具有多层阻焊剂的电路板及具有该电路板的显示装置的制作方法

文档序号:35787171发布日期:2023-10-21 19:06阅读:43来源:国知局
具有多层阻焊剂的电路板及具有该电路板的显示装置的制作方法

示例性的实施例涉及一种微型led显示装置,尤其涉及一种用于贴装微型led的电路板及具有该电路板的显示装置。


背景技术:

1、发光元件是利用作为无机光源的发光二极管的半导体元件,被多样地用于显示装置、车辆用灯具、一般照明等多种领域。发光二极管具有寿命长、功耗低且响应速度快的优点,因此正快速地替代现有光源。

2、另外,现有的发光二极管在显示装置中主要用作背光源,但是,最近正在开发利用发光二极管直接实现图像的显示装置。这样的显示器也称为微型led显示器。

3、微型led显示器可以通过驱动贴装在电路板上的微型led来实现多种颜色的图像。通常,为了实现多种图像,显示器包括多个像素,并且各个像素配备有蓝色、绿色及红色的子像素。通过这些子像素的颜色来确定特定像素的颜色,并且通过这些像素的组合来实现图像。

4、另外,诸如黑色之类的暗色通过关闭微型led来实现,因此可能会因从屏幕侧观察到的电路板的上表面的颜色而受到影响。尤其,在形成于电路板的布线被观察到的情况下,难以表现出良好的黑色。

5、形成于电路板的布线通常被诸如感光性阻焊剂(psr:photosensitive solderresist)之类的阻焊剂覆盖,psr的厚度越薄,越容易被观察到布线。另外,通过将覆盖布线的psr形成得较厚而能够防止布线被观察到。然而,在psr形成得较厚的情况下,不仅难以进行用于使电路板的垫暴露的图案化,而且无法干净地限定开放区域。电路板上的垫开放区域被用作用于对齐微型led的对齐标记。然而,如果电路板上的垫开放区域未被干净地限定,则难以将微型led精确地对齐到垫开放区域,因此容易发生接合不良。


技术实现思路

1、技术问题

2、示例性的实施例提供一种能够清晰地限定垫开放区域,并且能够防止布线被观察到的电路板及具有该电路板的显示装置。

3、技术方案

4、根据本发明的一个以上实施例的电路板包括:基底,在上表面具有多条布线;第一感光性阻焊剂,覆盖所述布线,限定使所述布线的部分暴露的垫开放区域;第二感光性阻焊剂,覆盖所述第一感光性阻焊剂,具有使所述垫开放区域暴露的开口部,其中,所述第二感光性阻焊剂的开口部大于所述第一感光性阻焊剂的垫开放区域。

5、根据本发明的一个以上实施例的显示装置包括:电路板;单元像素,布置在所述电路板上;以及成型部,覆盖所述单元像素,其中,所述电路板包括:基底,在上表面具有多条布线;第一感光性阻焊剂,覆盖所述布线,限定使所述布线的部分暴露的垫开放区域;第二感光性阻焊剂,覆盖所述第一感光性阻焊剂,具有使所述垫开放区域暴露的开口部,其中,所述第二感光性阻焊剂的开口部大于所述第一感光性阻焊剂的垫开放区域,所述单元像素布置在所述垫开放区域。

6、根据本发明的一个以上实施例的像素模块包括:电路板;单元像素,布置在所述电路板上;以及成型部,覆盖所述单元像素,其中,所述电路板包括:基底,在上表面具有多条布线;第一感光性阻焊剂,覆盖所述布线,限定使所述布线的部分暴露的垫开放区域;第二感光性阻焊剂,覆盖所述第一感光性阻焊剂,具有使所述垫开放区域暴露的开口部,其中,所述第二感光性阻焊剂的开口部大于所述第一感光性阻焊剂的垫开放区域,所述单元像素布置在所述垫开放区域。



技术特征:

1.一种电路板,包括:

2.根据权利要求1所述的电路板,其中,

3.根据权利要求2所述的电路板,其中,

4.根据权利要求1所述的电路板,其中,

5.根据权利要求1所述的电路板,其中,

6.根据权利要求1所述的电路板,其中,

7.一种显示装置,包括:

8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,

9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,

10.根据权利要求7所述的显示装置,其中,

11.根据权利要求7所述的显示装置,其中,

12.根据权利要求7所述的显示装置,其中,

13.根据权利要求7所述的显示装置,其中,

14.根据权利要求7所述的显示装置,其中,

15.根据权利要求7所述的显示装置,其中,

16.根据权利要求7所述的显示装置,其中,

17.根据权利要求7所述的显示装置,还包括:

18.一种像素模块,包括:

19.根据权利要求18所述的像素模块,其中,

20.根据权利要求18所述的像素模块,其中,


技术总结
根据本发明的一个以上实施例的电路板包括:基底,在上表面具有多条布线;第一感光性阻焊剂(PSR),覆盖所述布线,限定使所述布线的部分暴露的垫开放区域;第二感光性阻焊剂,覆盖所述第一感光性阻焊剂,具有使所述垫开放区域暴露的开口部,其中,所述第二感光性阻焊剂的开口部大于所述第一感光性阻焊剂的垫开放区域。

技术研发人员:奇泳植,洪承植
受保护的技术使用者:首尔半导体株式会社
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
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