1.一种emi屏蔽件，其包括：
2.根据权利要求1所述的emi屏蔽件，其中所述基于金属的导电添加剂是包含镍、铜、银、镍、锌、铝、锡或金的金属纳米材料。
3.根据权利要求2所述的emi屏蔽件，其中所述金属纳米材料包括形成金属芯的第一金属和在所述金属芯周围形成涂层的第二金属。
4.根据权利要求3所述的emi屏蔽件，其中所述第一金属包括铝、镍、铜或铁，并且所述第二金属包括银。
5.根据权利要求2所述的emi屏蔽件，其中所述金属纳米材料包括形态，所述形态包括纳米颗粒、纳米棒、纳米线、纳米花、纳米薄片、纳米纤维、纳米片、纳米带、纳米立方体、双锥体、纳米盘、纳米板、纳米枝晶、纳米叶、纳米球、量子球、量子点、纳米弹簧、纳米片材、多孔纳米片材、纳米网或其任何组合。
6.根据权利要求1所述的emi屏蔽件，其中所述emi屏蔽涂层中所述基于金属的导电添加剂的w/w浓度为约5％至约95％。
7.根据权利要求1所述的emi屏蔽件，其中所述emi屏蔽涂层中所述粘合剂的w/w浓度为约20％至约95％。
8.根据权利要求1所述的emi屏蔽件，其中粘合剂包括醇酸树脂、丙烯酸、乙烯基丙烯酸、醋酸乙烯/乙烯(vae)、聚氨酯、聚乙烯、聚酯、苯乙烯、苯乙烯丙烯酸、三聚氰胺、硅烷、硅氧烷或其任何组合。
9.根据权利要求1所述的emi屏蔽件，其中所述emi屏蔽涂层进一步包括涂层稀释剂。
10.根据权利要求9所述的emi屏蔽件，其中所述涂层稀释剂包括丙酮、4-氯-α,α,α-三氟甲苯、丙酮或其任何组合。
11.根据权利要求9所述的emi屏蔽件，其中所述emi屏蔽涂层中所述涂层稀释剂的w/w浓度为约5％至约90％。
12.根据权利要求1所述的emi屏蔽件，其中所述emi屏蔽涂层进一步包括黏度调节剂。
13.根据权利要求12所述的emi屏蔽件，其中所述黏度调节剂包括丙酮、n-甲基-2-吡咯烷酮(nmp)、乙醇、二甲苯、石油、乙酸正丁酯、庚烷-2-酮、4-异氰酸基磺酰基甲苯、乙酸-2-甲氧基-1-甲基乙酯或其组合。
14.根据权利要求1所述的emi屏蔽件，其进一步包括基于碳的添加剂。
15.根据权利要求14所述的emi屏蔽件，其中所述emi屏蔽涂层中所述基于碳的添加剂的w/w浓度为约0.01％至约5％。
16.根据权利要求14所述的emi屏蔽件，其中所述基于碳的添加剂包括石墨、石墨烯、还原石墨烯、炭黑、卡博特碳、碳纳米管、官能化碳纳米管或其任何组合。
17.一种emi屏蔽涂层，其包括：
18.根据权利要求17所述的emi屏蔽涂层，其中所述emi屏蔽涂层包括清漆涂层和活化剂涂层，其中将所述清漆涂层和所述活化剂涂层混合导致所述emi屏蔽涂层固化。
19.根据权利要求17所述的emi屏蔽涂层，其中所述基于金属的导电添加剂是包含镍、铜、银、镍、锌、铝、锡或金的金属纳米材料。
20.根据权利要求19所述的emi屏蔽涂层，其中所述金属纳米材料包括形成金属芯的第一金属和在所述金属芯周围形成涂层的第二金属。
21.根据权利要求20所述的emi屏蔽涂层，其中所述第一金属包括铝、镍、铜或铁，并且所述第二金属包括银。
22.根据权利要求19所述的emi屏蔽涂层，其中所述金属纳米材料包括形态，所述形态包括纳米颗粒、纳米棒、纳米线、纳米花、纳米薄片、纳米纤维、纳米片、纳米带、纳米立方体、双锥体、纳米盘、纳米板、纳米枝晶、纳米叶、纳米球、量子球、量子点、纳米弹簧、纳米片材、多孔纳米片材、纳米网或其任何组合。
23.根据权利要求17所述的emi屏蔽涂层，其中所述emi屏蔽涂层中所述基于金属的导电添加剂的w/w浓度为约5％至约95％。
24.根据权利要求17所述的emi屏蔽涂层，其中所述emi屏蔽涂层中所述粘合剂的w/w浓度为约20％至约95％。
25.根据权利要求17所述的emi屏蔽涂层，其中粘合剂包括醇酸树脂、丙烯酸、乙烯基丙烯酸、醋酸乙烯/乙烯(vae)、聚氨酯、聚乙烯、聚酯、苯乙烯、苯乙烯丙烯酸、三聚氰胺、硅烷、硅氧烷或其任何组合。
26.根据权利要求17所述的emi屏蔽涂层，其中所述emi屏蔽涂层进一步包括涂层稀释剂。
27.根据权利要求26所述的emi屏蔽涂层，其中所述涂层稀释剂包括丙酮、4-氯-α,α,α-三氟甲苯、丙酮或其任何组合。
28.根据权利要求26所述的emi屏蔽涂层，其中所述emi屏蔽涂层中所述涂层稀释剂的w/w浓度为约5％至约90％。
29.根据权利要求17所述的emi屏蔽涂层，其中所述emi屏蔽涂层进一步包括黏度调节剂。
30.根据权利要求29所述的emi屏蔽涂层，其中所述黏度调节剂包括丙酮、n-甲基-2-吡咯烷酮(nmp)、乙醇、二甲苯、石油、乙酸正丁酯、庚烷-2-酮、4-异氰酸基磺酰基甲苯、乙酸-2-甲氧基-1-甲基乙酯或其组合。
31.根据权利要求17所述的emi屏蔽涂层，其进一步包括基于碳的添加剂。
32.根据权利要求31所述的emi屏蔽涂层，其中所述emi屏蔽涂层中所述基于碳的添加剂的w/w浓度为约0.01％至约5％w/w。
33.根据权利要求31所述的emi屏蔽涂层，其中所述基于碳的添加剂包括石墨、石墨烯、还原石墨烯、炭黑、卡博特碳、碳纳米管、官能化碳纳米管或其任何组合。
34.根据权利要求17所述的emi屏蔽涂层，其中所述emi屏蔽涂层具有小于约150um的厚度。
35.一种形成emi屏蔽件的方法，其包括：
36.根据权利要求35所述的方法，其中将设定厚度的所述涂层沉积在所述基板上。
37.根据权利要求35所述的方法，其中干燥所述基板上的所述涂层包括在约20℃至约120℃的温度下干燥。
38.根据权利要求35所述的方法，其中所述涂层的所述形成包括：
39.根据权利要求38所述的方法，其中所述混合通过声学混合器进行。
40.根据权利要求38所述的方法，其中所述涂层中的所述附聚物的所述分解通过高剪切混合器进行。
41.根据权利要求38所述的方法，其中所述气泡从所述涂层中的所述去除通过真空混合器进行。
42.根据权利要求35所述的方法，其中将所述涂层沉积在基板上包括用涂布机将所述涂层沉积在所述基板上。
43.根据权利要求42所述的方法，其中所述涂布机是狭缝式涂布机。
44.根据权利要求38所述的方法，其中进行所述涂层中的所述附聚物的所述分解和所述气泡从所述涂层中的所述去除中的至少一项，直到所述涂层具有约25cp至约8,000cp的黏度。
45.根据权利要求35所述的方法，其中所述涂层具有约25cp至约8,000cp的黏度。
46.根据权利要求35所述的方法，其进一步包括压延所述emi屏蔽件。
47.根据权利要求46所述的方法，其中压延通过辊对辊压延机进行。