层叠体、电路基板及电路基板的制造方法与流程

本发明涉及适用于电路基板(金属基底电路基板)的制造的层叠体、电路基板及电路基板的制造方法。

背景技术：

1、作为用于搭载以半导体元件为代表的电子/电气部件而形成混合集成电路的电路基板，迄今为止，各种电路基板已被实用化。电路基板根据基板材质而被分类为树脂电路基板、陶瓷电路基板、金属基底电路基板等。

2、树脂电路基板虽然廉价，但由于基板的导热性低，因此受限于以比较小的电力而被利用的用途。对于陶瓷电路基板而言，由于电绝缘性及耐热性高的陶瓷的特征，其适于在较大的电力下利用的用途，但具有昂贵的缺点。另一方面，金属基底电路基板具有两者中间的性质，适合于以比较大的电力利用的通用的用途，例如冰箱用逆变器、商用空调用逆变器、工业用机器人用电源、汽车用电源等用途。

3、例如，专利文献1中公开了使用以特定的环氧树脂、固化剂和无机填料为必需成分的电路基板用组合物，得到应力松弛性、耐热性、耐湿性和散热性优异的电路基板的方法。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本特开2008-266533号公报

技术实现思路

1、发明要解决的课题

2、如果能够将陶瓷电路基板代替为金属基底电路基板，则能够期待生产率的提高。在使用陶瓷电路基板的产业用模块领域等中，有时在苛刻的条件下施加高电压，这种条件下的高可靠性是必要的。

3、另外，陶瓷电路基板存在热循环时在基板上容易产生焊料裂纹的问题，但通过代替为金属基底电路基板，能够期待抑制焊料裂纹的产生。另一方面，在使用陶瓷电路基板的产业用模块领域等中，进行回流焊处理等高温处理，但在以往的金属基底电路基板中，有时在高温处理后绝缘层的粘接可靠性降低。

4、因此，本发明的目的在于提供一种层叠体，其能够形成具有高电压施加的条件下的优异绝缘可靠性、即使通过高温处理也能够维持高粘接可靠性的金属基底电路基板。另外，本发明的目的在于提供一种金属基底电路基板及其制造方法，该金属基底电路基板具有高电压施加的条件下的优异绝缘可靠性、即使通过高温处理也能够维持高粘接可靠性。

5、用于解决课题的手段

6、本发明例如涉及以下的[1]～[10]。

7、[1]

8、层叠体，其具备：

9、第一金属层；

10、配置于所述第一金属层上的绝缘层；和

11、配置于所述绝缘层上的第二金属层，

12、所述第一金属层的与所述绝缘层的接合面及所述第二金属层的与所述绝缘层的接合面中的至少一者呈现出基准长度为250μm、单元的平均长度rsm为10μm以上100μm以下、且最大高度rz为1μm以上20μm以下的表面粗糙度曲线。

13、[2]

14、如[1]所述的层叠体，其中，所述第一金属层的与所述绝缘层的接合面以及所述第二金属层的与所述绝缘层的接合面这两者均呈现出所述表面粗糙度曲线。

15、[3]

16、如[1]或[2]所述的层叠体，其中，所述绝缘层的厚度为30μm以上。

17、[4]

18、如[1]～[3]中任一项所述的层叠体，其中，所述第一金属层及所述第二金属层含有60质量％以上的选自由铝、铜、铁、银、金、锌、镍及锡组成的组中的至少一种金属原子。

19、[5]

20、如[1]～[4]中任一项所述的层叠体，其中，所述绝缘层含有绝缘性树脂固化体和无机填料。

21、[6]

22、如[1]～[5]中任一项所述的层叠体，其中，所述单元的平均长度rsm及所述最大高度rz满足下述式(a)，

23、rsm≥1.25rz+12(a)。

24、[7]

25、电路基板，其具备：金属层；配置于所述金属层上的绝缘层；和配置于所述绝缘层上的金属电路部，

26、所述金属层的与所述绝缘层的接合面以及所述金属电路部的与所述绝缘层的接合面中的至少一者呈现出基准长度为250μm、单元的平均长度rsm为10μm以上100μm以下、且最大高度rz为1μm以上20μm以下的表面粗糙度曲线。

27、[8]

28、如[7]所述的电路基板，其中，所述金属层的与所述绝缘层的接合面以及所述金属电路部的与所述绝缘层的接合面这两者均呈现出所述表面粗糙度曲线。

29、[9]

30、如[7]或[8]所述的电路基板，其中，所述单元的平均长度rsm及所述最大高度rz满足下述式(a)，

31、rsm≥1.25rz+12(a)。

32、[10]

33、电路基板的制造方法，其包括：

34、准备[1]～[6]所述的层叠体的工序；和

35、除去所述层叠体的所述第一金属层的一部分或所述第二金属层的一部分，从而形成金属电路部的工序。

36、发明效果

37、根据本发明，可提供能够形成金属基底电路基板的层叠体，所述金属基底电路基板具有高电压施加的条件下的优异绝缘可靠性、即使通过高温处理也能够维持高粘接可靠性。另外，根据本发明，可提供具有高电压施加的条件下的优异绝缘可靠性、即使通过高温处理也能够维持高粘接可靠性的金属基底电路基板及其制造方法。

技术特征：

1.层叠体，其具备：

2.根据权利要求1所述的层叠体，其中，所述第一金属层的与所述绝缘层的接合面以及所述第二金属层的与所述绝缘层的接合面这两者均呈现出所述表面粗糙度曲线。

3.根据权利要求1或2所述的层叠体，其中，所述绝缘层的厚度为30μm以上。

4.根据权利要求1或2所述的层叠体，其中，所述第一金属层及所述第二金属层含有60质量％以上的选自由铝、铜、铁、银、金、锌、镍及锡组成的组中的至少一种金属原子。

5.根据权利要求1或2所述的层叠体，其中，所述绝缘层含有绝缘性树脂固化体和无机填料。

6.根据权利要求1或2所述的层叠体，其中，所述单元的平均长度rsm及所述最大高度rz满足下述式(a)，

7.电路基板，其具备：金属层；配置于所述金属层上的绝缘层；和配置于所述绝缘层上的金属电路部，

8.根据权利要求7所述的电路基板，其中，所述金属层的与所述绝缘层的接合面以及所述金属电路部的与所述绝缘层的接合面这两者均呈现出所述表面粗糙度曲线。

9.根据权利要求7或8所述的电路基板，其中，所述单元的平均长度rsm及所述最大高度rz满足下述式(a)，

10.电路基板的制造方法，其包括：

技术总结
一种层叠体，其具备第一金属层、配置于所述第一金属层上的绝缘层、及配置于所述绝缘层上的第二金属层，所述第一金属层的与所述绝缘层的接合面、及所述第二金属层的与所述绝缘层的接合面中的至少一者呈现出基准长度为250μm、单元的平均长度RSm为10μm以上100μm以下、且最大高度Rz为1μm以上20μm以下的表面粗糙度曲线。

技术研发人员：权田悠平,熊谷良太
受保护的技术使用者：电化株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15