一种低成本吸收式限幅低噪放设备的制作方法

本技术涉及限幅低噪放领域，具体涉及一种低成本吸收式限幅低噪放设备。

背景技术：

1、限幅低噪放广泛用于微波通信，微波测量，雷达，电子对抗等接收系统中，因其大信号下限幅器pin二极管的结电阻因射频功率呈正向导通而变小将信号反射回前级起到限幅作用保护了后级低噪声放大器，但是返回的大信号可能会对前级造成不可逆的影响，故为了保护前级器件，通常系统采用吸收式限幅低噪放，同时小信号的噪声系数对接收机灵敏度影响很大，故吸收式限幅低噪放的需求也越来越高。

2、目前吸收式限幅低噪放大都采用平衡式3db电桥的方式进行设计，在采用了平衡式3db电桥后信号一分为二，在大功率下限幅器的功率容量确实减小了一半，但是限幅器的数量也由一组变成了两组，同时为了保证噪声系数要满足低噪声的要求，低噪放需要放置在两个分支上，低噪放一组变成了两组，两个分支再进行3db电桥合成，故成本会急剧增加。

技术实现思路

1、针对现有技术中的上述不足，本实用新型提供的一种低成本吸收式限幅低噪放设备解决了现有限幅低噪放采用3db电桥使得成本高的问题。

2、为了达到上述发明目的，本实用新型采用的技术方案为：

3、提供一种低成本吸收式限幅低噪放设备，包括依次连接的隔离器、二级限幅器、第一低噪声放大器、温补衰减器、开关、第一π型衰减器、第二低噪声放大器、低通滤波器和第二π型衰减器；隔离器的输入端为吸收式限幅低噪放设备的输入端；第二π型衰减器的输出端为吸收式限幅低噪放设备的输出端。

4、进一步地，二级限幅器包括第一级限幅器和第二级限幅器；第一级限幅器包括电感l1，电感l1的一端接地，电感l1的另一端分别连接电容c1的一端、二极管d1的正极、二极管d2的负极和第二级限幅器；电容c1的另一端连接隔离器的输出端；二极管d1的负极接地；二极管d2的正极接地。

5、进一步地，第二级限幅器为单片限幅器。

6、进一步地，第一低噪声放大器的电源输入端分别连接+5v电源和接地电容c2。

7、进一步地，温补衰减器和开关之间串联有电容c3。

8、进一步地，开关和第二π型衰减器之间串联有电容c4。

9、进一步地，第二低噪声放大器的电源输入端通过电阻r1分别连接+5v电源、接地电容c5和接地电容c6。

10、本实用新型的有益效果为：本设备比采用3db电桥方式的限幅低噪放少2个3db电桥、1组限幅器、1组放大器，却只多了1个隔离器，使得本设备在保证使用指标的前提下，有效降低的成本。

技术特征：

1.一种低成本吸收式限幅低噪放设备，其特征在于，包括依次连接的隔离器、二级限幅器、第一低噪声放大器、温补衰减器、开关、第一π型衰减器、第二低噪声放大器、低通滤波器和第二π型衰减器；隔离器的输入端为吸收式限幅低噪放设备的输入端；第二π型衰减器的输出端为吸收式限幅低噪放设备的输出端。

2.根据权利要求1所述的低成本吸收式限幅低噪放设备，其特征在于，二级限幅器包括第一级限幅器和第二级限幅器；第一级限幅器包括电感l1，电感l1的一端接地，电感l1的另一端分别连接电容c1的一端、二极管d1的正极、二极管d2的负极和第二级限幅器；电容c1的另一端连接隔离器的输出端；二极管d1的负极接地；二极管d2的正极接地。

3.根据权利要求2所述的低成本吸收式限幅低噪放设备，其特征在于，第二级限幅器为单片限幅器。

4.根据权利要求1所述的低成本吸收式限幅低噪放设备，其特征在于，第一低噪声放大器的电源输入端分别连接+5v电源和接地电容c2。

5.根据权利要求1所述的低成本吸收式限幅低噪放设备，其特征在于，温补衰减器和开关之间串联有电容c3。

6.根据权利要求1所述的低成本吸收式限幅低噪放设备，其特征在于，开关和第二π型衰减器之间串联有电容c4。

7.根据权利要求1所述的低成本吸收式限幅低噪放设备，其特征在于，第二低噪声放大器的电源输入端通过电阻r1分别连接+5v电源、接地电容c5和接地电容c6。

技术总结
本技术公开了一种低成本吸收式限幅低噪放设备，包括依次连接的隔离器、二级限幅器、第一低噪声放大器、温补衰减器、开关、第一π型衰减器、第二低噪声放大器、低通滤波器和第二π型衰减器；隔离器的输入端为吸收式限幅低噪放设备的输入端；第二π型衰减器的输出端为吸收式限幅低噪放设备的输出端。本技术比采用3db电桥方式的限幅低噪放少2个3dB电桥、1组限幅器、1组放大器，却只多了1个隔离器，使得本设备在保证使用指标的前提下，有效降低的成本。

技术研发人员：赵莉,杨燕
受保护的技术使用者：成都晶立电子技术有限公司
技术研发日：20221212
技术公布日：2024/1/12