1.一种igbt栅极驱动电路，其特征在于，包括驱动控制信号模块和栅极驱动模块；
2.根据权利要求1所述的igbt栅极驱动电路，其特征在于：所述栅极驱动模块包括电压控制模块、导通功率管m3和m4、关断功率管m5以及片外的门级电阻rg，所述电压控制模块根据驱动信号的变化来控制导通功率管m3的通断，其中m3的漏极与m4的漏极相连并接正电源电压vdd，m3的栅极接电压控制模块提供的栅极电压信号，m4的栅极接导通控制信号，m3的源极与m4的源极、m5的漏极以及rg的一端相连，m5的栅极接关断控制信号，m5的源极接负电源电压vee，rg的另一端与igbt的栅极连接。
3.根据权利要求2所述的igbt栅极驱动电路，其特征在于：所述电压控制模块包括pmos管m1、nmos管m2、二极管d1和d2以及电阻r1，其中m1的源极接正电源电压vdd，m1的栅极接导通控制信号，m1的漏极与m2的漏极、r1的一端、d2的阴极以及m3的栅极相连，r1的另一端与d1的阳极相连，d1的阴极与d2的阳极以及m3的源极相连，m2的栅极接关断控制信号，m2的源极接负电源电压vee。
4.根据权利要求2所述的igbt栅极驱动电路，其特征在于：所述导通功率管m3和关断功率管m5采用nmos管，导通功率管m4采用pmos管。
5.根据权利要求2所述的igbt栅极驱动电路，其特征在于：所述导通控制信号的高电平为正电源电压vdd，低电平为比vdd低5v的方波；所述关断控制信号的高电平为比负电源电压vee高5v的方波，低电平为vee。
6.根据权利要求2所述的igbt栅极驱动电路，其特征在于：所述正电源电压vdd和负电源电压vee由外部电源提供。
7.根据权利要求1所述的igbt栅极驱动电路，其特征在于：所述导通控制信号与关断控制信号的高低电平时间同步。
8.根据权利要求2所述的igbt栅极驱动电路，其特征在于：所述正电源电压vdd为15v，负电源电压vee为0v。
9.根据权利要求1所述的igbt栅极驱动电路，其特征在于：当所述驱动信号为高电平时，igbt的栅极信号为低电平；驱动信号为低电平时，igbt的栅极信号为高电平。
10.根据权利要求3所述的igbt栅极驱动电路，其特征在于：所述二极管d1和d2可分别采用二极管接法的nmos管m6和pmos管m7替代。