1.一种铁电存储器，其特征在于，包括阵列区和走线区，所述铁电存储器包括设置于所述阵列区的存储阵列，及设置于所述走线区的电容器；
2.根据权利要求1所述的铁电存储器，其特征在于，每个所述导电层包括至少一个第一导电部和至少一个第二导电部，相连的所述第一导电部与所述第二导电部处于同一导电层。
3.根据权利要求2所述的铁电存储器，其特征在于，每个所述导电层包括一个第一导电部和一个第二导电部，所述第一导电部与所述第二导电部相连；
4.根据权利要求3所述的铁电存储器，其特征在于，所述电容器还包括第一互联电极和第二互联电极，所述第一互联电极和所述第二互联电极为面状结构；
5.根据权利要求3或4所述的铁电存储器，其特征在于，多个所述第一导电柱呈阵列式排布，和/或，多个所述第二导电柱呈阵列式排布。
6.根据权利要求3所述的铁电存储器，其特征在于，所述电容器还包括第一互联电极和第二互联电极，所述第一互联电极和所述第二互联电极为梳状结构；
7.根据权利要求2所述的铁电存储器，其特征在于，每个所述导电层包括多个第一导电部和多个第二导电部，所述多个第一导电部与所述多个第二导电部相连；
8.根据权利要求7所述的铁电存储器，其特征在于，所述电容器还包括第一互联电极和第二互联电极，所述第一互联电极和所述第二互联电极为梳状结构；
9.根据权利要求8所述的铁电存储器，其特征在于，所述多条第一互联线与所述多条第二互联线沿所述第一方向交替排列；或，
10.根据权利要求6、8、9中任一项所述的铁电存储器，其特征在于，所述多个第一导电柱包括多排，一条第一互联线与一排第一导电柱电连接；和/或，
11.根据权利要求2～10中任一项所述的铁电存储器，其特征在于，处于同一导电层的所述第一导电部和所述第二导电部一体设置。
12.根据权利要求2所述的铁电存储器，其特征在于，每个所述导电层包括多个分隔设置的导电块，一个所述导电块包括相连的一个第一导电部和一个第二导电部；
13.根据权利要求12所述的铁电存储器，其特征在于，所述电容器还包括第二介质层，所述第二介质层贯穿所述第一堆叠层，且隔开相邻两个导电块。
14.根据权利要求12或13所述的铁电存储器，其特征在于，每个所述导电层包括依次设置的第1个导电块～第n个导电块，n≥2，且n为正整数；
15.根据权利要求1所述的铁电存储器，其特征在于，所述多个导电层包括多个第一导电部和多个第二导电部，所述多个第二导电部位于所述多个第一导电部的远离所述第一堆叠层的底面的一侧；
16.根据权利要求15所述的铁电存储器，其特征在于，所述电容器还包括第一互联电极和第二互联电极；
17.根据权利要求1～16中任一项所述的铁电存储器，其特征在于，所述导电层、所述第一导电柱和所述第二导电柱的材料包括ti、au、w、mo、al、cu、ru、ag、tin、ito中的至少一种。
18.根据权利要求1～17中任一项所述的铁电存储器，其特征在于，所述第一铁电层和/或所述第二铁电层的材料包括zro2、hfo2、hfalo、hfsio、hfzro、hflao、hfyo中的至少一种。
19.根据权利要求1～18中任一项所述的铁电存储器，其特征在于，所述第一介质层为单层结构或叠层结构；
20.根据权利要求1～19中任一项所述的铁电存储器，其特征在于，所述存储阵列包括第二堆叠层，所述第二堆叠层包括阵列式排布的多个存储单元；
21.一种铁电存储器的制备方法，其特征在于，包括：
22.根据权利要求21所述的制备方法，其特征在于，所述形成第一导电柱和第二导电柱之后，还包括：
23.根据权利要求21所述的制备方法，其特征在于，所述形成第一堆叠层之后，还包括：
24.根据权利要求23所述的制备方法，其特征在于，每个所述导电层包括依次设置的第1个导电块～第n个导电块，n≥2，且n为正整数；
25.根据权利要求21～24中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述铁电存储器包括阵列区和走线区；
26.一种铁电存储器的制备方法，其特征在于，包括：
27.一种三维集成电路，其特征在于，包括：
28.一种电子设备，其特征在于，包括：