一种光电器件及其制备方法、显示装置与流程

本技术涉及显示，尤其涉及一种光电器件及其制备方法、显示装置。

背景技术：

1、目前广泛使用的光电器件为有机电致发光器件(oled)和量子点电致发光器件(qled)。传统的oled和qled器件结构主要包括阳极、空穴功能层、发光层、电子功能层及阴极。在电场的作用下，光电器件的阳极产生的空穴和阴极产生的电子发生移动，分别向空穴传输层和电子传输层注入，最终迁移到发光层，当二者在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。

2、然而，目前qled等光电器件的发光效率与寿命等性能不佳，制约着光电器件在显示技术领域的广泛应用。

技术实现思路

1、有鉴于此，本技术提供一种光电器件及其制备方法、显示装置，旨在一定程度上改善现有的光电器件器件性能不佳的问题。

2、本技术实施例是这样实现的，提供一种光电器件，所述光电器件包括：依次层叠设置的阳极、第一空穴功能层、发光层及阴极；其中，所述第一空穴功能层包括第一空穴功能材料以及导电骨架材料，至少部分所述第一空穴功能材料填充在所述导电骨架材料形成的间隙中。

3、可选的，在本技术的一些实施例中，述第一空穴功能层由所述第一空穴功能材料以及所述导电骨架材料组成。

4、可选的，在本技术的一些实施例中，所述导电骨架材料包括石墨烯，所述石墨烯选自氧化石墨烯和还原氧化石墨烯中的至少一种，其中，所述还原氧化石墨烯中含氧官能团被还原比例≥40％；和/或所述导电骨架材料为片状，片径为30～150nm。

5、可选的，在本技术的一些实施例中，所述石墨烯中包括掺杂元素，所述掺杂元素选自氮、硫、磷中的至少一种。

6、可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一空穴功能层中还包括碳量子点。

7、可选的，在本技术的一些实施例中，所述碳量子点的平均粒径范围为1～10nm；和/或所述碳量子点的表面连接有配体，所述配体选自-cooh、-oh、-nh2、-sh中的至少一种；和/或所述碳量子点与所述导电骨架材料的质量比为(0.025-0.5)：1。

8、可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一空穴功能层中至少部分所述导电骨架材料与所述阳极接触连接；和/或所述第一空穴功能材料覆盖所述导电骨架材料靠近所述发光层一侧的表面；和/或所述导电骨架材料在沿所述阳极向所述发光层方向上的最大尺寸小于等于所述第一空穴功能层的厚度。

9、可选的，在本技术的一些实施例中，还包括：第二空穴功能层，所述第二空穴功能层设置在所述第一空穴功能层和所述发光层之间；其中，所述第二空穴功能层覆盖所述第一空穴功能层；和/或，所述导电骨架材料延伸至所述第二空穴功能层中；和/或，所述导电骨架材料在沿所述阳极向所述发光层方向上的最大尺寸大于等于所述第一空穴功能层的厚度且小于等于所述第一空穴功能层与所述第二空穴功能层的总厚度。

10、可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一空穴功能材料选自聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚苯乙烯磺酸、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰醌-二甲烷、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、酞菁铜、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的一种或多种；其中，所述过渡金属氧化物包括nio、moo2、wo3、cuo中的一种或多种；所述金属硫系化合物包括mos2、mose2、ws3、wse3、cus中的一种或多种；和/或所述第二空穴功能层包括第二空穴功能材料，所述第二空穴功能材料选自聚(9,9-二辛基芴-co-n-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(n,n’-双(4-丁基苯基)-n,n’-双(苯基)联苯胺)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-n,n-苯基-1,4-苯二胺)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4’-二(9-咔唑)联苯、n,n’-二苯基-n,n’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、n,n’-二苯基-n,n’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)、spiro-npb、spiro-tpd、掺杂或非掺杂的nio、moo3、wo3、v2o5、p型氮化镓、cro3、cuo、mos2、mose2、ws3、wse3、cus、cuscn中的一种或多种；和/或所述阳极选自碳电极、掺杂或非掺杂金属氧化物电极以及复合电极；其中，所述碳电极的材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的至少一种；所述掺杂或非掺杂金属氧化物电极的材料选自ito、fto、ato、azo、gzo、izo、mzo以及amo中的至少一种；所述复合电极的材料选自azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、tio2/ag/tio2、tio2/al/tio2、zns/ag/zns以及zns/al/zns中的至少一种；和/或所述阴极选自金属电极；其中，所述金属电极的材料选自al、ag、cu、mo、au、ba、ca以及mg中的至少一种；和/或所述发光层的材料为有机发光材料或量子点发光材料，所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、发蓝色光的tbpe荧光材料、发绿色光的ttpa荧光材料、发橙色光的tbrb荧光材料及发红色光的dbp荧光材料中的至少一种，所述量子点发光材料选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自ii-vi族化合物、iii-v族化合物、iv-vi族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种，所述ii-vi族化合物选自cdse、cds、cdte、znse、zns、cdte、znte、cdzns、cdznse、cdznte、znses、znsete、zntes、znseste、cdses、cdsete、cdtes、cdznses、cdznsete、cdseste、cdznseste及cdznste中的至少一种，所述iii-v族化合物选自inp、inas、gap、gaas、gasb、aln、alp、inasp、innp、innsb、gaalnp及inalnp中的至少一种，所述iv-vi族化合物选自pbs、pbse、pbte、pbses、pbsete、pbste中的至少一种，所述i-iii-vi族化合物选自cuins2、cuinse2及agins2中的至少一种，所述核壳结构的量子点的核选自所述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自cds、cdte、cdsete、cdznse、cdzns、cdses、znse、znses和zns中的至少一种。

11、相应的，本技术实施例还提供一种光电器件的制备方法，所述制备方法包括：在阳极上设置导电骨架材料，形成具有间隙的导电骨架层；在所述导电骨架层上设置第一空穴功能材料，使至少部分所述第一空穴功能材料填充在所述导电骨架层中的所述间隙，以形成包括所述导电骨架层和所述第一空穴功能材料的第一空穴功能层；在所述第一空穴功能层上依次形成层叠的发光层及阴极；或者所述制备方法包括如下步骤：提供依次层叠的阴极及发光层；在所述发光层上设置导电骨架材料，形成具有间隙的导电骨架层；在所述导电骨架层上设置第一空穴功能材料，使至少部分所述第一空穴功能材料填充在所述导电骨架层的所述间隙，以形成包括所述导电骨架层和所述第一空穴功能材料的第一空穴功能层；在所述第一空穴功能层上形成阳极。

12、可选的，在本技术的一些实施例中，所述导电骨架层通过以下步骤形成：将所述导电骨架材料分散在溶剂中，得到导电骨架材料分散液，通过溶液法在所述阳极或发光层上形成前驱膜层，对前驱膜层干燥处理，得到所述导电骨架层。

13、可选的，在本技术的一些实施例中，所述导电骨架材料分散液中所述导电骨架材料的浓度为1～20mg/ml；和/或所述溶剂选自n-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、四氢呋喃、乙二醇、去离子水、氯仿、氯苯、氯萘、二氯代苯、二氯代苯中的一种或多种；和/或所述导电骨架材料分散液中还包括碳量子点，所述碳量子点在所述导电骨架材料分散液中的浓度为0.5～5mg/ml；和/或所述干燥处理为负压干燥或冷冻干燥，所述负压干燥的压力为10pa～0.01pa，所述冷冻干燥的压力为10～0.001pa，温度为-150～-10℃。

14、可选的，在本技术的一些实施例中，所述干燥之后还包括：退火处理，所述退火处理的温度为150～200℃，时间为5～20min。

15、可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一空穴功能层和所述发光层之间还形成有第二空穴功能层；和/或在所述发光层上设置导电骨架材料，形成导电骨架之前，还包括：在所述发光层上形成界面修饰层。

16、相应的，本技术实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括：如上述的光电器件，或者如上述的光电器件的制备方法制备得到的光电器件。

17、本技术的光电器件包括依次层叠设置的阳极、第一空穴功能层、发光层及阴极；其中，所述第一空穴功能层包括第一空穴功能材料以及导电骨架材料，至少部分所述第一空穴功能材料填充在所述导电骨架材料形成的间隙中。所述第一空穴功能材料填充在所述导电骨架材料形成的间隙中，使所述导电骨架材料与空穴功能材料具有较大的接触面积，提供电荷传输通道，且缩短阳极与空穴功能层的电荷传输路径，提高空穴功能层的空穴传输的能力，降低光电器件的电阻，提高光电器件的载流子平衡性，提高光电器件的性能。