半导体存储装置的制作方法

以下记载的实施方式涉及半导体存储装置。

背景技术：

1、已知有具备基板、在与该基板的表面交叉的方向上层叠的多个栅电极、与这多个栅电极相对的半导体层及设置于栅电极与半导体层之间的栅极绝缘层的半导体存储装置。栅极绝缘层例如具备氮化硅(si3n4)等绝缘性的电荷蓄积部、浮动栅极(floating gate)等导电性的电荷蓄积部等能够存储数据的存储部。

技术实现思路

1、本发明所要解决的课题在于提供能够实现可靠性的提高的半导体存储装置。

2、一个实施方式的半导体存储装置具备：半导体层，在第1方向上延伸；导电层，在与所述第1方向交叉的第2方向上与所述半导体层相对；电荷蓄积层，设置于所述半导体层与所述导电层之间；第1绝缘层，设置于所述半导体层与所述电荷蓄积层之间；及第2绝缘层，设置于所述导电层与所述电荷蓄积层之间，所述半导体层具有在所述第2方向上朝向所述电荷蓄积层突出的至少一个突部，所述突部的所述第1方向的位置比所述电荷蓄积层的与所述半导体层相对的面的所述第1方向的两端的角部靠内侧。

技术特征：

1.一种半导体存储装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体存储装置，

6.一种半导体存储装置，具备：

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，

8.一种半导体存储装置，具备：

9.根据权利要求6～8中任一项所述的半导体存储装置，

技术总结
实施方式提供能够实现可靠性的提高的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：半导体层，在第1方向上延伸；导电层，在与第1方向交叉的第2方向上与半导体层相对；电荷蓄积层，设置于半导体层与导电层之间；第1绝缘层，设置于半导体层与电荷蓄积层之间；及第2绝缘层，设置于导电层与电荷蓄积层之间。半导体层具有在第2方向上朝向电荷蓄积层突出的至少一个突部。突部的第1方向的位置比电荷蓄积层的与半导体层相对的面的第1方向的两端的角部靠内侧。

技术研发人员：越田树,石川贵之,间部谦三,桑原大辅
受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15