一种MOS管高端驱动电路的制作方法

一种mos管高端驱动电路
技术领域
1.本实用新型属于驱动电路技术领域，具体涉及一种mos管高端驱动电路。


背景技术：

2.在太阳能供电的污水治理装置控制系统应用中，包含多种不同电压的大电流工作电源，并且要求这些工作电源能够独立控制通断，当某个工作电源需要工作时开启供电，不需要工作时关闭以降低功耗。现阶段的方案中，大多采用功率继电器或者mos管低端驱动的方式来实现电源的通断。使用功率继电器来控制小功率负载时能够达到较好的效果，但在大功率负载系统应用中，使用功率继电器控制电源通断，继电器不但体积大，而且工作时发热严重，特别是在室外高温条件下，给系统带来安全隐患。采用mos管低端驱动，当断开电源通路时，负载工作电源处于悬浮状态，会烧坏控制器的引脚，给电路带来安全隐患。


技术实现要素：

3.有鉴于此，本实用新型的主要目的在于提供一种mos管高端驱动电路。
4.为达到上述目的，本实用新型的技术方案是这样实现的：
5.本实用新型实施例提供一种mos管高端驱动电路，包括24v电源，控制器、高电平驱动电路、驱动芯片组件和mos管，所述24v电源分别为控制器、高电平驱动电路、驱动芯片组件和mos管供电，所述控制器的信号输出端与高电平驱动电路的信号输入端连接，用于所述高电平驱动电路控制驱动芯片组件工作，所述驱动芯片组件的输出端与mos管连接，用于所述驱动芯片组件输出低电平时或高电平时通断mos管。
6.本实用新型优选地，所述高电平驱动电路包括第一数字三极管、第二数字三极管和第一电阻器，所述第二数字三极管的b极与控制器的24v_control端连接，所述第二数字三极管的e极接地，所述第二数字三极管的c极分别与第一电阻器的第一端和第一数字三极管的b极连接，所述第一电阻器的第二端分别与24v电源和第一数字三极管的e极连接。
7.本实用新型优选地，所述驱动芯片组件包括第二电阻器、第三电阻器、电容器和集成驱动芯片，所述第二电阻器的第一端分别与第一数字三极管的c极和第三电阻器的第一端连接，所述第三电阻器的第二端接地，所述第二电阻器的第二端与集成驱动芯片的input端连接，所述电容器的第一端分别与24v电源和集成驱动芯片的v+端连接。
8.本实用新型优选地，所述mos管的d极分别与电容器的第一端和24v电源连接，所述mos管的g极与集成驱动芯片的gate端连接，所述mos管的s极分别与集成驱动芯片的source端和24v电源连接。
9.本实用新型优选地，所述第一数字三极管和第二数字三极管的型号为：dta143eca。
10.本实用新型优选地，所述集成驱动芯片的型号为：mic5014。
11.与现有技术相比，本实用新型通过采用三极管与集成驱动芯片相结合的方式实现mos管高端驱动控制大功率负载，既可以避免功率继电器控制带来的发热安全隐患，又能够
避免mos管低端驱动时，悬浮电压烧坏控制器控制引脚的问题。
附图说明
12.图1为本实用新型实施例提供一种mos管高端驱动电路的电路结构示意图；
13.图2为本实用新型实施例所述控制器的电路结构示意图。
具体实施方式
14.为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
15.本实用新型实施例提供一种mos管高端驱动电路，如图1和图2所示，包括24v电源+24v_in，控制器xs1、高电平驱动电路、驱动芯片组件和mos管q1，所述24v电源+24v_in分别为控制器xs1、高电平驱动电路、驱动芯片组件和mos管q1供电，所述控制器xs1的信号输出端与高电平驱动电路的信号输入端连接，用于所述高电平驱动电路控制驱动芯片组件工作，所述驱动芯片组件的输出端与mos管连接，用于所述驱动芯片组件输出低电平时或高电平时通断mos管。
16.如图1和图2所示，所述高电平驱动电路包括第一数字三极管v1、第二数字三极管v2和第一电阻器r1，所述第二数字三极管v1的b极与控制器xs1的24v_control端连接，所述第二数字三极管v2的e极接地gnd，所述第二数字三极管v2的c极分别与第一电阻器r1的第一端和第一数字三极管v1的b极连接，所述第一电阻器r1的第二端分别与24v电源+24v_in和第一数字三极管v1的e极连接。
17.如图1和图2所示，所述驱动芯片组件包括第二电阻器r2、第三电阻器r3、电容器c2和集成驱动芯片d1，所述第二电阻器r2的第一端分别与第一数字三极管v1的c极和第三电阻器r3的第一端连接，所述第三电阻器r3的第二端接地gnd，所述第二电阻器r2的第二端与集成驱动芯片d1的input端连接，所述电容器c2的第一端分别与24v电源+24v_in和集成驱动芯片d1的v+端连接。
18.如图1所示，所述mos管q1的d极分别与电容器c2的第一端和24v电源+24v_in连接，所述mos管q1的g极与集成驱动芯片d1的gate端连接，所述mos管q1的s极分别与集成驱动芯片d1的source端和24v电源+24v_in连接。
19.如图1所示，所述第一数字三极管v1和第二数字三极管v2的型号为：dta143eca。
20.如图1所示，所述集成驱动芯片d1的型号为：mic5014。
21.本实用新型的工作原理如下：
22.如图1所示，第一数字三极管v1和第二数字三极管v2组合构成高电平驱动电路接入集成驱动芯片d1的input引脚，控制集成驱动芯片d1工作；第二数字三极管v2b极与控制器xs1的24_control端连接；mos管q1的d极接24v电源，mos管q1的g极接集成驱动芯片d1的gate引脚，mos管q1的s极接集成驱动芯片d1的source引脚和24v电源。当控制器xs1控制引脚24_control输出低电平时，第二数字三极管v2截止，第一数字三极管v1截止，集成驱动芯片d1的input引脚为低电平，mos管q1截止，mos管q1源极s输出电压为0；当控制器xs1控制引脚24_control输出高电平时，第二数字三极管v2导通，使得第一数字三极管v1也导通，使得
第二电阻器r2与集成驱动芯片d1的inout引脚相接处的电压为24v左右，使得集成驱动芯片d1工作，mos管q1导通，mos管q1源极s输出电压为24v。
23.上述方案中，本实用新型通过采用三极管与集成驱动芯片相结合的方式实现mos管高端驱动控制大功率负载，既可以避免功率继电器控制带来的发热安全隐患，又能够避免mos管低端驱动时，悬浮电压烧坏控制器控制引脚的问题。
24.本实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件；在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
25.需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
26.以上所述，仅为本实用新型的较佳实施例而已，并非用于限定本实用新型的保护范围。