空穴传输促进材料、受光元件用材料、氰基化合物和有机受光元件的制作方法

文档序号:37188026发布日期:2024-03-01 12:54阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种空穴传输促进材料,其包含下述通式(1)或通式(2)所示的化合物,

2.根据权利要求1所述的空穴传输促进材料,其中,ar2和ar3为氰基。

3.根据权利要求1或2所述的空穴传输促进材料,其中,ar4和ar5为氰基。

4.一种受光元件用材料,其包含下述通式(1)或通式(2)所示的化合物,

5.根据权利要求4所述的受光元件用材料,其为受光元件用有机摄像元件用材料。

6.根据权利要求4或5所述的受光元件用材料,其为受光元件用有机摄像元件用空穴传输促进材料。

7.根据权利要求4或5所述的受光元件用材料,其中,ar2和ar3为氰基。

8.根据权利要求4或5所述的受光元件用材料,其中,ar4和ar5为氰基。

9.一种氰基化合物,其用下述通式(3)、通式(4)、通式(5)或通式(6)表示,

10.根据权利要求9所述的氰基化合物,其中,ar2和ar3为氰基。

11.一种有机受光元件,其具备第一电极和第二电极,

12.一种有机受光元件,其具备第一电极和第二电极,

13.根据权利要求11或12所述的有机受光元件,其中,所述空穴传输层与所述空穴传输促进层邻接。

14.根据权利要求11或12所述的有机受光元件,其中,所述受光层为至少由两种成分形成的层。


技术总结
提供空穴传输特性优异的受光元件用材料和使用其的有机受光元件。使用包含下述通式(1)或通式(2)所示化合物的受光元件用材料。作为Ar<supgt;2</supgt;和Ar<supgt;3</supgt;,优选为氰基。作为Ar<supgt;4</supgt;和Ar<supgt;5</supgt;,优选为氰基。

技术研发人员:新井信道,冈田壮史,高桥泰裕,野村桂甫
受保护的技术使用者:东曹株式会社
技术研发日:
技术公布日:2024/2/29
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