半导体装置的制作方法

实施例涉及一种半导体装置。更具体地，实施例涉及一种包括存储器单元区域、外围电路区域以及在存储器单元区域与外围电路区域之间的边界区域的半导体装置。

背景技术：

1、半导体装置可以包括存储器单元区域、外围电路区域以及在存储器单元区域与外围电路区域之间的边界区域。用于在存储器单元区域与外围电路区域之间提供电隔离的隔离结构可以形成在边界区域中的基底处。隔离结构可以包括填充基底的隔离沟槽的绝缘材料。填充边界区域中的隔离沟槽的绝缘材料可以具有优异的间隙填充特性。可以通过热处理工艺使填充边界区域中的隔离沟槽的绝缘材料致密化。可以通过热处理工艺减小绝缘材料的体积，使得可以在基底的与边界区域相邻的区域中产生应力。

技术实现思路

1、示例实施例提供了一种具有改善的结构特性的半导体装置。

2、根据示例实施例，可以提供一种半导体装置。所述半导体装置可以包括：基底，在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上延伸，基底包括存储器单元区域、外围电路区域以及在存储器单元区域与外围电路区域之间的边界区域；第一有源图案，在存储器单元区域中，第一有源图案中的每个在倾斜于第一方向的第三方向上延伸；以及硅坝结构，在边界区域中。硅坝结构可以包括硅坝图案和坝隔离图案，硅坝图案包括在第三方向上延伸的沟槽线，坝隔离图案在沟槽线中。

3、根据示例实施例，可以提供一种半导体装置。所述半导体装置可以包括：基底，在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上延伸，基底包括存储器单元区域、外围电路区域以及在存储器单元区域与外围电路区域之间的边界区域；第一有源图案，在存储器单元区域中，第一有源图案中的每个在倾斜于第一方向的第三方向上延伸；第一硅坝结构，在第二方向上延伸并且定位在与存储器单元区域的在第一方向上的边缘部分相邻的边界区域中，第一硅坝结构包括第一硅坝图案和第一坝隔离图案，第一硅坝图案包括在第三方向上延伸的第一沟槽线，第一坝隔离图案在第一沟槽线中；以及第二硅坝结构，在第一方向上延伸并且定位在与存储器单元区域的在第二方向上的边缘部分相邻的边界区域中，第二硅坝结构包括第二硅坝图案和第二坝隔离图案，第二硅坝图案包括在第三方向上延伸的第二沟槽线，第二坝隔离图案在第二沟槽线中。

4、根据示例实施例，可以提供一种半导体装置。所述半导体装置可以包括：基底，在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上延伸，基底包括存储器单元区域、外围电路区域以及在存储器单元区域与外围电路区域之间的边界区域；第一有源图案，在存储器单元区域中，第一有源图案中的每个在倾斜于第一方向的第三方向上延伸；第一硅坝结构，在第二方向上延伸并且定位在与存储器单元区域的在第一方向上的边缘部分相邻的边界区域中，第一硅坝结构包括第一硅坝图案和第一坝隔离图案。第一硅坝图案包括在第三方向上延伸的第一沟槽线，第一坝隔离图案在第一沟槽线中；第二硅坝结构，在第一方向上延伸并且定位在与存储器单元区域的在第二方向上的边缘部分相邻的边界区域中，第二硅坝结构包括第二硅坝图案和第二坝隔离图案，第二硅坝图案包括在第三方向上延伸的第二沟槽线，第二坝隔离图案在第二沟槽线中；栅极结构，在存储器单元区域中；位线结构，在存储器单元区域中；接触插塞结构，设置在存储器单元区域中的位线结构之间；以及电容器，在接触插塞结构上，电容器电连接到接触插塞结构。

5、在根据示例实施例的半导体装置中，硅坝结构可以形成在边界区域中。因此，在边界区域中，可以减小由包括填充绝缘图案的隔离图案占据的面积。可以减少边界区域中的隔离图案的量(即，体积)，因此，可以减少由隔离图案中的填充绝缘图案的热处理工艺产生的缺陷。

技术特征：

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一有源图案中的每个具有第一线宽，并且沟槽线的内部宽度与第一线宽相同。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，硅坝结构包括第一硅坝结构和第二硅坝结构，第二硅坝结构具有与第一硅坝结构的形状不同的形状，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，第一硅坝结构包括第一硅坝图案，

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，第一硅坝结构包括多个第一硅坝图案，

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，第一硅坝结构在边界区域内定位为相比于存储器单元区域更靠近外围电路区域。

7.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，第二硅坝结构包括第二硅坝图案，

8.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，第二硅坝结构在边界区域内定位为相比于外围电路区域更靠近存储器单元区域。

9.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，第一硅坝结构的端部和第二硅坝结构的端部彼此间隔开。

10.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，第一硅坝结构的端部和第二硅坝结构的端部彼此连接，并且包括第一硅坝结构和第二硅坝结构的硅坝结构具有围绕存储器单元区域的框架形状。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置在边界区域中除了包括硅坝结构之外还包括隔离图案，并且

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，填充绝缘图案包括东燃硅氮烷。

13.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，第一沟槽线部分地切割第一硅坝结构。

15.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，第一硅坝结构包括多个第一硅坝图案，

16.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，第二沟槽线在第三方向上完全地切割第二硅坝结构。

17.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，第一坝隔离图案和第二坝隔离图案仅包括内壁氧化物层图案，并且隔离图案包括内壁氧化物层图案、衬垫图案和填充绝缘图案。

18.根据权利要求17所述的半导体装置，其中，填充绝缘图案包括东燃硅氮烷。

19.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

20.根据权利要求19所述的半导体装置，其中，第一有源图案中的每个具有第一线宽，并且第一沟槽线和第二沟槽线中的每个的内部宽度与第一线宽相同。

技术总结
提供了一种半导体装置，所述半导体装置可以包括：基底，在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上延伸，基底包括存储器单元区域、外围电路区域以及在存储单元区域与外围电路区域之间的边界区域；第一有源图案，在存储器单元区域中，第一有源图案中的每个在倾斜于第一方向的第三方向上延伸；以及硅坝结构，在边界区域中。硅坝结构可以包括包含在倾斜方向上延伸的沟槽线的硅坝图案和在沟槽线中的坝隔离图案。

技术研发人员：丁贤玉,申东花,柳镐仁,曹永丞
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14