≤45
°
，并将所述承载件900及所述玻璃基材200浸泡于所述清洗液中。
142.当所述玻璃基材200的延伸方向与竖直方向之间的角度的绝对值越大，则所述玻璃基材200在浸泡入所述清洗液中时受到的清洗液的阻力越大，甚至造成所述清洗液溅出；相应地，当所述玻璃基材200的延伸方向与竖直方向之间的角度的绝对值越小，则所述玻璃基材200在浸泡入所述清洗液中时受到的清洗液的阻力越小，则，越不容易造成所述清洗液溅出。
143.所述玻璃基材200的延伸方向与竖直方向的角度c的范围为：-45
°
≤c≤45
°
，可使得所述玻璃基材200浸泡于所述清洗液中时受到的阻力较小，且不容易造成所述清洗液溅出。此外，所述玻璃基材200的延伸方向与竖直方向的角度的范围为：-45
°
≤c≤45
°
，可使得所述玻璃基材200上的清洗液快速流下，以免所述玻璃基材200上残留过多的清洗液对所述玻璃基材200浸泡到所述蒙砂液中进行蒙砂处理的工序造成影响，减小甚至避免玻璃基材200浸泡于蒙砂液中进行蒙砂处理后得到的壳体10的预设表面110上呈现目视可见的异色，流痕等，使得制备出来的壳体10具有较好的外观效果。
144.可选地，所述玻璃基材200的延伸方向与竖直方向的角度c的取值为-45
°
，或者-30
°
，或者-15
°
，或者0
°
，或者15
°
，或者30
°
，或者45
°
。
145.在一种实施方式中，所述玻璃基材200的延伸方向与竖直方向的角度c的范围为：-10
°
≤c≤10
°
。所述玻璃基材200的延伸方向与竖直方向的角度c的范围为：-10
°
≤c≤10
°
，可使得所述玻璃基材200浸泡于所述清洗液中时受到的阻力较小，且不容易造成所述清洗液溅出。此外，所述玻璃基材200的延伸方向与竖直方向的角度的范围为：-10
°
≤c≤10
°
，可使得所述玻璃基材200上的清洗液快速流下，以免所述玻璃基材200上残留过多的清洗液对所述玻璃基材200浸泡到所述蒙砂液中进行蒙砂处理的工序造成影响，减小甚至避免玻璃基材200浸泡于蒙砂液中进行蒙砂处理后得到的壳体10的预设表面110上呈现目视可见的异色，流痕等，使得制备出来的壳体10具有较好的外观效果。
146.在一实施方式中，所述玻璃基材200的延伸方向与所述竖直方向的角度c等于零度。换而言之，所述玻璃基材200的延伸方向为所述竖直方向。当所述玻璃基材200的延伸方向为所述竖直方向时，可使得所述玻璃基材200浸泡于所述清洗液中时受到的阻力更小，且不容易造成所述清洗液溅出。
147.此外，所述玻璃基材200的延伸方向与竖直方向的角度c等于零度，可使得所述玻璃基材200上的清洗液快速流下，以免所述玻璃基材200上残留过多的清洗液对所述玻璃基材200浸泡到所述蒙砂液中进行蒙砂处理的工序造成影响，减小甚至避免玻璃基材200浸泡于蒙砂液中进行蒙砂处理后得到的壳体10的预设表面110上呈现目视可见的异色，流痕等，使得制备出来的壳体10具有较好的外观效果。
148.具体地，在一实施方式中，所述s10具体包括s101、s102及s103，s101、s102及s103详细介绍如下。请参阅图19，图19为图18中s10所包括的流程示意图。
149.s101、用水对所述待处理表面200a进行清洗。
150.用水对所述待处理表面200a进行清洗的方式可以为但不仅限于为将所述玻璃基材200浸泡于盛放有水的装置(比如槽)内进行清洗，或者将所述玻璃基材200用水进行喷淋等方式进行清洗。在一种实施方式中，将玻璃基材200放入承载件900上，并将所述承载件900及所述玻璃基材200一同浸泡于盛放有水的装置内进行清洗。为了保证清洗效果，水选取为纯水。所述玻璃基材200浸泡于盛放有水的装置内所持续的时长t1可选为：60秒(s)≤t1≤120秒(s)。所述玻璃基材200浸泡于盛放有水的装置清洗时的温度可以选取为常温(比如，25℃)。当所述玻璃基材200浸泡于盛放有水的装置内，可对玻璃基材200的所述待处理表面200a上的进行预清洁。
151.s102、用酸溶液对所述待处理表面200a进行清洗。
152.用酸溶液对所述待处理表面200a进行清洗的方式可以为但不仅限于为将所述玻璃基材200浸泡于盛放有酸溶液的装置(比如，槽)内进行清洗，或者将所述玻璃基材200用酸容易进行喷淋的方式进行清洗。所述酸溶液可以为但不仅限于包括一种酸或多种酸的混合液。举例而言，所述酸溶液可以包括氢氟酸及硝酸。在一实施方式中，所述酸溶液包括重量百分比w1为：1％≤w1≤5％的氢氟酸(hf)，重量百分比w2为：3％≤w2≤10％的硝酸(hno3)、以及水。所述玻璃基材200浸泡于盛放有酸溶液的装置内所持续的时长t2可选为：60秒(s)≤t2≤180秒(s)。所述玻璃基材200浸泡于盛放有酸溶液的装置清洗时的温度可以选取为常温(比如，25℃)。
153.本实施方式中，酸溶液中的硝酸可用于清洗所述玻璃基材200上的油污。酸溶液中的氢氟酸可对所述玻璃基材200进行活化，便于后续将所述玻璃基材200浸泡入所述蒙砂液
中时的蒙砂工序的进行。
154.当所述酸溶液中的氢氟酸的重量百分比过高时，可能对所述玻璃基材200进行过度腐蚀；当所述酸溶液中的氢氟酸的重量百分比过低时，可能使得所述酸溶液对所述玻璃基材200的活化不足。
155.当所述酸溶液中的硝酸的重量百分比过低时，对所述玻璃基材200的清洗速度不快，甚至无法将所述玻璃基材200清洗干净；当所述酸溶液中的硝酸的重量百分比过高时，则容易挥发，造成污染。
156.本实施方式中的酸溶液中氢氟酸以及硝酸的浓度选取可兼顾不将玻璃基材200进行过度腐蚀、可将玻璃基材200清洗干净、以及将玻璃基材200进行适度活化的作用。
157.s103、用水对经过酸溶液清洗过的所述待处理表面200a进行清洗。
158.本实施方式中，用水溶液对经过酸溶液清洗过的所述待处理表面200a进行清洗，可减小甚至避免酸溶液残留在所述待处理表面200a上时对后续将清洗后玻璃基材200放入蒙砂液中进行蒙砂处理时的干扰。
159.在s3中，所述玻璃基材200浸泡于盛放有水的装置内所持续的时长t3可选为：60秒(s)≤t3≤120秒(s)。所述玻璃基材200浸泡于盛放有水的装置清洗时的温度可以选取为常温(比如，25℃)。
160.可以理解地，在其他实施方式中，也可仅用水对所述待处理表面200a进行清洗；或者仅用酸溶液对所述待处理表面200a进行清洗；或者先用酸溶液对所述待处理表面200a进行清洗，再用水对经过酸溶液清洗过的所述待处理表面200a进行清洗，只要满足将所述玻璃基材200清洗干净即可。
161.请一并参阅图20，图20为本技术又一实施方式提供的壳体制备方法的流程图。在本实施方式中，所述壳体制备方法包括s110、s10、s20、s120、s130。换而言之，在所述s10之后，所述壳体制备方法还包括s20。s110、s10、s120及s130请参阅前面描述，在此不再赘述，s20详细介绍如下。
162.s20、对清洗之后的玻璃基材200进行甩动，以甩掉所述玻璃基材200上残留的清洗液。
163.对清洗后的玻璃基材200进行甩动，甩掉玻璃基材200上残留的清洗液，可防止所述玻璃基材200上残留清洗液，进而可减小甚至避免清洗液残留在所述待处理表面200a上时对玻璃基材200放入蒙砂液中进行蒙砂处理时的干扰。以免所述玻璃基材200上残留过多的清洗液对所述玻璃基材200浸泡到所述蒙砂液中进行蒙砂处理的工序造成影响，减小甚至避免玻璃基材200浸泡于蒙砂液中进行蒙砂处理后得到的壳体10的预设表面110上呈现目视可见的异色，流痕等，使得制备出来的壳体10具有较好的外观效果。
164.请一并参阅图21，图21为本技术另一实施方式提供的壳体制备方法的流程图。所述玻璃基材200还包括非处理表面200b，在s120、将所述玻璃基材200浸泡于蒙砂液中并进行抛动，以在待处理表面200a形成晶体膜300之前，所述制备方法还包括s1及s2。所述制备方法还包括s1及s2可结合到前面任意实施方式提供的壳体制备方法中。举例而言，在一实施方式中，所述制备方法包括s1、s110、s120、s130及s2。在另一实施方式中，所述制备方法包括s110、s1、s10、s120、s130及s2。在又一实施方式中，所述制备方法包括s110、s1、s10、s20、s120、s130及s2。在本实施方式的示意中，以所述制备方法包括s110、s1、s10、s120、
s130及s2为例进行示意，不应当理解为对本技术实施方式提供的壳体制备方法的限定。具体地，在本实施方式中，所述制备方法包括s110、s1、s10、s120、s130及s2，s1及s2详细描述如下，s110、s10、s120及s130请参阅前面描述，在此不再赘述。
165.s110、提供玻璃基材200，所述玻璃基材200包括待处理表面200a。
166.s1、将所述非处理表面200b用保护膜800进行保护。所谓非处理表面200b，即，不需要进行蒙砂工序处理的表面。换而言之，所述非处理表面200b无需与所述蒙砂液进行反应。所述保护膜800的材质可以为但不仅限于为油墨。所述油墨可以保护所述非处理表面200b不被蒙砂液腐蚀，且所述油墨具有较佳的稳定性，不与所述蒙砂液、清洗液发生反应。
167.s10、用清洗液对所述待处理表面200a进行清洗。
168.s120、将所述玻璃基材200浸泡于蒙砂液中并进行抛动，以在待处理表面200a形成晶体膜300。
169.s130、去除所述晶体膜300，以得到壳体10，其中，所述壳体10具有由所述待处理表面200a得到的预设表面110，且所述预设表面110具有多个凸起结构111，所述凸起结构111具有多个反光面1111，所述预设表面110的表面粗糙度ra的范围为：1.5μm≤ra≤4.0μm。
170.s2、去除所述保护膜800。
171.在一实施方式中，可选取碱性脱膜剂对所述保护膜800进行去除。举例而言，将玻璃基材200浸泡入碱性脱膜剂中，温度tc：60℃≤tc≤80℃，持续时间tc：30分钟≤tc≤40分钟。
172.请一并参阅图22，图22为本技术另一实施方式提供的壳体制备方法的流程图。在本实施方式中，所述壳体制备方法用于制备2.5d壳体或3d壳体。所述s110具体包括s111及s112，s111及s112详细介绍如下。其中，s111位于s1之前，s112位于s1之后。因此，s111、s1及s112的具体描述如下。s110具体包括s111及s112可结合于前面任意实施方式提供的制备方法中，在本实施方式中，以s110包括s111及s112结合到包括s1、s120及s130的制备方法中为例进行示意。
173.s111、制备出具有凹面21及凸面22的曲面玻璃基材200，且对所述凹面21进行抛光，抛光后的所述凹面21为非处理表面200b。请一并参阅图23及图24，图23为对凹面进行抛光之前的玻璃基材的示意图；图24为对凹面进行抛光之后的玻璃基材的示意图。
174.通常而言，2.5d壳体及3d壳体在制备时，通常将所述玻璃基材200进行热弯加工而成曲面玻璃基材200，曲面玻璃基材200的凹面21上具有模具的印痕220，所述印痕会影响所述玻璃基材200的强度。因此，将所述凹面21进行抛光，可去除所述凹面21上的印痕220，进而使得所述玻璃基材200具有较好的强度。
175.s1、将所述非处理表面200b用保护膜800进行保护。请一并参阅图25，图25为经过s1之后的玻璃基材的示意图。
176.s112、将所述凸面22进行抛光，以形成所述玻璃基材200，抛光后的所述凸面22为所述待处理表面200a。请一并参阅图26，图26为经过s112之后的玻璃基材的示意图。
177.常而言，2.5d壳体及3d壳体在制备时，通常将所述玻璃基材200进行热弯加工而成曲面玻璃基材200，曲面玻璃基材200的凸面22上也具有模具的印痕220。由于曲面玻璃基材200的凸面22面上具有模具的印痕220，所述印痕220会影响所述玻璃基材200的强度。因此，将所述凸面22进行抛光，可去除所述凸面22上的印痕220，进而使得所述玻璃基材200具有
较好的强度。
178.s120、将所述玻璃基材200浸泡于蒙砂液中并进行抛动，以在待处理表面200a形成晶体膜300。请一并参阅图27及图28，图27为经过s120之后的玻璃基材的示意图。图28为图27中v处的放大示意图。
179.s130、去除所述晶体膜300，以得到壳体10，其中，所述壳体10具有由所述待处理表面200a得到的预设表面110，且所述预设表面110具有多个凸起结构111，所述凸起结构111具有多个反光面1111，所述预设表面110的表面粗糙度ra的范围为：1.5μm≤ra≤4.0μm。请参阅图29，图29为图28中所示的玻璃基材经过s130之后的示意图。
180.s2、去除所述保护膜800。去除所述保护膜800之后，得到所述壳体10。请参阅图30，图30为图29中所示的玻璃基材经过s2之后的示意图。
181.本技术还提供了一种电子设备1，下面结合附图对本技术提供的电子设备1进行详细描述。请一并参阅图31及图32，图31为本技术一实施方式提供的电子设备的立体示意图；图32为图31中所示的电子设备的分解示意图。所述电子设备1可以为但不仅限于为手机、平板电脑等具有壳体10的设备。所述壳体10请参阅前面描述，在此不再赘述。在本实施方式中，所述壳体10的所述预设表面110构成所述电子设备1的部分外观面。
182.在本实施方式中，所述电子设备1除了包括壳体10还包括显示屏30、中框70、电路板40及摄像头模组50。所述壳体10与所述显示屏30分别设置于所述中框70相背的两侧。所述中框70用于承载所述显示屏30，且所述中框70的侧面显露于所述壳体10与所述显示屏30。所述壳体10与所述中框70形成收容空间，用于收容所述电路板40与所述摄像头模组50。所述壳体10上具有透光部20c，所述摄像头模组50可通过所述壳体10上的透光部20c拍摄，即，本实施方式中的摄像头模组50为后置摄像头模组。可以理解地，在其他实施方式中，所述透光部20c可设置在所述显示屏30上，即，所述摄像头模组50为前置摄像头模组。在本实施方式的示意图中，以所述透光部20c为开口进行示意，在其他实施方式中，所述透光部20c可不为开口，而是为透光的材质，比如，塑料、玻璃等。
183.可以理解地，本实施方式中所述的电子设备1仅仅为所述壳体10所应用的电子设备1的一种形态，不应当理解为对本技术提供的电子设备1的限定，也不应当理解为对本技术各个实施方式提供的壳体10的限定。
184.尽管上面已经示出和描述了本技术的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本技术的限制，本领域的普通技术人员在本技术的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型，这些改进和润饰也视为本技术的保护范围。