半导体存储装置及其制造方法与流程

本发明的实施方式涉及一种半导体存储装置及其制造方法。

背景技术：

1、在三维半导体存储器中，有如果电荷蓄积层的体积变小，那么电荷蓄积层的性能变低的可能性。例如，有如果电荷蓄积层的侧面的截面形状并不平坦而成为凸形，那么电荷蓄积层的体积变小的可能性。

技术实现思路

1、一实施方式提供一种能够形成具有良好性能的电荷蓄积层的半导体存储装置及其制造方法。

2、根据一实施方式，半导体存储装置具备：下方电极层；下方绝缘膜，设置在所述下方电极层的第1方向侧；上方电极层，设置在所述下方绝缘膜的所述第1方向侧；上方绝缘膜，设置在所述上方电极层的所述第1方向侧；第1绝缘膜，设置在所述上方电极层的与所述第1方向交叉的第2方向侧；第2绝缘膜，设置在所述下方绝缘膜与所述上方电极层之间、所述上方电极层与所述上方绝缘膜之间、及所述上方电极层与所述第1绝缘膜之间；电荷蓄积层，设置在所述第1绝缘膜的所述第2方向侧；第3绝缘膜，设置在所述电荷蓄积层的所述第2方向侧；以及半导体层，设置在所述第3绝缘膜的所述第2方向侧；所述第1绝缘膜的所述上方电极层侧的侧面具有朝向所述上方电极层突出的凸形的形状，所述电荷蓄积层包含在所述第2方向具有第1膜厚的第1部分及在所述第2方向具有比所述第1膜厚薄的第2膜厚的第2部分，所述第1部分与所述第1绝缘膜相接。

3、根据所述构成，能够提供一种能够形成具有良好性能的电荷蓄积层的半导体存储装置及其制造方法。

技术特征：

1.一种半导体存储装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其还具备：

10.一种半导体存储装置，具备：

11.根据权利要求10所述的半导体存储装置，

12.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其中

13.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其中

14.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其中

15.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其中

16.一种半导体存储装置的制造方法，所述半导体存储装置具有：下方绝缘膜、电极层、上方绝缘膜、电荷蓄积层、第1绝缘膜、第2绝缘膜、第3绝缘膜、以及半导体层，所述制造方法是：

17.根据权利要求16所述的半导体存储装置的制造方法，其中

18.根据权利要求16所述的半导体存储装置的制造方法，其中

19.根据权利要求16所述的半导体存储装置的制造方法，其中

20.根据权利要求19所述的半导体存储装置的制造方法，其中

技术总结
本发明的实施方式涉及一种半导体存储装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体存储装置具备：下方电极层；下方绝缘膜，设置在所述下方电极层的第1方向侧；上方电极层，设置在所述下方绝缘膜的所述第1方向侧；上方绝缘膜，设置在所述上方电极层的所述第1方向侧；第1绝缘膜，设置在所述上方电极层的与所述第1方向交叉的第2方向侧；第2绝缘膜，设置在所述下方绝缘膜与所述上方电极层之间、所述上方电极层与所述上方绝缘膜之间、及所述上方电极层与所述第1绝缘膜之间；电荷蓄积层，设置在所述第1绝缘膜的所述第2方向侧；第3绝缘膜，设置在所述电荷蓄积层的所述第2方向侧；以及半导体层，设置在所述第3绝缘膜的所述第2方向侧；所述第1绝缘膜的所述上方电极层侧的侧面具有朝向所述上方电极层突出的凸形的形状，所述电荷蓄积层包含在所述第2方向具有第1膜厚的第1部分及在所述第2方向具有比所述第1膜厚薄的第2膜厚的第2部分，所述第1部分与所述第1绝缘膜相接。

技术研发人员：泽敬一,竹本智幸,神谷优太,山下博幸,斋藤雄太,矶贝达典
受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/4