技术特征：
1.一种射频功率器件，其特征在于，所述射频功率器件包括第一晶体管、第二晶体管、第一阻抗匹配模块、多条键合线与多条微带线，所述多条键合线与多条微带线组成巴伦结构，所述第一阻抗匹配模块分别与所述第一晶体管、所述第二晶体管连接，所述第一阻抗匹配模块还用于外接第一负载，所述第一晶体管、所述第二晶体管还与所述巴伦结构连接，所述巴伦结构还用于外接第二负载；其中，所述第一晶体管与所述第二晶体管用于传输差分信号；所述巴伦结构用于实现阻抗变换，并将所述差分信号转换为单端信号；所述第一阻抗匹配模块用于将所述射频功率器件的阻抗匹配至目标阻抗。2.如权利要求1所述的射频功率器件，其特征在于，所述巴伦结构包括第一电感、第二电感以及第三电感，所述射频功率器件还包括对地电容，所述第一电感的一端与所述第一晶体管连接，所述第二电感的一端与所述第二晶体管连接，所述第一电感与所述第二电感的另一端均通过所述对地电容接地，所述第三电感的一端接地，另一端用于外接第二负载；其中，所述第一电感、所述第二电感均与所述第三电感耦合。3.如权利要求2所述的射频功率器件，其特征在于，所述巴伦结构的中心点位于所述微带线上，所述对地电容与所述巴伦结构的中心点连接。4.如权利要求1所述的射频功率器件，其特征在于，多条所述微带线平行设置。5.如权利要求1所述的射频功率器件，其特征在于，所述微带线包括第一微带线、第二微带线以及微带线框，所述键合线包括多条第一键合线、多条第二键合线以及多条第三键合线，所述多条第一键合线的一端分别与第一晶体管连接，另一端与所述微带线框的一边连接；所述多条第二键合线的一端分别与第二晶体管连接，另一端与所述微带线框的另一边连接，所述多条第三键合线的两端分别与所述第一微带线、第二微带线连接，所述第一微带线接地，所述第二微带线用于外接第二负载。6.如权利要求5所述的射频功率器件，其特征在于，所述第一微带线设置于所述微带线框内，且所述第一微带线设置于靠近所述第一键合线的一侧，所述第二键合线、所述第三键合线交错设置。7.如权利要求1所述的射频功率器件，其特征在于，所述射频功率器件还包括补偿电容，所述补偿电容的两端分别与所述第一晶体管、所述第二晶体管连接。8.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求1至7任一项所述的射频功率器件。9.如权利要求8所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备还包括第二阻抗匹配模块、第三阻抗匹配模块、第一负载以及第二负载，所述第二阻抗匹配模块分别与所述第一负载、所述第一阻抗匹配模块连接，所述第三阻抗匹配模块分别与所述第二负载、所述射频功率器件连接。10.如权利要求9所述的电子设备，其特征在于，所述第一阻抗匹配模块、所述第二阻抗匹配模块以及所述第三阻抗匹配模块均包括clc电路。
技术总结
本申请提供了一种射频功率器件与电子设备，涉及射频领域。该射频功率器件包括第一晶体管、第二晶体管、第一阻抗匹配模块、多条键合线与多条微带线，多条键合线与多条微带线组成巴伦结构，第一阻抗匹配模块分别与第一晶体管、第二晶体管连接，第一阻抗匹配模块还用于外接第一负载，第一晶体管、第二晶体管还与巴伦结构连接，巴伦结构还用于外接第二负载；其中，第一晶体管与第二晶体管用于传输差分信号；巴伦结构用于实现阻抗变换；第一阻抗匹配模块用于将射频功率器件的阻抗匹配至目标阻抗。本申请提供的射频功率器件与电子设备具有性能好、宽带特性佳的优点。宽带特性佳的优点。宽带特性佳的优点。
技术研发人员：王一楠
受保护的技术使用者：深圳市时代速信科技有限公司
技术研发日：2022.06.30
技术公布日：2022/7/29