包括不同类型LED的用于消毒的LED阵列的制作方法

文档序号:36256423发布日期:2023-12-03 18:54阅读:3900来源:国知局
包括不同类型的制作方法

本发明涉及辐射生成系统。本发明还涉及包括光生成系统的消毒设备。然而,本发明涉及用于处理气体或表面的方法。


背景技术:

1、辐射源是本领域已知的。us2006/02619291例如描述了用于选择性地发射多个波长分布中的一个或多个波长分布的辐射的设备,包括:设置在外壳中的初级uv辐射源,其中所述初级uv辐射源产生初级波长分布;设置在所述初级uv辐射源的封壳外部的至少一个波长变换材料,其响应于由所述初级uv辐射源进行的辐照,发射经变换的辐射;在外壳内部设置的选择机构,其中所述选择机构基本上不可拆卸地耦合到外壳;其中所述选择机构相对于所述初级uv辐射源来放置所述至少一种波长变换材料的至少一个选定部分;设置在所述初级uv辐射源附近的反射器单元,其中所述反射器单元将来自所述初级uv辐射源的初级波长分布辐射引导到所述至少一个波长变换材料上;并且其中所述反射器单元还相对于所述初级uv辐射源设置,使得所述至少一个波长变换材料的非选定部分被所述初级uv辐射源的辐照遮挡。所述波长变换滤光器被构造为在所述波长变换滤光器的至少一部分中形成开口,从而允许所述初级波长分布通过该开口发射而不衰减。

2、us2019/022263a1公开了用于对目标表面进行消毒的灯具,灯具包括消毒光源、非消毒光源、光束角度调整器、运动传感器和距离传感器。消毒光的辐射率基于所检测的到目标表面的距离和光束角度来计算并且可以被选择来实现目标表面的预定辐照度。如果运动传感器未检测到运动,则消毒光源被设置为开启并且非消毒光源被设置为关闭。如果检测到运动并且距离传感器未检测到光束拦截,则消毒光源被设置为dim并且非消毒光源被设置为开启。如果检测到运动并检测到光束拦截,则消毒光源被设置为关闭并且非消毒光源被设置为开启。

3、kr20210004549a公开了灭菌单元,灭菌单元能够增加流体的流路径和停留时间,并且更具体地,灭菌单元包括:流道单元,其包括沿第一方向延伸的流道;固定单元,其被设置在流道单元中并且在与流道的延伸方向不同的方向上延伸;以及光源,其被设置在固定单元上并发射紫外线。供应给流道单元的流体在第一方向上流动,固定单元沿着与第一方向垂直的方向延伸并且光源的光轴平行于第一方向。


技术实现思路

1、uv光被用于消毒已有100多年的历史。大约190nm至300nm之间的波长可以被核酸强烈吸收,从而可以导致生物体基因组缺陷。这可能是灭活(杀死)细菌和病毒所必需的,但也可能对人类产生不期望的副作用。因此,在人们可能居住的环境中,诸如办公室、公共交通工具、电影院、餐馆、商店等,辐射波长、辐射强度和辐照持续时间的选择可能被限制,从而限制了消毒能力。特别是在这样的环境中,附加的消毒措施可能有利于防止细菌和病毒(诸如流感或新型(冠状病毒)病毒,例如covid-19、sars和mers)的传播。

2、紫外波长范围被定义为从100nm至380nm的波长范围并且可以被划分为不同类型的uv光/uv波长范围(表1)。不同uv波长的辐射可以具有不同的性质并且因此可能与人类存在具有不同的相容性,并且在用于消毒时可能具有不同的效果(表1)。

3、表1:不同类型uv波长光的性质

4、

5、

6、每个uv类型/波长范围可以具有不同的优点和/或缺点。相关方面可以是(相对)灭菌有效性、安全性(关于辐射)和臭氧产生(由于其辐射)。根据应用,特定类型的uv光或uv光类型的特定组合可以被选择并提供优于其他类型uv光的性能。uv-a可能(相对)安全并且可以灭活(杀死)细菌,但在灭活(杀死)病毒方面可能效果较差。当使用低剂量(即,低暴露时间和/或低强度)时,uv-b可能(相对)安全,可以灭活(杀死)细菌并且在灭活(杀死)病毒方面可能中等有效。uv-b还可以具有附加益处,即,它可以有效地用于在人或动物的皮肤中生产维生素d。近uv-c可能相对不安全,但可以有效地灭活,特别是杀死细菌和病毒。远uv-c也可以有效灭活(杀死)细菌和病毒,但可能(相对于其他uv-c波长范围)(相当)安全。远uv光可能会生成可能对人类和动物有害的一些臭氧。极uv-c也可以有效灭活(杀死)细菌和病毒,但可能相对不安全。极uv-c可以生成臭氧,当暴露于人类或动物时,这可能是不期望的。在某些应用中,可能需要臭氧并且臭氧可以有助于消毒,但随后可能期望将其与人类和动物隔离。因此,在针对臭氧产生的表“+”中特别暗示所产生的臭氧可能对消毒应用有用,但当人类/动物暴露于臭氧时可能对它们有害。因此,在许多应用中,该“+”实际上可能是不期望的,而在其他应用中,它可能是期望的。术语“灭活”和“杀死”针对病毒可以具体指代破坏病毒,使得病毒不能再在宿主细胞中感染和/或繁殖,即,病毒在灭活或杀死之后可以(基本上)无害。

7、因此,在实施例中,光可以包括uv-a范围内的波长。在另外的实施例中,光可以包括uv-b范围内的波长。在另外的实施例中,光可以包括近uv-c范围内的波长。在另外的实施例中,光可以包括远uv-c范围内的波长。在另外的实施例中,光可以包括极uv-c范围内的波长。近uv-c、远uv-c和极uv-c范围在本文中也可以被统称为uv-c范围。因此,在实施例中,光可以包括uv-c范围内的波长。在其它实施例中,光可以包括紫光辐射。

8、似乎期望提供一种提供辐射的系统,该辐射仅在特定选定位置处具有特定选定的波长和/或具有依赖于波长的空间可控功率分布。因此,本发明的一个方面是提供优选地还至少部分地消除上述一个或多个缺点的备选辐射生成系统。本发明可以具有克服或改善现有技术的至少一个缺点的目的,或者提供有用的备选方案。

9、因此,在第一方面,本发明提供了一种辐射生成系统(其也可以被指示为“光生成系统”),辐射生成系统包括一个或多个第一光源(其也可以被指示为“第一辐射源”或“第一辐射的第一源”)和一个或多个第二光源(其也可以被指示为“第二辐射源”或“第二辐射的第二源”)。在实施例中,一个或多个第一光源和一个或多个第二光源中的一个或多个光源具体可以是固态光源。具体地,一个或多个第一光源被配置为在操作模式中生成具有第一质心波长(λc1)的第一光源光(或“第一光源辐射”)。在实施例中,第一质心波长(λc1)可以被限定在最大420nm的波长范围内,诸如最大380nm。具体地,一个或多个第二光源被配置为在操作模式中生成具有第二质心波长(λc2)的第二光源光(“第二光源辐射”)。在实施例中,第二质心波长(λc2)可以被限定在最大420nm的波长范围内,诸如最大380nm。在具体实施例中,第二质心波长(λc2)大于第一质心波长(λc1)。在本发明的实施例中,辐射生成系统可以被配置为提供包括以下中的一项或多项的辐射束:(i)第一光源和(ii)第二光源光。具体地,第一光源光具有第一光束角(α1)并且第二光源光具有第二光束角(α2)。在实施例中,第一光束角(α1)小于第二光束角(α2)。第一光源光可以被提供作为第一光源光的(第一)光束,并且第二光源光可以被提供作为第二光源光的(第二)光束。因此,辐射生成系统可以被配置为提供包括以下中的一项或多项的辐射束:(i)包括第一光源光的第一光束,其具有由半高全宽限定的第一光束角(α1),以及(ii)包括第二光源光的第二光束,其具有由半高全宽限定的第二光束角(α2);其中第一光束和第二光束可以具体地至少部分地重叠。因此,在具体实施例中,本发明提供了辐射生成系统,辐射生成系统包括一个或多个第一光源和一个或多个第二光源,其中:(i)一个或多个第一光源和一个或多个第二光源是固态光源;(ii)一个或多个第一光源被配置为在操作模式中生成具有第一质心波长(λc1)的第一光源光,第一质心波长被限定在最大380nm的波长范围内;(iii)一个或多个第二光源被配置为在操作模式中生成具有第二质心波长(λc2)的第二光源光,第二质心波长被限定在最大420nm的波长范围内;其中第二质心波长(λc2)大于第一质心波长(λc1);(iv)辐射生成系统被配置为提供包括以下中的一项或多项的辐射束:(i)第一光源光和(ii)第二光源光;其中第一光源具有第一光束角(α1),其中第二光源具有第二光束角(α2),并且其中第一光束角(α1)小于第二光束角(α2)。具体地,光束角由半高全宽来限定。因此,在实施例中,辐射生成系统包括一个或多个第一光源和一个或多个第二光源,其中:(a)一个或多个第一光源和一个或多个第二光源是固态光源;(b)一个或多个第一光源被配置为在操作模式中生成具有第一质心波长(λc1)的第一光源,第一质心波长被限定在最大380nm的波长范围内;(c)一个或多个第二光源被配置为在操作模式中生成具有第二质心波长(λc2)的第二光源,第二质心波长被限定在最大420nm的波长范围内;其中第二质心波长(λc2)大于第一质心波长(λc1);并且(d)辐射生成系统被配置为提供包括以下中的一项或多项的辐射束:(i)包括第一光源光的第一光束,其具有由半高全宽限定的第一光源角(α1),以及(ii)包括第二光源光的第二光束,其具有由半高全宽限定的第二光束角(α2);其中第一光束和第二光束至少部分地重叠,并且其中第一光束角(α1)小于第二光束角(α2)。

10、这样的系统仅可以在特定选定的位置处提供特定选定的波长。具体地,辐射束的中心可以包括更有效地灭活细菌和/或病毒的辐射。以此方式,可能对人类有害的辐射可以仅指向特定位置并且可以被危害较小的辐射包围。因此,使用这样的系统可以控制光谱功率的空间分布。例如,更有效和/或更危险的辐射可能比效果较差和/或危险性较小的辐射具有更窄的光束宽度。

11、如上所述,辐射生成系统可以包括一个或多个第一光源和一个或多个第二光源。一个或多个第一光源可以在实施例中是同一类型,或者在其它实施例中可以是两个或两个以上(诸如两个)不同的类型。一个或多个第二光源可以在实施例中是同一类型,也可以在其他实施例中是两个或两个以上(诸如两个或三个或四个,诸如两个或三个)不同的类型。

12、术语“光源”原则上可以涉及本领域已知的任何光源。它可以是常规(钨丝灯)灯泡、低压汞灯、高压汞灯、荧光灯、led(发光二极管)。在具体实施例中,光源包括固态led光源(诸如led或激光二极管(或“二极管激光器”))。术语“光源”还可以涉及多个光源,诸如2-200(固态)led光源。因此,术语led也可以指代多个led。此外,术语“光源”在实施例中也可以指代所谓的板上芯片(cob)光源。术语“cob”具体指代既不被包封也不被连接,而是直接被安装在基板(诸如pcb)上的半导体芯片形式的led芯片。因此,多个光半导体光源可以被配置在同一基板上。在实施例中,cob是被一起配置为单个照明模块的多led芯片。

13、光源具有光逸出表面。参考常规光源,诸如灯泡或荧光灯,其可以是玻璃或石英封壳的外表面。对于led,它可以是例如led管芯,或者当树脂被应用于led管芯时,可以是树脂的外表面。原则上,它也可以是光纤的末端。术语逸出表面具体涉及光源中光实际上从其离开或逸出光源的部分。光源被配置为提供光束。该光束(因此)从光源的光出射表面逸出。

14、术语“光源”可以指代半导体发光器件,诸如发光二极管(led)、谐振腔发光二极管(rcled)、垂直腔激光二极管(vcsel)、边缘发射激光器等。术语“光源”也可以指代有机发光二极管,诸如无源矩阵(pmoled)或有源矩阵(amoled)。在具体实施例中,光源包括固态光源(诸如led或激光二极管)。在一个实施例中,光源包括led(发光二极管)。术语“光源”或“固态光源”也可以指代超发光二极管(sled)。

15、术语led也可以指代多个led。此外,术语“光源”在实施例中也可以指代所谓的板上芯片(cob)光源。术语“cob”具体指代半导体芯片形式的led芯片,其既被不被包封也不被连接,而是直接被安装在诸如pcb的基板上。因此,多个半导体光源可以被配置在同一基板上。在实施例中,cob是被一起配置为单个照明模块的多led芯片。

16、术语“光源”还可以涉及多个(基本相同(或不同))光源,诸如2-2000个固态光源。在实施例中,光源可以包括单个固态光源(诸如led)下游或者多个固态光源的下游(例如,由多个led共享)的一个或多个微光学元件(微透镜阵列)。在实施例中,光源可以包括具有片上光学器件的led。在实施例中,光源包括(具有或不具有光学器件)的像素化的单个led(在实施例中提供片上束控向)。

17、在实施例中,光源可以被配置为提供初级辐射,其被用作诸如例如蓝色光源,例如蓝色led,或者绿色光源,诸如绿色led,以及红色光源,诸如红色led。可以不包括发光材料(“磷光体”)的这样的led可以被指示为直接彩色led。然而,在其它实施例中,光源可以被配置为提供初级辐射并且部分初级辐射被转换为次级辐射。次级辐射可以基于发光材料的转换。次级辐射因此也可以表示为发光材料辐射。发光材料在实施例中可以由光源包括,诸如具有发光材料层的led或包括发光材料的圆顶。这样的led可以被指示为经磷光体转换的led或pc led(经磷光体转换的led)。在其它实施例中,发光材料可以被配置在离光源一定距离(“远距离”)处,诸如具有不与led管芯物理接触的发光材料层的led。因此,在具体实施例中,光源可以是在操作期间发射至少选自380-470nm范围的波长的光的光源。但是,其他波长也可能是可能的。该光可以部分地被发光材料使用。在实施例中,光生成装置可以包括发光材料。在实施例中,光生成装置可以包括pc led。在其它实施例中,光生成装置可以包括直接led(即,无磷光体)。在实施例中,光生成装置可以包括激光装置,例如激光二极管。在实施例中,光生成装置可以包括超发光二极管。

18、术语“激光光源”具体指代激光器。这样的激光器可以具体被配置为生成具有uv、可见光或红外线中的一个或多个波长、特别是具有选自200-2000nm光谱波长范围的波长,诸如300-1500nm的激光光源。术语“激光器”具体指代借助基于电磁辐射的受激发射的光学放大的过程而发射光的装置。具体地,在实施例中,术语“激光器”可以指代固态激光器。在具体实施例中,术语“激光器”或“激光光源”或类似术语指代激光二极管(或二极管激光器)。

19、因此,在实施例中,光源包括激光光源。在实施例中,术语“激光器”或“固态激光器”可以指代以下项中的一项或多项:铈掺杂锂锶(或钙)氟化铝(ce:lisaf、ce:licaf)、掺铬金绿玉(亚历山大变石)激光器、铬znse(cr:znse)激光器、二价钐掺杂氟化钙(sm:caf2)激光器、er:yag激光器、掺铒和铒-镱共掺杂玻璃激光器、f-中心激光器、钬yag(ho:yag)激光器、nd:yag激光器、ndcryag激光器、掺钕钇氧硼酸钙nd:yca4o(bo3)3或nd:ycob、掺钕钇正钒酸盐(nd:yvo4)激光器、钕玻璃(nd:glass)激光器、钕ylf(nd:ylf)固态激光器、钷147掺杂磷酸盐玻璃(147pm3+:玻璃)固态激光器、红宝石激光器(al2o3:cr3+)、铥yag(tm:yag)激光器、钛蓝宝石(钛:蓝宝石;al2o3:ti3+)激光器、三价铀掺杂氟化钙(u:caf2)固态激光器、掺镱玻璃激光器(棒、板/芯片和光纤)、镱yag(yb:yag)激光器、yb2o3(玻璃或陶瓷)激光器等。

20、在实施例中,术语“激光器”或“固态激光器”可以指代半导体激光二极管中的一个或多个半导体激光二极管,诸如gan、ingan、algainp、algaas、ingaasp、铅盐、垂直腔面发射激光器(vcsel)、量子级联激光器、混合硅激光器等。

21、激光器可以与上变频器组合来达到较短的(激光)波长。例如,利用一些(三价)稀土离子,可以获得上变频,或者利用非线性晶体,可以获得上变频。备选地,激光器可以与下变频器(诸如,染料激光器)组合来达到更长的(激光)波长。

22、从下文可以推导出,术语“激光光源”也可以指代多个(不同或相同)激光光源。在具体实施例中,术语“激光光源”可以指代多个n个(相同的)激光光源。在实施例中,n=2或更多。在具体实施例中,n可以是至少5个,诸如具体是至少8个。以此方式,可以获得更高的亮度。在实施例中,激光光源可以被布置在激光库中(另见上文)。激光库在实施例中可以包括散热和/或光学器件,例如,用于准直激光的透镜。

23、激光光源被配置为生成激光光源光(或“激光器光”)。光源光基本上可以由激光光源光组成。光源光还可以包括两个或更多个(不同或相同的)激光光源的激光光源光。例如,两个或更多个(不同或相同)激光光源中的激光光源光可以被耦合到光导,以提供包括两个或更多个(不同或相同)激光光源的激光光源光的单个光束。在具体实施例中,光源光因此具体是经准直的光源光。在又另外的实施例中,光源光具体为(经准直的)激光光源光。

24、短语“不同光源”或“多个不同光源”以及类似短语可以在实施例中指代选自至少两个不同仓的多个固态光源。同样,短语“相同光源”或“多个相同光源”以及类似短语可以在实施例中指代选自同一仓的多个固态光源。

25、光源被具体配置为生成具有光轴(o)、(光束形状)和光谱功率分布的光源光。光源光在实施例中可以包括一个或多个频带,具有激光器已知的频带宽度。在具体实施例中,(多个)频带可以是相对尖锐的(多个)线,诸如在rt处具有小于20纳米范围内、诸如等于或小于10纳米的半高全宽(fwhm)。因此,光源光具有光谱功率分布(作为波长函数的能量尺度上的强度),光谱功率分布可以包括一个或多个(窄)频带。

26、(光源光的)光束可以是(激光)光源光的聚焦或准直的光束。术语“聚焦”可以具体指代收敛到小光斑。该小光斑可以位于分立变频器区域处,或者(略微)在其上游或(略微)在其下游。具体地,聚焦和/或准直可以使得分立变频器区域(在侧面)处的光束的(垂直于光轴的)截面形状基本上不大于分立变频器区域(光源光辐照分立变频器区域)的(垂直于光轴的)截面形状。聚焦可以使用一个或多个光学器件来执行,例如(聚焦)透镜。具体地,两个透镜可以被用来聚焦激光光源光。准直可以使用一个或多个(其他)光学器件来执行,例如准直元件,诸如透镜和/或抛物面反射镜。

27、因此,在具体实施例中,光源可以选自激光二极管和超发光二极管的组。在其它实施例中,光源可以包括led。组合也是可能的。因此,具体地,一个或多个第一光源和一个或多个第二光源是固态光源。

28、具体地,与(多个)第二光源相比,(多个)第一光源可以提供具有在更短波长处的强度的辐射。此外,(多个)第一光源可以提供在等于或低于420nm的一个或多个波长处、甚至更具体地在等于或低于380nm的一个或多个波长处具有强度的辐射。

29、本文中不排除(多个)第一光源还可以提供大于380nm(或甚至大于420nm)的一个或多个波长的辐射。然而,具体地,光源提供等于或低于420nm的一个或多个波长的辐射,诸如在100-420nm的波长范围内,更具体地在等于或低于380nm的一个或多个波长处,诸如在100-380nm的波长范围内。由一个或多个第一光源提供的该第一光源光可以由最大420nm的波长范围内的质心波长来限定,诸如在100-420nm的波长范围内,甚至更具体地在等于或低于380nm的一个或多个波长处,诸如在100-380nm的波长范围内。在本文中,本发明进一步具体关于实施例来进行解释,其中由一个或多个第一光源提供的第一光源光可以由最大380nm的波长范围内的质心波长来限定。

30、因此,在实施例中,一个或多个第一光源被配置为在操作模式中生成具有第一质心波长(λc1)的第一光源光,第一质心波长被限定在最大380nm的波长范围内。

31、术语“质心波长”,也被称为λc,是本领域已知的,并且指代一半光能处于较短波长并且一半能量处于较长波长的波长值;值以纳米(nm)为单位来表示。它是将光谱功率分布的积分划分为两个相等部分的波长,由公式λc=σλ*i(λ)/(σi(λ)来表示,其中总和在感兴趣的波长范围之上进行并且i(λ)是光谱能量密度(即,被归一化到积分强度的波长和强度的乘积在发射带之上的积分)。质心波长可以例如在操作条件下被确定。

32、具体地,与(多个)第二光源相比,(多个)第二光源可以提供具有在较短波长处的强度的辐射。此外,(多个)第二光源可以提供在等于或低于420nm的一个或多个波长处具有强度的辐射。

33、本文不排除(多个)第二光源还可以提供在大于420nm的一个或多个波长处的辐射。然而,具体地,光源提供在等于或低于420nm的一个或多个波长处的辐射,诸如在100-420nm的波长范围内。由一个或多个第二光源提供的该第二光源光可以由在最大420nm的波长范围内、诸如在100-420nm的波长范围内的质心波长来限定。在本文中,本发明进一步具体关于实施例来解释,其中由一个或多个第二光源提供的第二光源光可以由最大420nm的波长范围内的质心波长来限定。

34、具体地,一个或多个第二光源被配置为在操作模式中生成具有第二质心波长(λc2)的第二光源光,第二质心波长被限定在最大420nm的波长范围内。

35、短语“具有在最大420nm的波长范围内限定的第二质心波长(λc1)”可以具体指示辐射利用至少在420nm和更小的波长处、诸如在100-420nm的波长范围内的强度来生成,导致第二质心波长。

36、在实施例中,其中应用多个第二光源,在具体实施例中,多个光源选自同一仓或两个仓或从两个仓。

37、具体地,第二质心波长(λc2)大于第一质心波长(λc1)。因此,(多个)第一光源的质心强度的波长(在≤380nm波长内,例如在100-380nm的波长范围内)小于(多个)第二光源的质心强度的波长(在≤420nm波长内,例如在100-420nm的波长范围内)。具体地,在实施例中,第二质心波长(λc2)-第一质心波长(λc1)≥5nm,诸如第二质心波长(λc2)-第一质心波长(λc1)≥10nm,更具体地,第二质心波长(λc2)-第一质心波长(λc1)≥15nm,例如在实施例中,第二质心波长(λc2)-第一质心波长(λc1)≥20nm。

38、在实施例中,一个或多个第一光源可以被配置为在操作模式中生成具有第一质心波长(λc1)的第一光源光,第一质心波长被限定在最大340nm的波长范围内(诸如选自100-340nm的范围,例如190-340nm),并且一个或多个第二光源可以被配置为在操作模式中生成具有第二质心波长(λc2)的第二光源光,第二质心波长被限定在最大380nm的波长范围内(即,uv光)(诸如选自100-380nm的范围,例如190-380nm),其中第二质心波长(λc2)>第一质心波长(λc1),具体地,其中第二质心波长(λc2)-第一质心波长(λc1)≥5nm,诸如第二质心波长(λc2)-第一质心波长(λc1)≥10nm,更具体地第二质心波长(λc2)-第一质心波长(λc1)≥15nm,例如在实施例中第二质心波长(λc2)-第一质心波长(λc1)≥20nm。在具体实施例中,第二质心波长(λc2)-第一质心波长(λc1)≥30nm,例如第二质心波长(λc2)-第一质心波长(λc1)≥40nm。

39、在实施例中,一个或多个第一光源可以被配置为在操作模式中生成具有第一质心波长(λc1)的第一光源光,第一质心波长被限定在最大315nm的波长范围内(即,uv-c和/或uv-b光)(诸如选自100-315nm的范围,例如190-315nm),并且一个或多个第二光源可以被配置为在操作模式中生成具有第二质心波长(λc2)的第二光源光,第二质心波长被限定在最大365nm的波长范围内(诸如选自100-365nm的范围,例如190-365nm),其中第二质心波长(λc2)>第一质心波长(λc1),具体地,其中第二质心波长(λc2)-第一质心波长(λc1)≥5nm,诸如第二质心波长(λc2)-第一质心波长(λc1)≥10nm,甚至更具体地第二质心波长(λc2)-第一质心波长(λc1)≥15nm,例如在实施例中第二质心波长(λc2)-第一质心波长(λc1)≥20nm。

40、在实施例中,一个或多个第一光源可以被配置为在操作模式中生成具有第一质心波长(λc1)的第一光源光,第一质心波长被限定在最大280nm的波长范围内(即,uv-c光)(诸如选自100-280nm的范围,例如190-280nm),并且一个或多个第二光源可以被配置为在操作模式中生成具有第二质心波长(λc2)的第二光源光,第二质心波长被限定在最长315nm的波长范围内(即,uv-c和/或uv-b光)(诸如选自100-315nm的范围,例如190-315nm),其中第二质心波长(λc2)>第一质心波长(λc1),具体地其中第二质心波长(λc2)-第一质心波长(λc1)≥5nm,诸如第二质心波长(λc2)-第一质心波长(λc1)≥10nm,甚至更具体地第二质心波长(λc2)-第一质心波长(λc1)≥15nm,例如在实施例中第二质心波长(λc2)-第一质心波长(λc1)≥20nm。

41、具体地,第一光源光可以被提供为较窄的光束,其可以被指示为第一光束,并且第二光源光可以被提供为较宽的光束,被指示为第二光束。因此,在实施例中(在(辐射生成系统的)操作模式中),辐射生成系统可以被配置为提供包括以下中的一项或多项的辐射束:(i)第一光源光和(ii)第二光源光;其中第一光源光具有第一光束角(α1),其中第二光源光具有第二光束角(α2),并且其中第一光束角(α1)<第二光束角(α2)。

42、因此,在实施例中,在辐射生成系统的操作模式中,提供辐射束,辐射束包括以下中的一项或多项:(i)包括第一光源光的第一光束,其具有由半高全宽限定的第一光束角(α1),以及(ii)包括第二光源光的第二光束,其具有由半高全宽限定的第二光束角(α2);其中第一光束和第二光束至少部分地重叠,并且其中第一光束角(α1)<第二光束角(α2)。

43、第一光束可以具有第一光轴并且第二光束可以具有第二光轴。具体地,第一光束的光轴和第二光束的光轴可以具有相互角αm,其中0°≤αm<α2-α1。具体地,在实施例中,相互角基本上可以是零度。具体地,第一光源光和第二光源光在基本上相同的方向上被提供。因此,第一光束和第二光束至少部分地重叠。更具体地,第一光束和第二光束中的一者可以与第一光束和第二光束中的另一者基本上重叠。具体地,第一光束可以与(较宽的)第二光束基本上重叠;第二光束可以与(较窄的)第一光束部分地重叠。然而,在实施例中,第一光束和第二光束的光轴可以基本上重合。因此,第一光束和第二光束可以在同一方向上传播并且至少部分地重叠。

44、注意,在实施例中,在操作模式中,第一光源光和第二光源可以同时被提供。然而,备选地或附加地,在其它实施例模式中,第一光源光和第二光源光可以以这样的方式可控的,使得它们可以同时提供或可以不同时提供(另见下文)。

45、在实施例中,第一光源可以提供更有效的辐射并且第二光源可以提供危害较小的辐射。因此,第一质心波长(λc1)可以在实施例中在100-280nm的波长范围内被选择,具体在190-280nm的波长范围内,更具体在190-230nm的波长范围内。附加地或备选地,第二质心波长(λc2)可以在280-420nm的波长范围内被选择。在具体实施例中,第二质心波长(λc2)-第一质心波长(λc1)≥5nm,诸如第二质心波长(λc2)-第一质心波长(λc1)≥10nm,更具体地例如第二质心波长(λc2)-第一质心波长(λc1)≥15nm。在更具体的实施例中,第二质心波长(λc2)-第一质心波长(λc1)≥20nm,诸如第二质心波长(λc2)-第一质心波长(λc1)≥30nm,例如第二质心波长(λc2)-第一质心波长(λc1)≥40nm。

46、第一光束角(α1)可以在实施例中选自最大20°的范围,例如最大15°,诸如最大10°。附加地或备选地,第一光束角(α1)可以在实施例中选自至少1.5°的范围,诸如至少2°,例如至少5°。附加地或备选地,第二光束角(α2)可以在实施例中选自至少5°的范围,诸如至少10°,例如至少15°。附加地或备选地,第二光束角(α2)可以在实施例中选自最大100°的范围,诸如最大90°。更具体地,第二光束角(α2)可以在实施例中选自最大75°的范围,诸如最大60°。然而更具体地,第二光束角(α2)可以在实施例中选自最大50°的范围,诸如最大40°,诸如在特定实施例中最大30°。然而,本文不排除光束角(基于半高全宽)的其它值半高全宽。

47、具体地,然而,在实施例中,第一光源光的fwhm比第二光源光的fwhm更窄。具体地,在实施例中,第二光束角(α2)-第一光束角(α1)≥3°,具体地第二光束角(α2)-第一光束角(α1)≥5°,更具体地,第二光束角(α2)-第一光束角(α1)≥10°。

48、具体地,辐射生成系统可以被配置为在操作模式中提供包括第一光源光和第二光源光两者的辐射束。

49、因此,在具体实施例中,第一质心波长(λc1)在100-280nm的波长范围内被选择,其中第二质心波长(λc2)在280-420nm的波长范围内被选择,并且其中第二质心波长(λc2)-第一质心波长(λc1)≥30nm;其中第一光束角(α1)选自最大15°的范围,其中第二光束角(α2)选自至少10°的范围,其中第二光束角(α2)-第一光束角(α1)≥5°;并且其中辐射生成系统被配置为在操作模式中提供包括第一光源光和第二光源光两者的辐射束。

50、在实施例中,由第一光源光提供的光束可以具有与由第二光源光提供的光束基本上相同的截面形状。例如,两者可以具有基本上圆形的截面。在其它实施例中,两者可以具有另一类型的截面形状,例如椭圆形或卵形。截面可以由半高全宽处的强度来限定。光束也可以具有不同的截面形状。至少沿截面形状中的一个轴,或沿截面形状中的两个正交轴可以应用第二光束角(α2)-第一光束角(α1)≥3°,具体地第二光束角(α2)-第一光束角(α1)≥5°,更具体地第二光束角(α2)-第一光束角(α1)≥10°。在具体实施例中,第二光束角(α2)-第一光束角(α1)≤75°,诸如具体地在实施例中,第二光束角(α2)-第一光束角(α1)≤60°,例如在具体实施例中第二光束角(α2)-第一光束角(α1)≤50°。但是,本文不排除其他值。

51、辐射生成系统可以具有光轴(o)。在实施例中,一个或多个第一光源可以被配置为比一个或多个第二光源更靠近光轴(o)。短语“第一光源可以被配置为更靠近光轴(o)”和类似短语可以具体指示第一光源可以被配置为更靠近光轴或者其伸长。当被配置为更靠近光轴时,下游配置的光学元件(另见下文)在第二光源光被配置为离光轴更远时,可以比第二光源光更好地对第一光源光进行光束成形。

52、因此,附加地或备选地,在实施例中,辐射生成系统可以包括多个第二光源。

53、在具体实施例中,一个或多个第一光源和多个第二光源可以被配置在阵列中。阵列可以具有阵列中心。具体地,一个或多个第一光源可以具有到阵列中心的第一平均距离(da1),并且多个第二光源具有到阵列中心的第二平均距离(da2)。在具体实施例中,第一平均距离(da1)<第二平均距离(da2)。

54、因此,在具体实施例中,辐射生成系统包括多个第二光源,其中一个或多个第一光源和多个第二光源被配置在阵列中,其中阵列具有阵列中心,其中一个或多个第一光源具有到阵列中心的第一平均距离(da1)并且其中多个第二光源具有到阵列中心的第二平均距离(da2),其中第一平均距离(da1)<第二平均距离(da2)。以此方式,更有效的辐射可以具体地位于靠近辐射束的中心。例如,在实施例中第一平均距离(da1)/第二平均距离(da2)≤0.9,诸如在实施例中,第一平均距离(da1)/第二平均距离(da2)≤0.8。例如,在实施例中,0.2≤第一平均距离(da1)/第二平均距离(da2)≤0.75。

55、如上所述,辐射生成系统可以包括第一光源和第二光源。在实施例中,第一光源可以从许多选项中选择。然而,在实施例中,第二光源可以从许多选项中选择。甚至,在实施例中,选项的数目可以部分地超过。因此,在一个实施例中的第一光源可以在其他实施例中用作第二光源和/或在一个实施例中的第二光源可以在其他实施例中用作第一光源。然而,如上所述,具体在实施例中,第一光源和第二光源可以被选择为使得第二质心波长(λc2)>第一质心波长(λc1)。此外,辐射生成系统可以具体被配置为使得第一光束角(α1)<第二光束角(α2)。

56、在具体实施例中,第一质心波长(λc1)可以在230-280nm的波长范围内选择并且第二质心波长(λc2)可以在280-315nm的波长范围内选择;具体地,第二质心波长(λc2)-第一质心波长(λc1)≥15nm(另见上文)。

57、在实施例中,辐射生成系统的一个或多个第一光源和一个或多个第二光源可以包括以下项中的一项或多项,特别是两项或更多项:(a)数目为n11的远uv-c光源,其被配置用于生成具有最大230nm的波长范围内的质心波长(λ11)的远uv-c光。备选地或附加地,在实施例中,辐射生成系统可以包括数目n12的近uv-c光源,其被配置为生成具有230-280nm波长范围内的质心波长(λ12)的近uv-c光。备选地或附加地,在实施例中,辐射生成系统可以包括数目n23的uv-b光源,其被配置为生成具有选自280-315nm波长范围的质心波长(λ23)的uv-b光。备选地或附加地,在实施例中,辐射生成系统可以包括数目n24的uv-a光源,其被配置为生成具有选自315-380nm波长范围的质心波长(λ24)的uv-a光。备选地或附加地,在实施例中,辐射生成系统可以包括数目n25的紫光源,其被配置为生成具有选自380-420nm波长范围的质心波长(λ25)的紫光。具体地,质心波长(λ11)<质心波长(λ12)<质心波长(λ23)<质心波长(λ24)<质心波长(λ25)。例如,在实施例中,质心波长(λ12)–质心波长(λ11)≥5nm,甚至更具体地至少约10nm,诸如甚至更具体地至少约15nm,诸如甚至至少约20nm。例如,在实施例中,质心波长(λ21)-质心波长(λ12)≥5nm,甚至更具体地至少约10nm,诸如甚至更具体地至少约15nm,甚至至少约20nm。例如,在实施例中,质心波长(λ22)-质心波长(λ21)≥5nm,甚至更具体地至少约10nm,甚至更具体地至少约15nm,甚至至少约20nm。例如,在实施例中,质心波长(λ23)-质心波长(λ22)≥5nm,甚至更具体地至少约10nm,诸如甚至更具体地至少约15nm,诸如甚至至少约20nm。如从上述可以推导出的,“光源”也可以被指示为“辐射源”或“辐射的源”。

58、因此,在具体实施例中,辐射生成系统可以包括以下项中的两项或更多项:(a)数目n11的远uv-c光源,其被配置为生成具有在最大230nm的波长范围内的质心波长的远uv-c光,(b)数目n12的近uv-c光源,其被配置为生成具有在230-280nm波长范围内的质心波长的近uv-c光,(c)数目n23的uv-b光源,其被配置为生成具有选自280-315nm的波长范围的质心波长的uv-b光,(d)数目n24的uv-a光源,其被配置为生成具有选自315-380nm波长范围的质心波长的uv-a光,以及(e)数目n25的紫光源,其被配置为生成具有选自380-420nm的波长范围的质心波长的紫光。从上述可以得出,远uv-c光也可以被指示为远uv-c辐射,近uv-c光可以被指示为近uv-c辐射,uv-b光可以被指示为uv-b辐射,uv-a光可以被指示为uv-a辐射,并且紫光可以被指示为紫色辐射。

59、因此,在实施例中,一个或多个第一光源光可以包括一个或多个远uv-c光和近uv-c光。此外,在实施例中,一个或多个第二光源光可以包括uv-b光、uv-a光和紫光中的一者或多者,甚至更具体地包括uv-b光和uv-a光中的一者或多者。

60、因此,在实施例中,一个或多个第一光源可以包括数目n11的远uv-c光源和(n12)近uv-c光源中的一者或多者。此外,在实施例中,一个或多个第二光源可以包括数目n23的uv-b光源、数目n24的uv-a光源和数目n25的紫光源中的一者或多者,特别地,数目n23的uv-b光源和数目n24的uv-a光源中的一者或多者。

61、因此,在实施例中,在辐射生成系统的操作模式中,提供了辐射束,辐射束包括以下项中的一项或多项:(i)远uv-c光束,包括具有由半高全宽限定的远uv-c光束角(α11)的远uv-c光,(ii)近uv-c光束,包括具有由半高全宽限定的近uv-c光束角(α12)的近uv-c光,(iii)uv-b光束,包括具有由半高全宽限定的uv-b光束角(α23)的uv-b光,(iv)uv-a光束,包括具有由半高全宽限定的uv-a光束角(α24)的uv-a光,以及(v)紫光束,包括具有由半高全宽限定的紫光束角(α25)的紫光,其中具体地,两个光束的任意组合至少部分地重叠。

62、每个光束可以具有光轴。在实施例中,两个光束的任意组合可以具有相互角αm,其中0°≤αm<|αx1-αx2|,其中αx1指示其中一个光束的光束角,并且αx2指示另一光束的光束角。

63、具体地,远uv-c光、近uv-c光、uv-b光、uv-a光和紫光在基本上相同的方向上被提供。因此,远uv-c光、近uv-c光、uv-b光、uv-a光和紫光中的两个光束的任何组合可以至少部分地重叠。更具体地,远uv-c光、近uv-c光、uv-b光、uv-a光和紫光中的一个光束可以与远uv-c光、近uv-c光、uv-b光、uv-a光和紫光中的另一光束基本上重叠。然而,在实施例中,远uv-c光、近uv-c光、uv-b光、uv-a光和紫光中的两个或更多个,具体是三个或更多个,甚至更具体地所有光束的光轴可以基本上重合。因此,远uv-c光、近uv-c光、uv-b光、uv-a光和紫光可以在同一方向上传播并且至少部分地重叠。

64、具体地,在实施例中,辐射生成系统包括远uv-c光源和近uv-c光源中的至少一者。在实施例中,辐射生成系统包括远uv-c光源和近uv-c光源两者。具体地,在(其它)实施例中,辐射生成系统包括:(a)远uv-c光源和近uv-c光源中的至少一者,以及(b)uv-b光源、uv-a光源和紫光源中的至少一者。具体地,在(其它)实施例中,辐射生成系统包括:(a)远uv-c光源,以及(b)近uv-c光源、uv-b光源、uv-a光源和紫光源中的任一者。具体地,在(其它)实施例中,辐射生成系统包括:(a)近uv-c光源,以及(b)uv-b光源、uv-a光源和紫光源中的至少一者。

65、在具体实施例中,数目n11+数目n12≥1。备选地或附加地,在具体实施例中,数目n23+数目n24+数目n25≥1。更具体地,在实施例中,数目23+数目n24+数目n25≥2。因此,具体地,在实施例中,数目n11≥0;数目n12≥0;数目n23≥0;数目n24≥0;数目n25≥0;数目n11+n12≥1,其中数目n23+数目n24+数目n25≥1,更具体地,数目n23+数目n24+数目n25≥2。

66、在实施例中,辐射生成系统包括比近uv-c光源少的远uv-c光源,但具体地至少包括两者,并且还可以包括紫光源。因此,在实施例中,数目n11<数目n12并且数目n25≥1。当光源被配置在阵列中时,具体地,紫光源可以被配置为在离阵列中心最远的位置。

67、如上所述,在实施例中,第一光源可以包括一个或两个类型的光源。此外,在实施例中,第二光源可以包括一个、两个或三个不同类型的光源。但是,本文不排除其他类型。因此,在实施例中,辐射生成系统可以包括两个类型的光源,或三个类型的光源,或在特定实施例中包括四个类型的光源,或甚至五个类型的光源。具体地,在实施例中,光束角可以随着质心波长的增加而增加。

68、在实施例中,辐射生成系统可以被配置为提供辐射束,辐射束包括:(i)具有光束角(α12)的近uv-c光,(ii)具有光束角(α23)的uv-b光,以及(iii)具有光束角(α24)的uv-a光和/或具有光束角(α25)的紫光。具体地,在实施例中,光束角(α12)<光束角(α23)<光束角(α24)和/或光束角(α12)<光束角(α23)<光束角(α25)。另外,在具体实施例中,数目(n12)≥1;数目(n23)≥1;数目n24+数目n25≥1。

69、在(备选)实施例中,辐射生成系统可以被配置为提供辐射束,辐射束包括:(i)具有光束角(α12)的近uv-c光,(ii)具有光束角(α11)的远uv-c光,以及(iii)以下项中的一者或多者:具有光束角(α23)的uv-b光、具有光束角(α24)的uv-a光以及具有光束角(α25)的紫光。具体地,在实施例中,光束角(α12)<光束角(α11)<光束角(α23)和/或光束角(α12)<光束角(α11)<光束角(α24)和/或光束角(α12)<光束角(α11)<光束角(α25)。此外,在具体实施例中,数目(n11)≥1;数目(n12)≥1;数目(n24)+数目(n23)+数目(n25)≥1。

70、例如“辐射生成系统可以被配置为提供包括(i)近uv-c光、(ii)uv-b光和(iii)uv-a光和/或紫光的辐射束”或者“辐射生成系统可以被配置为提供包括(i)近uv-c光、(ii)远uv-c光以及(iii)uv-b光、uv-a光和紫光中的一者或多者的辐射束”的短语和类似短语可以具体指示在操作模式中提供了这样的光束,但不排除具有更少或更多部件的其他操作模式。例如,当光源可控时,前一实施例的辐射生成系统还可以在另一操作模式中被配置为提供仅包括近uv-c光的辐射束,或仅包括uv-b光的辐射束,或仅包括这些的组合的辐射束,或仅包括(iii)uv-a光的辐射束,或包括uv-a光和紫光的组合的辐射束等。

71、在实施例中,可以应用以下中的至少一项或多个项:光束角(α11)<光束角(α23)、光束角(α11)<光束角(α24)、光束角(α11)<光束角(α25)、光束角(α12)<光束角(α23)、光束角(α12)<光束角(α24)和光束角(α12)<光束角(α25)。此外,具体地,光束角(α25)大于任何其他光束角。

72、如上所述,由第一类型的光源之一提供的光束可以具有与由第二类型的光源之一提供的光束基本上相同的截面形状。例如,两者可以具有基本上圆形的截面。在其它实施例中,两者可以具有另一类型的截面形状,例如椭圆形或卵形。截面可以由半高全宽处的强度来限定。光束也可以具有不同的截面形状。至少沿截面形状中的一个轴,或沿截面形状中的两个正交轴,可以应用以下中的至少一项或多项:(i)光束角(α23)-光束角(α11)≥3°,特别地光束角(α23)-光束角(α11)≥5°,更具体地光束角(α11)≥10°,(ii)光束角(α24)-光束角(α11)≥3°,特别地光束角(α24)-光束角(α11)≥5°,更特别地光束角(α24)-光束角(α11)≥10°,(iii)光束角(α25)-光束角(α11)≥3°,特别地光束角(α25)-光束角(α11)≥5°,更特别地光束角(α25)-光束角(α11)≥10°,(iv)光束角(α23)-光束角(α12)≥3°,特别地光束角(α23)-光束角(α12)≥5°,更特别地光束角(α23)-光束角(α12)≥10°,(v)光束角(α24)-光束角(α12)≥3°,特别地光束角(α24)-光束角(α12)≥5°,更特别地光束角(α24)-光束角(α12)≥10°,以及(vi)光束角(α25)-光束角(α12)≥3°,特别地光束角(α25)-光束角(α12)≥5°,更特别地光束角(α25)-光束角(α12)≥10°。

73、在实施例中,辐射生成系统可以被配置为在操作模式中提供包括以下中的至少两项的辐射束:(i)远uv-c光、(ii)近uv-c光、(iii)uv-b光、(iv)uv-a光和(v)紫光。

74、在具体实施例中,在(辐射生成系统(或消毒设备;另见下文)的)操作模式中,第一光源光和第二光源光可以具有不同形状的截面,其中第一光源光和第二光源光中的一者可以提供圆形截面光束形状,并且第一光源光和第二光源光中的另一者可以提供非圆形截面光束形状。

75、如上所述,光源可以被配置在阵列中,特别是2d阵列中。这样的阵列可以包括被配置为靠近阵列中心的光源和被配置为靠近阵列边缘的光源。具体地,第一光源可以被配置为更靠近阵列中心,并且第二光源可以被配置为更靠近阵列边缘。当使用例如紫光源作为外部光源时,这可以提供紫色光晕效果。这对于利用其有用性质来标记光束可能很有用。因此,在实施例中,阵列可以包括阵列边缘,其中限定阵列边缘的大多数光源(110、120)可以从紫光源的组中选择。在具体实施例中,质心波长越大,离阵列中心越远。在实施例中,阵列可以包括至少7个光源,诸如至少12个光源。

76、因此,在实施例中,辐射生成系统可以包括以下中的一项或多项:(a)远uv-c光源、(b)近uv-c光源、(c)uv-b光源、(d)uv-a光源和(e)被配置为生成紫光的紫光源,其中限定阵列边缘的大多数光源(110、120)可以从紫光源的组中选择。

77、在其他实施例中,辐射生成系统可以包括以下中的两项或更多项:(a)远uv-c光源、(b)近uv-c光源、(c)uv-b光源和(d)uv-a光源中的两个或更多个,其中限定阵列边缘的大多数光源(110、120)可以选自uv-a光源的组。

78、在实施例中,辐射生成系统还可以包括控制系统。具体地,控制系统可以被配置为控制以下中的一项或多项:系统光的光谱功率分布和系统光的空间功率分布。具体地,控制系统可以被配置为同时控制系统光的光谱功率分布和系统光的空间功率分布。

79、在实施例中,控制系统可以被配置为控制系统光从(第一操作模式中的)第一光谱功率分布和第一空间功率分布到(第二操作模式中的)与所述第一光谱功率分布不同的第二光谱功率分布以及与所述第一空间功率分布不同的第二空间功率分布。例如,在第一操作模式中,第一光源光对系统光的相对贡献可以大于第二光源光对系统光的相对贡献,而在第二操作模式中,第一光源光对系统光的相对贡献可以小于第二光源光对系统光的相对贡献。

80、具体地,在实施例中,每个类型的光源可以单独控制。此外,光源类型可以被划分为这样类型的光源的两个或更多个子集,例如该类型光源的子集更靠近阵列的中心,而该相同类型光源的另一子集被配置为包围前一子集。因此,在具体实施例中,控制系统被配置为单独控制以下中的两项或更多项,诸如三项或更多项:(a)数目n11的远uv-c光源、(b)数目n12的近uv-c光源、(c)数目n23的uv-b光源、(d)数目n24的uv-a光源、以及(e)数目n25的紫光源。

81、注意,所有五个不同类型的光源可以被辐射生成系统包括,但也可以存在较少的类型。例如,参考上述实施例之一,辐射生成系统可以被配置为提供包括以下的辐射束:(i)近uv-c光、(ii)uv-b光和(iii)uv-a光和/或紫光,并且控制系统可以被配置为单独控制(a)数目n12的近uv-c光源、(b)数目n23的uv-b光源、以及(c)数目n24的uv-a光源和/或数目n25的紫光源。有关另外的具体实施例,另见上文。控制光源可以具体指代诸如经由脉宽调制来控制其强度,以及至少控制导通和关断状态。

82、如上所述,在实施例中,控制系统可以被配置为控制系统光从(第一操作模式中的)第一光谱功率分布和第一空间功率分布到(第二操作模式中的)与所述第一光谱功率分布不同的第二光谱功率分布以及与所述第一空间功率分布不同的第二空间功率分布。例如,在第一操作模式中,远uv-c光、近uv-c光、uv-b光、uv-a光、紫光中的一者或多者对系统光的相对贡献可以大于其它远uv-c光、近uv-c光、uv-b光、uv-a光、紫光中的一者或多者,而在第二操作模式中,远uv-c光、近uv-c光、uv-b光、uv-a光、紫光中的一者或多者对系统光的相对贡献可以小于其他远uv-c光、近uv-c光、uv-b光、uv-a光、紫光中的一者或多者。

83、在具体实施例中,控制系统可以被配置为同时控制系统光的光谱功率分布和系统光的空间功率分布;其中控制系统被配置为单独控制以下中的三项或更多项:(a)数目n11的远uv-c光源,(b)数目n12的近uv-c光源,(c)数目n23的uv-b光源,(d)数目n24的uv-a光源,以及(e)数目n25的紫光源。

84、通过单独控制以下中的两项或更多项,特别是三项或更多项:(a)数目n11的远uv-c光源、(b)数目n12的近uv-c光源、(c)数目n23的uv-b光源、(d)数目n24的uv-a光源、以及(e)数目n25的紫光源,可以控制系统光的光谱功率分布和空间功率分布。

85、术语“控制”和类似术语具体至少指代确定行为或监督元件的运行。因此,本文中的“控制”和类似术语可以例如指代对元件施加行为(确定行为或监督元件的运行)等,诸如例如测量、显示、致动、打开、移动、改变温度等。除此之外,术语“控制”和类似术语还可以包括监视。因此,术语“控制”和类似术语可以包括对元件施加行为,以及将行为施加于元件并监视元件。元件的控制可以通过控制系统完成,控制系统也可以被指示为“控制器”。控制系统和元件因此可以至少暂时地或永久地在功能上耦合。元件可以包括控制系统。在实施例中,控制系统和元件可以不物理耦合。控制可以经由有线和/或无线控制来进行。术语“控制系统”也可以指代多个不同的控制系统,这些控制系统具体在功能上耦合,并且其中例如一个控制系统可以是主控制系统,而一个或多个其他控制系统可以是从控制系统。控制系统可以包括或可以在功能上耦合到用户接口。

86、控制系统还可以被配置为从遥控器接收和执行指令。在实施例中,控制系统可以经由设备上的应用程序进行控制,诸如便携式设备,例如智能手机,例如iphone、平板电脑等。设备不一定耦合到照明系统,但可以(暂时)在功能上耦合到照明系统。

87、因此,在实施例中,控制系统可以(也)被配置为由远程设备上的应用程序来控制。在这样的实施例中,照明系统的控制系统可以是从控制系统或从模式的控制。例如,照明系统可以利用代码来标识,特别是针对相应照明系统的唯一代码。照明系统的控制系统可以被配置为由外部控制系统控制,其基于(由具有光学传感器(例如qr码阅读器)的用户接口输入的)的(唯一)代码的知识来访问照明系统。照明系统还可以包括用于诸如基于蓝牙、wifi、lifi、zigbee、ble或wimax或其它无线技术,与其它系统或设备通信的装置。

88、系统、设备或装置可以在“模式”或“操作模式”或“操作的模式”或“可操作模式”中执行动作。同样,在方法中,动作或阶段或步骤可以在“模式”或“操作模式”或“操作的模式”或“可操作模式”中执行。这并不排除系统、设备或装置也可以适于提供另一控制模式或多个其它控制模式。同样,这可能不排除在执行模式之前和/或执行模式之后可以执行一个或多个其他模式。

89、然而,在实施例中可以使用控制系统,控制系统适于至少提供控制模式。如果其他模式可用,则可以经由用户接口来具体执行此类模式的选择,但是其他选项(例如根据传感器信号或(时间)方案执行模式)也是可能的。操作模式在实施例中也可以指代仅在单个操作模式中(即,“导通”,没有另外的可调谐性)操作的系统、设备或装置。

90、因此,在实施例中,控制系统可以根据用户接口的输入信号、(传感器的)传感器信号和定时器中的一者或多者进行控制。术语“定时器”可以指代时钟和/或预定的时间方案。

91、因此,辐射生成系统还可以包括传感器或功能耦合到传感器。术语“传感器”也可以指代多个(不同的)传感器。在实施例中,传感器可以包括选自以下组的一个或多个传感器,包括:运动传感器、存在传感器、距离传感器、离子传感器、气体传感器、挥发性有机化合物传感器、病原体传感器、气流传感器、声音传感器和通信接收器。病原体传感器可以包括针对细菌、病毒和孢子中的一者或多者的传感器。备选地或附加地,传感器可以包括温度传感器。此外,备选地或附加地,传感器可以包括湿度传感器。控制系统可以在功能上耦合到该传感器。

92、控制系统可以被配置为根据传感器的传感器信号,单独控制一个或多个第一光源和一个或多个第二光源。因此,在具体实施例中,控制系统可以被配置为根据传感器的传感器信号,单独控制以下中的一项或多项:(a)数目n11的远uv-c光源、(b)数目n12的近uv-c光源、(c)数目n23的uv-b光源、(d)数目n24的uv-a光源、以及(e)数目n25的紫光源。

93、通过控制光源,可以控制系统光的光谱功率分布和/或控制系统光的空间功率分布。例如,根据所操作的光源,可以控制光束形状(空间功率分布)。

94、具体地,辐射生成系统可以包括光束成形元件,其中光束成形元件在实施例中可以包括准直器、反射器、透镜、透镜阵列中的一者或多者。在实施例中,光束成形元件可以限定辐射生成系统的光轴。具体地,光束成形元件和光源可以被配置为使得与一个或多个第二光源相比,一个或多个第一光源提供具有更准直的光束的第一光源光,即,光束成形元件,一个或多个第一光源和一个或多个第二光源被配置为使得第一光源光的光束比第二光源光的光束更准直。具体地,光束成形元件被配置在第一光源和/或第二光源的下游。具体地,光束成形元件被配置在提供辐射束的所有光源的下游。

95、术语“上游”和“下游”涉及项或特征相对于来自光生成装置(此处具体是光源)的光的传播的布置,其中相对于来自光生成装置的光束内的第一位置,光束中更靠近光生成装置的第二位置是“上游”,而光束内更远离光生成装置的第三位置是“下游”。

96、在实施例中,辐射系统可以包括多个单元,其中每个单元包括(i)一个或多个第一光源,(ii)一个或多个第二光源,以及(iii)被配置在一个或多个第一光源、一个或多个第二光源的下游的光束成形元件,其中每个单元被配置为提供包括以下中的一项或多项的辐射束(或束波):(i)第一光源光和(ii)第二光源光;其中第一光源光具有第一光束角(α1),其中第二光源具有第二光束角(α2),并且其中第一光束角(α1)<第二光束角(α2)。

97、在又一方面,本发明提供消毒设备,消毒设备包括本文所限定的光生成系统。在实施例中,一个或多个第一光源可以包括具体选自led和超发光二极管的组的一个或多个固态光源。在实施例中,备选地或附加地,一个或多个第二光源可以包括具体选自led和超发光二极管的组的一个或多个固态光源。在具体实施例中,一个或多个第一光源和一个或多个第二光源可以包括led和超发光二极管中的一者或多者。

98、在实施例中,消毒可以作为聚光灯提供。例如,光束的最大光束角可以最大约为60°。光束角可以在实施例中选自最大50°的范围,诸如最大40°,诸如在特定实施例中最大30°。注意,辐射束的光束角在实施例中可以由具有最宽光束角的辐射部件来限定。

99、因此,在实施例中,消毒设备(或辐射生成系统)可以具有聚光灯的形状。

100、在又一方面,本发明还提供用于处理在本文所述的辐射生成系统或消毒设备的外部空间中的气体或表面的方法。具体地,方法可以包括利用辐射生成系统或消毒设备来向气体或表面提供辐射。

101、例如,术语“空间”可以涉及接待区域(的一部分),诸如餐厅、酒店、诊所或医院等。术语“空间”也可以涉及办公室、百货公司、仓库、电影院、教堂、剧院、图书馆等(的一部分)。然而,术语“空间”也涉及车辆中的工作空间(的一部分),诸如卡车的车舱、飞机的机舱、船舶的船舱、汽车的车舱、起重机的机舱、例如拖拉机的工程车辆的车舱等。术语“空间”也可以涉及工作空间(的一部分),诸如办公室、(生产)工厂、发电厂(例如核电站、燃气发电厂、燃煤发电厂等)等。例如,术语“空间”也可以涉及控制室、安全室等。具体地,术语“空间”在本文中可以指代室内空间。在其它实施例中,术语“空间”也可以涉及厕所房间或浴室。在又其它实施例中,术语“空间”也可以涉及电梯。在实施例中,术语“空间”也可以指代会议室、学校房间、室内走廊、室内通道、老人院的室内空间、养老院的室内空间等。在实施例中,术语“空间”可以指代室内运动空间,例如健身房、体操馆、室内球类运动空间、芭蕾舞室、游泳池、更衣室等。在实施例中,术语“空间”可以指代(室内)酒吧、(室内)迪斯科舞厅等。

102、如上所述,辐射生成系统的辐射束的光谱功率分布和/或空间功率分布可以根据传感器信号来控制。

103、术语“可见”、“可见光”或“可见光发射”和类似术语是指在约380-780nm范围内具有一个或多个波长的光。本文中,uv可以具体指代选自200-380nm范围的波长。除非从上下文中明确表示术语“光”仅指代可见光,否则术语“光”和“辐射”在本文中可以互换使用。在具体实施例中,具体对于照明应用,术语“光”和“辐射”(至少)指代可见光。术语“紫光”或“紫色发射”具体涉及波长在约380-440nm范围内的光。

104、在又一方面,本发明还提供包括本文所限定的辐射生成系统的灯或灯具。灯具还可以包括外壳、光学元件、百叶窗等。灯或灯具还可以包括包围光生成系统的外壳。灯或灯具可以包括外壳中的光窗或外壳开口,系统光可以通过光窗或外壳开口从外壳逸出。光生成装置可以包括被配置为容纳或支撑光生成系统的一个或多个元件的外壳或载体。

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