磁性存储器装置的制作方法

实施方式涉及一种磁性存储器装置。

背景技术：

1、已知使用磁阻效应元件作为存储元件的磁性存储器装置。作为向磁阻效应元件写入数据的方式，已提出各种方法。

技术实现思路

1、本发明要解决的问题在于：提供一种可降低写入电流的磁性存储器装置。

2、实施方式的磁性存储器装置具备：第1导电体层；第2导电体层；第3导电体层，沿着第1方向延伸；及三端子型存储胞，与所述第1导电体层、所述第2导电体层及所述第3导电体层连接。所述存储胞具备：第4导电体层，沿着所述第1方向延伸；及磁阻效应元件，设置在所述第4导电体层与所述第3导电体层之间。所述磁阻效应元件包含：第1铁磁性层，在与所述第1方向相交的第2方向上，与所述第4导电体层相接；第2铁磁性层，相对于所述第1铁磁性层设置在与所述第4导电体层相反的侧；介电层，位于所述第1铁磁性层与所述第2铁磁性层之间；第3铁磁性层，相对于所述第2铁磁性层设置在与所述第1铁磁性层相反的侧；及非磁性层，设置在所述第2铁磁性层与所述第3铁磁性层之间，包含氧及镁。所述第1铁磁性层中的第1贵金属的浓度高于所述第2铁磁性层中的所述第2贵金属的浓度。

技术特征：

1.一种磁性存储器装置，具备：

2.根据权利要求1所述的磁性存储器装置，

3.根据权利要求1所述的磁性存储器装置，其中

4.根据权利要求1所述的磁性存储器装置，其中

5.根据权利要求1所述的磁性存储器装置，其中

6.根据权利要求1所述的磁性存储器装置，其中

7.根据权利要求1所述的磁性存储器装置，其中

8.根据权利要求1所述的磁性存储器装置，其中

9.根据权利要求1所述的磁性存储器装置，其中

10.根据权利要求1所述的磁性存储器装置，其中

11.根据权利要求1所述的磁性存储器装置，其中

12.根据权利要求1所述的磁性存储器装置，其中

13.根据权利要求1所述的磁性存储器装置，其中

14.根据权利要求1所述的磁性存储器装置，其中

15.根据权利要求14所述的磁性存储器装置，其中

16.根据权利要求14所述的磁性存储器装置，其中

17.根据权利要求16所述的磁性存储器装置，其中

18.根据权利要求1所述的磁性存储器装置，其

19.根据权利要求18所述的磁性存储器装置，其中

20.根据权利要求18所述的磁性存储器装置，其中

21.根据权利要求18所述的磁性存储器装置，其还具备：

22.一种磁性存储器装置，具备：

23.根据权利要求22所述的磁性存储器装置，其中

24.根据权利要求22所述的磁性存储器装置，其中

25.根据权利要求22所述的磁性存储器装置，其中

26.根据权利要求22所述的磁性存储器装置，其中

技术总结
实施方式提供一种可降低写入电流的磁性存储器装置。实施方式的磁性存储器装置具备：第1导电体层；第2导电体层；第3导电体层，沿着第1方向延伸；及三端子型存储胞，与第1导电体层、第2导电体层及第3导电体层连接。存储胞具备：第4导电体层，沿着第1方向延伸；及磁阻效应元件，设置在第4导电体层与第3导电体层之间。磁阻效应元件包含：第1铁磁性层，在与第1方向相交的第2方向上，与第4导电体层相接；第2铁磁性层，相对于第1铁磁性层设置在与第4导电体层相反的侧；介电层，位于第1铁磁性层与第2铁磁性层之间；第3铁磁性层，相对于第2铁磁性层设置在与第1铁磁性层相反的侧；及非磁性层，设置在第2铁磁性层与第3铁磁性层之间，包含氧及镁。第1铁磁性层中的第1贵金属的浓度高于第2铁磁性层中的第2贵金属的浓度。

技术研发人员：吉川将寿
受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/4