一种显示面板及显示装置的制作方法

本发明涉及显示，尤其涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术：

1、有机发光二极管(oled)因其在显示和照明领域的巨大应用市场而被广泛关注。与其他显示技术相比，oled显示面板具有很多优势，例如，视角宽、响应速度快、驱动电压低、可实现柔性显示等优点。

2、oled显示面板虽然已经步入产业化的阶段，但是oled存在一些问题，例如发光器件的寿命较短、效率较低、电压较高，导致发光器件的性能不高，影响发光器件的发光效果，进而影响显示效果。

技术实现思路

1、本发明实施例提供了一种显示面板及显示装置，用以提高显示面板的发光效率和寿命。

2、本发明实施例提供了一种显示面板，包括层叠设置的阳极、发光结构和阴极；所述发光结构包括层叠设置的至少两个发光单元，相邻两个所述发光单元之间设置有连接结构；

3、所述连接结构包括依次层叠设置的n型电荷产生层和p型电荷产生层，所述n型电荷产生层靠近所述阳极设置，所述p型电荷产生层靠近所述阴极设置；其中，

4、所述n型电荷产生层的材料包括络合物，所述络合物包括掺杂金属和含氮原子的杂环化合物。

5、可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述掺杂金属包括碱金属、镧系金属、liq中的至少一种。

6、可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述发光单元包括层叠设置的第一空穴传输层、第二空穴传输层、发光层、空穴阻挡层和电子传输层，所述第一空穴传输层靠近所述阳极，所述电子传输层靠近所述阴极；所述第一空穴传输层的材料和所述第二空穴传输层的材料不同；其中，

7、所述电子传输层的迁移率大于或等于所述n型电荷产生层的迁移率，且所述n型电荷产生层的迁移率大于所述空穴阻挡层的迁移率。

8、可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述n型电荷产生层的偶极矩大于或等于所述电子传输层的偶极矩，且所述电子传输层的偶极矩大于所述空穴阻挡层的偶极矩。

9、可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述n型电荷产生层的玻璃态转变温度大于120℃。

10、可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述杂环化合物中的杂原子包括氮原子，所述氮原子的数量大于或等于4。

11、可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述杂环化合物的结构片段包括至少其中之一；

12、其中，x为cr8、nr8、o或s，r1-r8、ar1-ar3为h、d、取代或未取代的c1至c18烷基、取代或未取代的c6至c60芳基、取代或未取代的c3至c60杂芳基。

13、可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述杂环化合物的结构包括至少其中之一。

14、可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，还包括：位于所述阴极背离所述阳极一侧的第一光取出层，以及位于所述第一光取出层背离所述阳极一侧的第二光取出层；所述第一光取出层的折射率大于所述第二光取出层的折射率。

15、可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，在波长为520nm的光照射下，所述第一光取出层的折射率与所述第二光取出层的折射率之差大于0.4，且所述第二光取出层的折射率小于1.7。

16、可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述第一光取出层的材料和所述第二光取出层的材料不包括f原子。

17、可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述第二光取出层的材料结构包括

18、其中，x为o、s、cr5、nr6；

19、其中，r5、r6为h、d、取代或未取代的c1至c18烷基、取代或未取代的c6至c60芳基、取代或未取代的c3至c60杂芳基；

20、其中，l1、l2为取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯、取代或未取代的三联苯、取代或未取代的芴、取代或未取代的金刚烷、取代或未取代的杂芳基；

21、其中，r1-r4为取代或未取代的c1至c18烷基、取代或未取代的c6至c60芳基、取代或未取代的c3至c60杂芳基，且当r1-r4、l1、l2为芳基或杂芳基取代时，其中至少一个芳基或杂芳基具有取代或未取代的c1至c18烷基或si原子取代基。

22、可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述第二光取出层的材料结构包括至少其中之一。

23、可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述发光单元包括层叠设置的第一发光单元和第二发光单元，所述第一发光单元靠近所述阳极；

24、所述显示面板还包括：位于所述阳极和所述第一发光单元之间的空穴注入层，以及位于所述第二光取出层背离所述阳极一侧的封装层。

25、可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述发光层包括不同发光波长的多个子发光层，各所述子发光层在所述阳极上的正投影互不交叠，且所述子发光层的厚度与所述子发光层的发光波长呈正相关趋势。

26、可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述第二空穴传输层包括与各所述子发光层一一对应且独立设置的多个第二子空穴传输层，各所述第二子空穴传输层的材料互不相同，且所述第二子空穴传输层的厚度与所述子发光层的发光波长呈正相关趋势。

27、可选地，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述发光层包括红色子发光层、绿色子发光层和蓝色子发光层，所述红色子发光层和所述绿色子发光层为磷光发光，所述蓝色子发光层为荧光发光。

28、相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述任一项所述的显示面板。

29、本发明实施例的有益效果如下：

30、本发明实施例提供的一种显示面板及显示装置，该显示面板通过采用叠层器件结构，可以提高发光效率；并且，n型电荷产生层的材料包括络合物，络合物包括掺杂金属和含氮原子的杂环化合物，一方面，n型电荷产生层掺杂金属后会使n型电荷产生层的lumo能级降低，更有利于电子的注入，另一方面，杂环化合物上的杂原子可与掺杂金属形成稳定的络合物，能一定程度上增加器件稳定性，并提升器件的寿命。

技术特征：

1.一种显示面板，其特征在于，包括层叠设置的阳极、发光结构和阴极；所述发光结构包括层叠设置的至少两个发光单元，相邻两个所述发光单元之间设置有连接结构；

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述掺杂金属包括碱金属、镧系金属、liq中的至少一种。

3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光单元包括层叠设置的第一空穴传输层、第二空穴传输层、发光层、空穴阻挡层和电子传输层，所述第一空穴传输层靠近所述阳极，所述电子传输层靠近所述阴极；所述第一空穴传输层的材料和所述第二空穴传输层的材料不同；其中，

4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述n型电荷产生层的偶极矩大于或等于所述电子传输层的偶极矩，且所述电子传输层的偶极矩大于所述空穴阻挡层的偶极矩。

5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述n型电荷产生层的玻璃态转变温度大于120℃。

6.如权利要求1-5任一项所述的显示面板，其特征在于，所述杂环化合物中的杂原子包括氮原子，所述氮原子的数量大于或等于4。

7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述杂环化合物的结构片段包括至少其中之一；

8.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述杂环化合物的结构包括至少其中之一。

9.如权利要求1-5、7和8任一项所述的显示面板，其特征在于，还包括：位于所述阴极背离所述阳极一侧的第一光取出层，以及位于所述第一光取出层背离所述阳极一侧的第二光取出层；所述第一光取出层的折射率大于所述第二光取出层的折射率。

10.如权利要求9所述的显示面板，其特征在于，在波长为520nm的光照射下，所述第一光取出层的折射率与所述第二光取出层的折射率之差大于0.4，且所述第二光取出层的折射率小于1.7。

11.如权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述第一光取出层的材料和所述第二光取出层的材料不包括f原子。

12.如权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述第二光取出层的材料结构包括

13.如权利要求12所述的显示面板，其特征在于，所述第二光取出层的材料结构包括

14.如权利要求1-5、7、8、10-13任一项所述的显示面板，其特征在于，所述发光单元包括层叠设置的第一发光单元和第二发光单元，所述第一发光单元靠近所述阳极；

15.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述发光层包括不同发光波长的多个子发光层，各所述子发光层在所述阳极上的正投影互不交叠，且所述子发光层的厚度与所述子发光层的发光波长呈正相关趋势。

16.如权利要求15所述的显示面板，其特征在于，所述第二空穴传输层包括与各所述子发光层一一对应且独立设置的多个第二子空穴传输层，各所述第二子空穴传输层的材料互不相同，且所述第二子空穴传输层的厚度与所述子发光层的发光波长呈正相关趋势。

17.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述发光层包括红色子发光层、绿色子发光层和蓝色子发光层，所述红色子发光层和所述绿色子发光层为磷光发光，所述蓝色子发光层为荧光发光。

18.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-17任一项所述的显示面板。

技术总结
本发明公开了一种显示面板及显示装置，该显示面板通过采用叠层器件结构，可以提高发光效率；并且，N型电荷产生层的材料包括络合物，络合物包括掺杂金属和含氮原子的杂环化合物，一方面，N型电荷产生层掺杂金属后会使N型电荷产生层的LUMO能级降低，更有利于电子的注入，另一方面，杂环化合物上的杂原子可与掺杂金属形成稳定的络合物，能一定程度上增加器件稳定性，并提升器件的寿命。

技术研发人员：张东旭,高荣荣,陈磊,梁丙炎,陈雪芹
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/24