用于调整模拟增益的列放大器电容器开关电路的制作方法

1.本公开大体上涉及图像传感器，且具体来说但非排它地涉及具有列增益的互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器。


背景技术：

2.图像传感器已变得无处不在，且现在广泛用于数码相机、蜂窝电话、监控摄像头以及医疗、汽车及其它应用中。随着图像传感器集成到更广泛的电子装置中，期望通过装置架构设计以及图像获取处理两者以尽可能多的方式(例如，分辨率、电力消耗、动态范围等)增强其功能性、性能度量及其类似者。
3.典型图像传感器响应于来自外部场景的图像光入射于图像传感器上而操作。图像传感器包含像素阵列，所述像素阵列具有光敏元件(例如，光电二极管)，所述光敏元件吸收入射图像光的一部分并在吸收图像光时生成图像电荷。由像素光生的图像电荷可经测量为依据入射图像光而变化的列位线上的模拟输出图像信号。换句话说，生成的图像电荷量与图像光的强度成正比，所述图像电荷量经读出为来自列位线的模拟图像信号，并经转换为数字值，以生成表示外部场景的数字图像(即，图像数据)。列位线上的模拟图像信号经耦合到读出电路，所述读出电路包含具有耦合到模/数转换(adc)电路的列放大器以将来自像素阵列的模拟图像信号转换为数字图像信号的输入级。


技术实现要素：

4.在一个方面，本技术案提供一种像素单元读出电路，其包括：放大器；及电容器开关电路，其包括：第一路由路径，其经耦合到所述放大器的输入；第二路由路径，其包含沿着所述第二路由路径串联耦合的多个m-1个开关，其中所述第二路由路径的第一端经耦合到来自像素单元的像素阵列的位线，其中所述第二路由路径的第二端经耦合到所述放大器的输出，其中所述多个m-1个开关中的仅一者被关断，且所述多个m-1个开关中的其余者被接通；及多个m个电容器，其经并联耦合在所述第一路由路径与所述第二路由路径之间，其中所述多个m个电容器中的每一者的第一端经耦合到所述第一路由路径，其中所述多个m电容器中的每一者的第二端经耦合到所述第二路由路径，其中所述多个m-1个开关沿着所述第二路由路径在所述多个m个电容器的所述第二端当中交错。
5.在另一方面，本技术案进一步提供一种成像系统，其包括：像素阵列，其包含布置成行及列的多个像素单元，其中所述像素单元中的每一者经耦合以响应于入射光而生成图像信号；控制电路，其经耦合到所述像素阵列以控制所述像素阵列的操作；及读出电路，其经耦合到所述像素阵列，其中所述读出电路包括：放大器；及电容器开关电路，其包括：第一路由路径，其经耦合到所述放大器的输入；第二路由路径，其包含沿着所述第二路由路径串联耦合的多个m-1个开关，其中所述第二路由路径的第一端经耦合到来自像素单元的像素阵列的位线，其中所述第二路由路径的第二端经耦合到所述放大器的输出，其中所述多个m-1个开关中的仅一者被关断，且所述多个m-1个开关中的其余者被接通；及多个m个电容
器，其经并联耦合在所述第一路由路径与所述第二路由路径之间，其中所述多个m个电容器中的每一者的第一端经耦合到所述第一路由路径，其中所述多个m电容器中的每一者的第二端经耦合到所述第二路由路径，其中所述多个m-1个开关沿着所述第二路由路径在所述多个m个电容器的所述第二端当中交错。
附图说明
6.参考以下图描述本发明的非限制性及非详尽实施例，其中贯穿各种视图，相同参考数字指的是相同部分，除非另有指定。
7.图1说明根据本发明的教导的具有包含具有电容器开关电路的列放大器的读出电路的成像系统的一个实例。
8.图2说明根据本公开的教导的使用电容器开关电路提供列增益的放大器的一个实例示意图。
9.图3a说明根据本公开的教导的使用电容器开关电路提供列增益的放大器的另一实例示意图。
10.图3b说明根据本公开的教导的为包含于图3a中展示的放大器中的实例电容器开关电路提供不同增益值的各种实例开关设置。
11.图3c说明根据本公开的教导的使用电容器开关电路提供列增益的放大器的又一实例示意图。
12.图4说明根据本公开的教导的使用电容器开关电路提供列增益的放大器的又一实例示意图。
13.贯穿绘图的多个视图，对应参考字符指示对应组件。所属领域技术人员将理解，图中的元件是为了简单及清楚而说明，且不必按比例绘制。例如，图中的一些元件的尺寸可相对于其它元件放大，以帮助改进对本发明的各种实施例的理解。另外，通常不描绘在商业上可行的实施例中有用或必要的常见但充分理解的元件，以便有助于本发明的这些不同实施例的较少阻碍的视图。
具体实施方式
14.本文描述涉及具有包含具有提供可调整增益的电容器开关电路的放大器的读出电路的成像系统的各种实例。在以下描述中，阐述许多具体细节以提供对实例的透彻理解。然而，相关领域的技术人员将认识到，可在没有一或多个具体细节的情况下，或使用其它方法、组件、材料等来实践本文所描述的技术。在其它例项中，为了避免模糊某些方面，未详细地展示或描述众所周知的结构、材料或操作。
15.贯穿本说明书对“一个实例”或“一个实施例”的引用意味着结合实例描述的特定特征、结构或特性包含在本发明的至少一个实例中。因此，在贯穿本说明书的各个地方中“在一个实例中”或“在一个实施例中”的短语的出现不一定都指相同实例。此外，可在一或多个实例中以任何适当的方式组合特定特征、结构或特性。
16.为了便于描述，空间相对术语，例如“下面”、“以下”、“上面”、“下方”、“上方”、“上”、“顶部”、“底部”、“左”、“右”、“中心”、“中间”及其类似者可在本文中用于描述一个元件或特征与另一(些)元件或特征的关系，如图中所说明。应理解，空间相对术语旨在涵盖装
置在使用或操作中除图中描绘的定向之外的不同定向。例如，如果图中的装置被旋转或翻转，那么被描述为在其它元件或特征“以下”或“下面”或“下方”的元件将被定向为在其它元件或特征“上方”。因此，示范性术语“以下”及“下方”可涵盖上方及以下的定向两者。装置可以其它方式定向(旋转90度或以其它定向)，且本文中使用的空间相对描述词可被相应地解释。另外，还将理解，当元件被称为在两个其它元件“之间”时，它可为两个其它元件之间的唯一元件，或也可存在一或多个中介元件。
17.贯穿本说明书，使用若干技术术语。这些术语在其所源自的技术中呈现其普通含义，除非本文中明确定义或其使用的上下文另将明确建议。应注意，元件名称及符号可贯穿此文件互换使用(例如，si对硅)；但两者具有相同含义。
18.如将论述，描述具有包含具有提供可调整增益的电容器开关电路的放大器的读出电路的成像系统的各种实例。在各种实例中，电容器开关电路包含耦合到放大器的输入的第一路由路径及并联耦合在第一路由路径与第二路由路径之间的多个m个电容器。在实例中，第二路由路径包含沿着第二路由路径串联耦合的多个m-1个开关。第二路由路径的第一端经耦合到来自像素阵列的位线，且第二路由路径的第二端经耦合到放大器的输出。
19.在实例中，多个m-1个开关沿着第二路由路径在多个m个电容器当中交错，且多个m-1个开关中的仅一者被关断，而多个m-1个开关中的其余者被接通，这将第二路由路径划分或分离为第一部分及第二部分。多个m个电容器的第一子集经并联耦合在第一路由路径与第二路由路径的第一部分之间。多个m个电容器的第二子集经并联耦合在第一路由路径与第二路由路径的第二部分之间。
20.为了说明，图1说明根据本发明的教导的具有包含具有提供可调整增益的电容器开关电路的放大器的读出电路的互补金属氧化物半导体(cmos)成像系统100的一个实例。在实例中，成像系统100包含像素阵列102、控制电路110、读出电路106及功能逻辑108。在一个实例中，像素阵列102是包含多个像素单元104(例如，p1、p2、
…
、pn)的二维(2d)阵列，所述像素单元104经布置成行(例如，r1到ry)及列(例如，c1到cx)以获取人、地点、对象等的图像数据，所述图像数据可接着用于呈现人、地点、对象等的图像。
21.在每个像素单元104已获取其图像电荷之后，由读出电路106通过列位线112读出对应模拟图像信号。在一个实例中，读出电路106可沿着列位线112(已说明)一次读出一行图像电荷值，或可使用各种其它技术(未说明)读出图像电荷值，例如同时对所有像素单元104进行串行读出或完全并行读出。在各种实例中，读出电路106包含耦合到位线112以放大从像素阵列102的像素单元104读出的模拟图像信号的列放大器114。如将论述，列放大器114包含为列放大器114提供可调整增益的电容器开关电路，其如将在下文更详细描述。读出电路106还包含模/数转换(adc)电路116，所述模/数转换(adc)电路116经耦合以将从列放大器114接收的经放大模拟图像信号转换为数字图像信号。因此，根据本发明的教导，可以不同的可调整增益设置从像素阵列102读出图像电荷值。接着，可将图像电荷值的数字表示传输到功能逻辑108。功能逻辑108可简单地存储图像电荷值或甚至通过应用后图像效果(例如，裁剪、旋转、移除红眼、调整亮度、调整对比度或其它)来操纵图像数据。
22.在一个实例中，控制电路110经耦合到像素阵列102以控制像素阵列102的操作特性。例如，在一个实例中，控制电路110生成传输门信号及其它控制信号以控制从像素阵列102的所有像素单元104传输及读出图像数据。另外，控制电路110可生成用于控制图像获取
的快门信号。在一个实例中，快门信号是滚动快门信号，使得在连续获取窗口期间依序逐行读出像素阵列102的每一行。快门信号还可建立曝光时间，所述曝光时间是快门保持打开的时间长度。在一个实施例中，针对每个帧，曝光时间被设置为相同。
23.图2说明根据本公开的教导的使用电容器开关电路提供列增益的放大器214的一个实例示意图。应了解，图2中说明的放大器214可为包含于图1的读出电路106中的列放大器114的实例，且上文描述的类似命名及编号的元件在下文类似地耦合及运作。
24.如所描绘的实例中展示，放大器214包含反相放大器218，所述反相放大器218具有经耦合以接收输入电压vf 228的输入及经耦合以提供输出电压ampout 220的输出。在一个实例中，输出ampout 220经耦合以由包含于成像系统的读出电路中的adc电路接收。在一个实例中，复位开关226经耦合在放大器218的输入vf 228与输出ampout 220之间。图2中描绘的实例说明可调整反馈电容器c
fb 224也耦合在放大器218的输入vf 228与输出ampout 220之间。另外，放大器218的输入vf 228也通过可调整输入电容器c
in 222电容耦合到位线212。
25.如上文总结且如下文将更详细描述，图2中描绘的实例说明包含耦合到放大器218的输入vf 228的第一路由路径252的电容器开关电路。另外，包含第一部分254a及第二部分254b的第二路由路径254具有耦合到位线212的第一端及耦合到放大器218的ampout 220的第二端。在各种实例中，输入电容器c
in 222使用并联耦合在第二路由路径254的第一部分254a与第一路由路径252之间的多个m个电容器的第一子集来实施。在各种实例中，反馈电容器c
fb 224使用并联耦合在第二路由路径254的第二部分254b与第一路由路径252之间的多个m个电容器的第二子集来实施。
26.如下文将更详细展示，在各种实例中，第二路由路径包含沿着第二路由路径串联耦合的多个m-1个开关。多个m-1个开关沿着第二路由路径在多个m个电容器当中交错，且多个m-1个开关中的仅一者被关断，而多个m-1个开关中的其余者被接通，这将第二路由路径254划分或分离为第一部分254a及第二部分254b。在实例中，输入电容器c
in 222经耦合在第一路由路径252与第二路由路径254的第一部分254a之间，而反馈电容器c
fb 224经耦合在第一路由路径252与第二路由路径254的第二部分254b之间。
27.根据本发明的教导，在操作中，取决于多个m-1个开关中的哪一者被关断，调整包含于输入电容器c
in 222及反馈电容器c
fb 224中的电容器的比率，这调整放大器214的增益。在各种实例中，响应于以下等式来调整放大器214的增益：
[0028][0029]
图3a更详细展示根据本公开的教导的使用电容器开关电路提供列增益的放大器314的另一实例示意图。应了解，图3a中说明的放大器314可为图2中说明的放大器214的实例及/或包含于图1的读出电路106中的列放大器114的实例，且上文描述的类似命名及编号的元件在下文类似地耦合及运作。
[0030]
如所描绘的实例中展示，放大器314包含反相放大器318，所述反相放大器318具有经耦合以接收输入电压vf 328的输入及经耦合以提供输出电压ampout 320的输出。在一个实例中，输出ampout 320经耦合以由包含于成像系统的读出电路中的adc电路接收。在一个实例中，放大器314包含电容器开关电路，所述电容器开关电路包含第一路由路径352、第二路由路径354、多个m个电容器(其包含电容器c2 342、电容器c3 344、电容器c4 346、电容器
c5 348、电容器c6 350)及多个m-1个开关(其包含开关swa 330、开关swb 332、开关swc 334和开关swd 336)。在所描绘的实例中，放大器314还包含具有耦合到第一路由路径352的第一端的输入/接地电容器c1 340及经配置以将输入/接地电容器c1 340的第二端耦合到第二路由路径354(在图3a中标记为“h”)或接地(在图3a中标记为“l”)的输入/接地选择开关swg 338。
[0031]
具体来说，图3a中描绘的实例展示第一路由路径352经耦合到放大器318的vf 328输入。第二路由路径354包含沿着第二路由路径354串联耦合的多个m-1个开关，包含开关swa 330、swb 332、swc 334、swd 336。图3a的实例展示m＝5的实例，使得存在沿着第二路由路径354串联耦合的四个开关swa 330、swb 332、swc 334、swd 336。在实例中，第二路由路径354的第一端(例如，左端)经耦合到位线312，所述位线312在一个实例中经耦合到像素单元的像素阵列。第二路由路径354的第二端(例如，右端)经耦合到放大器318的ampout 320输出。
[0032]
如展示，包含电容器c2 342、电容器c3 344、电容器c4 346、电容器c5 348、电容器c6 350的多个m个电容器经并联耦合在第一路由路径352与第二路由路径354之间。图3a的实例展示m＝5的实例，使得存在包含于多个m个电容器中的五个电容器c2 342、c3 344、c4 346、c5 348、c6 350。在实例中，多个m个电容器c2 342、c3 344、c4 346、c5 348、c6 350中的每一者的第一端(例如，底端)经耦合到第一路由路径352。多个m个电容器c2 342、c3 344、c4 346、c5 348、c6 350中的每一者的第二端(例如，顶端)经耦合到第二路由路径354。
[0033]
如所描绘的实例中展示，多个m-1个开关swa 330、swb 332、swc 334、swd 336沿着第二路由路径354在多个m个电容器c2 342、c3 344、c4 346、c5 348、c6 350的第二端当中交错。换句话来说，多个m-1个开关swa 330、swb 332、swc 334、swd 336中的每一者沿着第二路径354耦合在相应相邻电容器c2 342、c3 344、c4 346、c5 348、c6 350的第二端之间。
[0034]
在操作中，多个m-1个开关swa 330、swb 332、swc 334、swd 336中的仅一者被关断，且多个m-1开关中的其余者被接通。因而，关断的一个开关将第二路由路径354划分或分离为第一部分354a及第二部分354b。因此，多个m个电容器的第一子集经耦合到第二路由路径的第一部分354a，且多个m个电容器的第二子集经耦合到第二路由路径354的第二部分354b。
[0035]
例如，当开关swa 330被关断时，开关swb 332、swc 334及swd 336被接通。因而，电容器c2 342的子集经耦合到第二路由路径354的第一部分354a，而电容器c3 344、c4 346、c5 348及c6 350的子集经耦合到第二路由路径354的第二部分354b。
[0036]
类似地，当开关swb 332被关断时，开关swa 330、swc 334及swd 336被接通。因而，电容器c2 342及c3 344的子集经耦合到第二路由路径354的第一部分354a，而电容器c4 346、c5 348及c6 350的子集经耦合到第二路由路径354的第二部分354b。
[0037]
类似地，当开关swc 334被关断时，开关swa 330、swb 332及swd 336被接通。因而，电容器c2 342、c3 344及c4 346的子集经耦合到第二路由路径354的第一部分354a，而电容器c5 348及c6 350的子集经耦合到第二路由路径354的第二部分354b。
[0038]
类似地，当开关swd 336被关断时，开关swa 330、swb 332及swc 334被接通。因而，电容器c2 342、c3 344、c4 346及c5 348的子集经耦合到第二路由路径354的第一部分354a，而电容器c6 350的子集经耦合到第二路由路径354的第二部分354b。
[0039]
另外且如上文总结，应注意，图3a中描绘的实例还展示输入/接地选择开关swg 338还可经配置以将输入/接地电容器c1 340的第二端耦合到第二路由路径354的第一部分354a(例如，“h”)或接地(例如，“l”)。
[0040]
在图3a中说明的实例中，电容器c2 342具有大体上等于输入/接地电容器c1 340(x1)的电容值的四倍(x4)的电容值。电容器c3 344具有大体上等于输入/接地电容器c1 340的电容值的两倍(x2)的电容值。电容器c4 346、c5 348及c6 350具有大体上等于输入/接地电容器c1 340的电容值(x1)的电容值。
[0041]
简要参考回到如图2中说明的实例，输入电容器c
in 222具备耦合在第一路由路径352与第二路由路径354的第一部分354a之间的电容。类似地，反馈电容器c
fb 224具备耦合在第一路由路径352与第二路由路径354的第二部分354b之间的电容。
[0042]
例如，在开关swb 332被关断的实例中，开关swa 330、swc 334及swd 336被接通，且输入/接地选择开关swg 338经配置以将输入/接地电容器c1 340耦合到第二路由路径354的第一部分354a，输入电容器c
in 222的电容值大体上等于并联耦合电容器的总和c1+c2+c3，且反馈电容器c
fb 224的电容值大体上等于并联耦合电容器的总和c4+c5+c6。因此，在此实例中，在开关swb 332关断，开关swa 330、swc 334及swd 336接通，且输入/接地选择开关swg 338经耦合到图3a中的“h”的情况下，将根据以下等式调整放大器314的增益：
[0043][0044]
图3b说明根据本公开的教导的为包含于图3a中展示的放大器314中的实例电容器开关电路提供不同增益值的各种实例开关设置。具体来说，假设增益关系为：
[0045][0046]
图3b中展示的实例展示可使用swa＝关断、swb/swc/swd＝接通且swg＝h的放大器314提供1x的增益(例如，5/5)。可使用swb＝关断、swa/swc/swd＝接通且swg＝l的放大器314提供2x的增益(例如，6/3)。可使用swc＝关断、swa/swb/swd＝接通且swg＝h的放大器314提供4x的增益(例如，8/2)。可使用swd＝关断、swa/swb/swc＝接通且swg＝l的放大器314提供8x的增益(例如，8/1)。
[0047]
图3c说明根据本公开的教导的使用电容器开关电路提供列增益的放大器314的又一实例示意图。应了解，图3c中说明的放大器314可为图3a中说明的放大器314的实例及/或图2中说明的放大器214的实例及/或包含于图1的读出电路106中的列放大器114的实例，且上文描述的类似命名及编号的元件在下文类似地耦合及运作。
[0048]
具体来说，应注意，图3c中说明的放大器314类似于图3a中说明的放大器314，且图3c中说明的放大器314在示意图中还展示实例寄生电容。具体来说，图3c中描绘的实例展示存在放大器318的ampout 320输出处的寄生电容cp0、耦合到第二路由路径354的电容器c6 350的端部处的寄生电容cp1、耦合到开关swc 334与开关swd 336之间的第二路由路径354的电容器c5 348的端部处的寄生电容cp2、耦合到开关swb 332与开关swc 334之间的第二路由路径354的电容器c4 346的端部处的寄生电容cp3及耦合到开关swa 330与开关swb 332之间的第二路由路径354的电容器c3 344的端部处的寄生电容cp4。
[0049]
如上文描述，取决于增益，多个m-1个开关swa 330、swb 332、swc 334、swd 336中的一者在操作期间始终关断。以这种方式，根据本发明的教导，特别是在较高增益设置下，
耦合到放大器318的ampout 320输出的寄生电容被最小化。例如，如在图3b中总结，针对8x的增益，开关swd 336被关断，这将寄生电容cp2、cp及cp4以及cmos开关swa 330、swb 332及swc 334的寄生电容与放大器318的ampout 320输出断开。根据本发明的教导，特别是在较高增益设置下，这减小耦合到放大器318的ampout 320输出的电容量。
[0050]
另外，还应进一步了解，如上文描述般展示，沿着第二路由路径354串联耦合开关swa 330、swb 332、swc 334、swd 336的另一好处是，需要并行路由的路由路径的数量可从三个减少到两个，这与在位线312、ampout 320及vf 328之间具有三个并行路由路径的其它配置相比，进一步减小耦合到放大器318的ampout 320输出的寄生电容。
[0051]
应注意，传统放大器的带宽随着闭环增益的增加而减小。相比来说，在上文展示及描述的实例中，例如放大器314的带宽可特别在较高的闭环增益设置下增加(例如，2x、4x、8x)，因为通过沿着第二路由路径354关断串联耦合开关swa 330、swb 332、swc 334、swd 336中的一者来减小ampout 320处的电容。因此，根据本发明的教导，在较高闭合增益设置下放大器314的ampout 320处的此减小电容增加图像传感器帧率。
[0052]
此外，还应了解，列放大器的最小电力消耗传统上受到带宽的限制。在如上文描述归因于通过沿着第二路由路径354关断串联耦合开关swa 330、swb 332、swc 334、swd 336中的一者来减小ampout 320处的电容，放大器314的带宽增大的情况下，应进一步了解，根据本发明的教导，在较高闭合增益设置下，使用放大器314的实例，电力消耗也显著减小。
[0053]
图4说明根据本公开的教导的使用电容器开关电路提供列增益的放大器414的又一实例示意图。应了解，图4中说明的放大器414可为图3a及3c中说明的放大器314的实例及/或图2中说明的放大器214的实例及/或包含于图1的读出电路106中的列放大器114的实例，且上文描述的类似命名及编号的元件在下文类似地耦合及运作。
[0054]
具体来说，应注意，图4中说明的放大器414与图2中说明的放大器214具有许多相似之处。例如，图4展示放大器414包含反相共源放大器418，所述反相共源放大器418具有经耦合以接收输入电压vf 428的输入及经耦合以提供输出电压ampout 420的输出。在一个实例中，输出ampout 420经耦合以由包含于成像系统的读出电路中的adc电路接收。图4中描绘的实例说明可调整反馈电容器c
fb 424也耦合在放大器418的输入vf 428与输出ampout 420之间。另外，放大器418的输入vf 428也通过可调整输入电容器c
in 422电容耦合到位线412。
[0055]
在各种实例中，可调整输入电容器c
in 422及可调整反馈电容器c
fb 424使用如上文在图3a到3c中描述的电容器开关电路来实施。例如，关于图4，电容器开关电路包含耦合到放大器418的输入vf 428的第一路由路径452。另外，包含第一部分454a及第二部分454b的第二路由路径454具有耦合到位线412的第一端及耦合到放大器418的ampout 420的第二端。在各种实例中，输入电容器c
in 422使用并联耦合在第二路由路径454的第一部分454a与第一路由路径452之间的多个m个电容器的第一子集来实施。在各种实例中，反馈电容器c
fb 424使用并联耦合在第二路由路径454的第二部分454b与第一路由路径452之间的多个m个电容器的第二子集来实施。
[0056]
在实例中，类似于上文在图3a到3c中描述的实例，第二路由路径454包含沿着第二路由路径454串联耦合的多个m-1个开关。多个m-1个开关沿着第二路由路径454在多个m个电容器当中交错，且多个m-1个开关中的仅一者被关断，而多个m-1个开关中的其余者被接
通，这将第二路由路径454划分或分离为第一部分454a及第二部分454b。在实例中，输入电容器c
in 422经耦合在第一路由路径452与第二路由路径454的第一部分454a之间，而反馈电容器c
fb 424经耦合在第一路由路径452与第二路由路径454的第二部分454b之间。在操作中，取决于多个m-1个开关中的哪一者被关断，调整包含于输入电容器c
in 422及反馈电容器c
fb 424中的电容器的比率，这根据本发明的教导，根据以下等式来调整放大器414的增益：
[0057][0058]
在图4中描绘的实例中，提供共源放大器418的实例晶体管级示意图。如所描绘的实例中展示，放大器414包含共源放大器418，所述共源放大器418包含输入装置462、电流源装置456、nmos共源共栅装置460及pmos共源共栅装置458。
[0059]
如所描绘的实例中展示，输入装置462还可被称为具有耦合到第一路由路径452的栅极及耦合到接地的源极的第一晶体管462。nmos共源共栅装置460还可被称为具有耦合到第一晶体管462的漏极的源极的第二晶体管460。第二晶体管460的栅极经耦合以接收第一共源共栅偏压电压nbcasc。第二晶体管460的漏极经耦合到第二路由路径454。pmos共源共栅装置458还可被称为具有耦合到第二晶体管460的漏极的漏极的第三晶体管458。第三晶体管458的栅极经耦合以接收第二共源共栅偏压电压pbcasc。电流源装置456也可被称为具有耦合到电源电压的源极的第四晶体管456。第四晶体管456的栅极经耦合以接收电流源偏压电压pbcs。第四晶体管456的漏极经耦合到第三晶体管458的源极。
[0060]
本发明的所说明实例的以上描述(包含在摘要中描述的内容)并不旨在详尽或将本发明限于所公开的精确形式。如相关领域的技术人员将认识到的，虽然为了说明的目的在本文中描述本发明的具体实例，但各种修改在本发明的范围内是可能的。
[0061]
鉴于上文详细描述，可对本发明进行这些修改。以下权利要求中使用的术语不应被解释为将本发明限于说明书中所公开的具体实例。而是，本发明的范围将完全由以下权利要求来确定，所述权利要求将根据权利要求解释的既定理论来解释。