输入缓冲电路和包括其的半导体系统的制作方法

各种公开总体上涉及输入缓冲电路和包括其的半导体系统，更具体地，涉及一种被配置为生成相对于输入信号具有线性特性的输出信号的输入缓冲电路以及包括该输入缓冲电路的半导体系统。

背景技术：

1、通常，半导体装置可接收信号以执行期望的操作。半导体装置可包括输入缓冲电路，输入缓冲电路被配置为接收信号。输入缓冲电路可缓冲信号以生成输出信号。输入缓冲电路可向各种内部电路提供输出信号。因此，为了向内部电路中输入信号，可能需要通过输入缓冲电路执行期望的缓冲操作。

2、输入到输入缓冲电路中的输入信号可具有线性特性。来自输入缓冲电路的输出信号也可具有线性特性。然而，为了维持输出信号的线性特性，可能难以准确地控制输入缓冲电路中的电路的电阻值。

3、最近，为了克服由于信号衰减而导致的低操作可靠性，半导体装置可包括均衡电路。均衡电路可包括判决反馈均衡(dfe)电路。为了执行最优均衡操作，可能需要向dfe电路提供具有线性特性的信号。因此，具有诸如dfe电路的均衡电路的半导体装置可包括被配置为提供具有线性特性的信号的输入缓冲电路。

技术实现思路

1、根据实施方式是一种输入缓冲电路。该输入缓冲电路可包括信号输入电路和线性设置电路。信号输入电路被配置为接收输入信号以基于基准电压和激活电流来生成输出信号。线性设置电路被配置为对可对应于输入信号的第一建模节点的电压与可对应于基准电压的第二建模节点的电压进行比较，以生成用于控制激活电流的偏置电压。

2、根据实施方式是一种半导体系统。该半导体系统可包括传输电路和输入缓冲电路。传输电路被配置为提供反映导通电阻的输入信号以及与导通电阻对应的导通电阻信息。输入缓冲电路可包括信号输入电路和线性设置电路。信号输入电路被配置为接收输入信号以基于基准电压和激活电流来生成输出信号。线性设置电路被配置为对可对应于输入信号的第一建模节点的电压与可对应于基准电压的第二建模节点的电压进行比较，以生成用于控制激活电流的偏置电压。输入缓冲电路可基于导通电阻信息来设定偏置电压。

3、根据实施方式，输入缓冲电路可相对于被配置为接收输出信号的端子之后的下一端子的内部电路生成具有线性特性的输出信号以改进操作可靠性。

技术特征：

1.一种输入缓冲电路，该输入缓冲电路包括：

2.根据权利要求1所述的输入缓冲电路，其中，所述线性设置电路包括：

3.根据权利要求1所述的输入缓冲电路，该输入缓冲电路还包括信号衰减电路，该信号衰减电路相对于所述输入信号中的高频分量和低频分量中的至少一个使操作电压范围衰减。

4.根据权利要求3所述的输入缓冲电路，其中，所述信号衰减电路进行控制以向所述输入信号中的所述高频分量和所述低频分量提供不同的衰减率。

5.根据权利要求3所述的输入缓冲电路，其中，所述线性设置电路还包括通过对所述信号衰减电路进行建模而形成的衰减建模电路。

6.根据权利要求5所述的输入缓冲电路，其中，所述信号衰减电路根据内部电阻值对所述操作电压范围进行电平移位，并且所述衰减建模电路对所述内部电阻值进行建模。

7.根据权利要求1所述的输入缓冲电路，该输入缓冲电路还包括均衡电路，该均衡电路接收所述输出信号以执行均衡操作并且生成最终输出信号。

8.根据权利要求1所述的输入缓冲电路，其中，所述线性设置电路还包括通过对预定导通电阻值进行建模而形成的电阻建模电路。

9.一种半导体系统，该半导体系统包括：

10.根据权利要求9所述的半导体系统，其中，所述线性设置电路包括：

11.根据权利要求10所述的半导体系统，其中，基于所述导通电阻信息来控制所述电阻建模电路的电阻值。

12.根据权利要求9所述的半导体系统，该半导体系统还包括信号衰减电路，该信号衰减电路相对于所述输入信号中的高频分量和低频分量中的至少一个使操作电压范围衰减。

13.根据权利要求12所述的半导体系统，其中，所述信号衰减电路进行控制以向所述输入信号中的所述高频分量和所述低频分量提供不同的衰减率。

14.根据权利要求12所述的半导体系统，其中，所述线性设置电路还包括通过对所述信号衰减电路进行建模而形成的衰减建模电路。

15.根据权利要求14所述的半导体系统，其中，所述信号衰减电路根据内部电阻值对所述操作电压范围进行电平移位，并且所述衰减建模电路对所述内部电阻值进行建模。

16.根据权利要求9所述的半导体系统，该半导体系统还包括均衡电路，该均衡电路接收所述输出信号以执行均衡操作并且生成最终输出信号。

技术总结
本申请涉及输入缓冲电路和包括其的半导体系统。一种输入缓冲电路包括信号输入电路和线性设置电路。信号输入电路被配置为接收输入信号以基于基准电压和激活电流生成输出信号。线性设置电路被配置为对可对应于输入信号的第一建模节点的电压与可对应于基准电压的第二建模节点的电压进行比较，以生成用于控制激活电压的偏置电压。

技术研发人员：孔仁锡,洪在亨,金珉秀
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15