半导体装置及其制造方法与流程

本发明是有关于一种半导体装置及其制造方法，且特别是有关于一种存储器装置及其制造方法。

背景技术：

1、近来，由于对于更优异的存储器装置的需求已逐渐增加，已提供各种三维(3d)存储器装置，例如是具有多层叠层结构的三维与非门(3d nand)存储器装置。此类三维存储器装置可达到更高的存储容量，具有更优异的电特性，例如是具有良好的数据保存可靠性和操作速度。

2、传统的三维与非门存储器装置具有相当复杂的工艺步骤。因此，如何使三维与非门存储器装置的工艺更为简化仍为现今的研究重点。

技术实现思路

1、本发明有关于一种半导体装置及其制造方法。特别是提供工艺更为简化的半导体装置及其制造方法。

2、根据本发明的一实施例，提出一种半导体装置。半导体装置包括一电路板、一底板、多个着陆垫、一堆叠、多个支撑柱以及多个存储器柱。电路板包括多个电路结构及多个导线，电路结构电性连接于对应的导线，且电路板具有一周边区域、一阵列区域及设置于周边区域与阵列区域之间的一阶梯区域。底板设置于电路板之上，且底板包括一底导电层。着陆垫在阶梯区域中内嵌于底导电层的至少一顶部部分中且接触于底导电层。堆叠设置于底板上，堆叠包括沿着一第一方向交替堆叠的多个导电层与多个绝缘层。支撑柱在阶梯区域中沿着第一方向穿过堆叠并延伸至着陆垫。存储器柱在阵列区域中沿着第一方向穿过堆叠。

3、根据本发明的另一实施例，提出一种半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括下述步骤。首先，形成一电路板，电路板包括多个电路结构及多个导线，电路结构电性连接于对应的导线，且电路板具有一周边区域、一阵列区域及设置于周边区域与阵列区域之间的一阶梯区域。其次，形成一底板，底板设置于电路板之上，且底板包括一底导电层。形成多个着陆垫，着陆垫在阶梯区域中内嵌于底导电层的至少一顶部部分中且接触于底导电层。形成一堆叠，堆叠设置于底板上，堆叠包括沿着一第一方向交替堆叠的多个导电层与多个绝缘层。形成多个支撑柱，支撑柱在阶梯区域中沿着第一方向穿过堆叠并延伸至着陆垫。此后，形成多个存储器柱，存储器柱在阵列区域中沿着第一方向穿过堆叠。

4、为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附图式详细说明如下：

技术特征：

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括多个垂直接触件，这些垂直接触件在该周边区域中沿着该第一方向延伸且电性接触于对应的这些导线，其中这些支撑柱与这些垂直接触件包括相同的导电材料。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，各该着陆垫具有一导电部分。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，还包括一绝缘部分，该绝缘部分覆盖该导电部分的侧壁及底部。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括多个放电柱，这些放电柱在该阶梯区域中沿着该第一方向穿过该底导电层且电性接触于对应的这些导线。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，这些着陆垫的一顶面与这些放电柱的一顶面实质上共平面。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，还包括至少一沟道，该至少一沟道沿着该第一方向穿过该堆叠，并沿着一第二方向由该阵列区域延伸至该阶梯区域，该第二方向不同于该第一方向，其中，

8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该底板的形成步骤还包括：

10.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括：

技术总结
本发明提供一种半导体装置，包括电路板、底板、着陆垫、堆叠、支撑柱以及存储器柱。电路板包括电路结构及导线，电路结构电性连接于对应的导线，且电路板具有周边区域、阵列区域及设置于周边区域与阵列区域之间的阶梯区域。底板设置于电路板之上，且底板包括底导电层。着陆垫在阶梯区域中内嵌于底导电层的至少一顶部部分中且接触于底导电层。堆叠设置于底板上，堆叠包括沿着第一方向交替堆叠的多个导电层与多个绝缘层。支撑柱在阶梯区域中沿着第一方向穿过堆叠并延伸至着陆垫。存储器柱在阵列区域中沿着第一方向穿过堆叠。

技术研发人员：郑宸语,韩宗廷
受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15