半导体存储器装置的制作方法

实施例涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。

背景技术：

1、半导体装置的更高集成可帮助满足对优异性能和廉价价格的消费者需求。在半导体装置的情况下，集成是确定产品价格的重要因素，并且增加的集成可以是可期望的。在二维或平面半导体装置的情况下，它们的集成可主要通过由单位存储器单元占据的面积来确定，并且集成可极大地受精细图案成形技术的水平影响。

技术实现思路

1、实施例可通过提供一种半导体存储器装置来实现，半导体存储器装置包括：堆叠件，包括垂直地堆叠在基底上的层组，层组中的每个包括字线、下沟道层、上沟道层以及电连接到下沟道层和上沟道层的数据存储元件；和位线，在堆叠件的一侧处，位线垂直地延伸，其中，位线包括：连接到层组中的每个的下沟道层和上沟道层的突出部，每个层组的字线在平行于基底的顶表面的第一方向上延伸，并且每个层组中的字线夹在层组的下沟道层与上沟道层之间。

2、实施例可通过提供一种半导体存储器装置来实现，半导体存储器装置包括：堆叠件，包括垂直地堆叠在基底上的层组，层组中的每个包括字线、下沟道层、上沟道层以及电连接到下沟道层和上沟道层的数据存储元件；和位线，在堆叠件的一侧处，位线垂直地延伸，其中，在层组中的每个中，上沟道层和下沟道层彼此垂直地分离，层组中的每个的字线在下沟道层与上沟道层之间水平地延伸，层组中的每个的下沟道层和上沟道层电连接到位线，层组包括：顺序地堆叠的第一层组和第二层组，并且第一层组的下沟道层与第一层组的上沟道层之间的第一垂直距离不同于第一层组的上沟道层与第二层组的下沟道层之间的第二垂直距离。

3、实施例可通过提供一种半导体存储器装置来实现，半导体存储器装置包括：堆叠件，包括垂直地堆叠在基底上的层组，层组中的每个包括存储器单元晶体管和电连接到存储器单元晶体管的数据存储元件；和位线，在堆叠件的一侧处，位线垂直地延伸，其中，位线将层组的堆叠的存储器单元晶体管彼此电连接，层组中的每个的存储器单元晶体管包括：下沟道层，在位线与数据存储元件之间；上沟道层，在位线与数据存储元件之间，上沟道层与下沟道层垂直地分离；字线，位于下沟道层与上沟道层之间，层组中的每个的字线包括：栅极部，夹在下沟道层与上沟道层之间并且与下沟道层和上沟道层叠置的；和连接部，连接彼此相邻的栅极部，并且如在相同方向上测量，栅极部的宽度大于连接部的宽度。

技术特征：

1.一种半导体存储器装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中：

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中：

4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中：

5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体存储器装置，其中，层组中的每个的下沟道层和上沟道层各自包括：非晶氧化物半导体材料或二维半导体材料。

6.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体存储器装置，其中，位线还包括：在位线的最高水平处的垫，焊盘连接到位线接触件。

7.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体存储器装置，其中，层组中的每个的数据存储元件包括：

8.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体存储器装置，其中：

9.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，其中，在相同的垂直方向上，每个焊盘部的厚度大于每条字线的其它部分的厚度。

10.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体存储器装置，还包括：

11.一种半导体存储器装置，包括：

12.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，位线包括：

13.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中：

14.根据权利要求11至13中的任意一项所述的半导体存储器装置，其中，层组中的每个的数据存储元件包括：

15.根据权利要求11至13中的任意一项所述的半导体存储器装置，其中：

16.一种半导体存储器装置，包括：

17.根据权利要求16所述的半导体存储器装置，其中，层组中的每个的下沟道层和上沟道层包括：非晶氧化物半导体材料或二维半导体材料。

18.根据权利要求16所述的半导体存储器装置，其中，位线包括：突出部，共同连接到层组中的每个的下沟道层和上沟道层。

19.根据权利要求16所述的半导体存储器装置，其中：

20.根据权利要求16所述的半导体存储器装置，其中，层组中的每个的数据存储元件包括：

技术总结
提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：堆叠件，包括垂直地堆叠在基底上的层组，层组中的每个包括字线、下沟道层、上沟道层以及电连接到下沟道层和上沟道层的数据存储元件；和位线，在堆叠件的一侧处，位线垂直地延伸，其中，位线包括：连接到层组中的每个的下沟道层和上沟道层的突出部，每个层组的字线在平行于基底的顶表面的第一方向上延伸，并且每个层组的字线夹在层组的下沟道层与上沟道层之间。

技术研发人员：李基硕,金根楠
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12