等离子体处理方法及等离子体处理装置与流程

本发明涉及等离子体处理方法及等离子体处理装置。

背景技术：

1、作为等离子体处理装置的一例的蚀刻装置具备用于生成等离子体的第1电极、和用于从等离子体向处理对象物引入离子的第2电极。进一步地，蚀刻装置具备向第1电极输出高频电力的第1高频电源、向第2电极输出高频电力的第2高频电源、以及控制第1高频电源及第2高频电源的输出时机的脉冲生成部。第1高频电源基于从脉冲生成部输出的第1脉冲向第1电极间歇地输出高频电力。由此，间歇地生成等离子体。第2高频电源基于从脉冲生成部输出的第2脉冲向第2电极间歇地输出高频电力。由此，从等离子体向处理对象物引入离子。脉冲生成部通过第1脉冲控制第1高频电源输出电力的时机，并且通过第2脉冲控制第2高频电源输出电力的时机(例如参照专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2014-107363号公报

技术实现思路

1、发明要解决的课题

2、为了从等离子体适当地引入离子，第2高频电源向第2电极输出高频电力的时机优选相对于等离子体生成的时机适当地设定。另一方面，从脉冲生成部输出第1脉冲到生成等离子体的时间根据气体种类、气体压力、高频电力的大小等各种处理条件而改变。另外，即使设定的处理条件相同，从第1脉冲输出到等离子体生成为止的时间也根据生成等离子体的腔室内的氛围的细微差异而改变。因此，使用第2高频电源向第2电极的电力输出相对于等离子体生成的时机有时偏离希望的时机。此外，这样的实情不限于蚀刻装置，对于从第1高频电源间歇地输出电力、且从第2高频电源间歇地输出电力的溅射装置、cvd装置等其他等离子体处理装置也是相同的。

3、用于解决课题的方案

4、一个方式的等离子体处理方法，通过等离子体处理对象物，所述等离子体处理方法包括：脉冲生成部向第1高频电源反复输出第1脉冲；通过所述第1高频电源基于所述第1脉冲向第1电极间歇地输出第1高频电力，从而生成所述等离子体；由检测部检测出基于本次的所述第1脉冲的所述等离子体的生成开始；计算延迟期间，所述延迟期间是从所述本次的所述第1脉冲的上升到所述检测部检测出所述等离子体的生成开始为止的期间；以从在计算出所述延迟期间后输出的所述第1脉冲的上升算起经过所述延迟期间的时间点为基准，所述脉冲生成部向第2高频电源反复输出第2脉冲；以及通过所述第2高频电源基于所述第2脉冲向第2电极输出第2高频电力，从而从所述等离子体向所述对象物引入离子。

5、根据上述方法，即使在输出第1脉冲后到开始生成等离子体为止有诸如依赖于等离子体的处理条件或者处理环境的延迟，也能基于开始生成等离子体的时机输出第2高频电力。

6、一个方式的等离子体处理装置，用于通过等离子体处理对象物，所述等离子体处理装置具备：第1高频电源，向第1电极输出用于生成所述等离子体的第1高频电力；第2高频电源，向第2电极输出第2高频电力，该第2高频电力用于从所述等离子体向所述对象物引入离子；脉冲生成部，反复输出使所述第1高频电源间歇地输出所述第1高频电力的第1脉冲，并且反复输出使所述第2高频电源间歇地输出所述第2高频电力的第2脉冲；以及检测部，检测出所述等离子体的生成开始，所述脉冲生成部构成为：具备运算部，所述运算部计算延迟期间，所述延迟期间是从本次的所述第1脉冲的上升到所述检测部检测出基于所述本次的所述第1脉冲的所述等离子体的生成开始为止的期间，以从在计算出所述延迟期间后输出的所述第1脉冲的上升算起经过所述延迟期间的时间点为基准，输出所述第2脉冲。

7、根据上述等离子体处理方法及等离子体处理装置，在输出第1脉冲后到生成等离子体为止即使有诸如依赖于等离子体的处理条件或者处理环境的延迟，也能基于开始生成等离子体的时机输出第2高频电力。

技术特征：

1.一种等离子体处理方法，通过等离子体处理对象物，所述等离子体处理方法包括：

2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，

3.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的等离子体处理方法，其中，

5.根据权利要求1至3中的任一项所述的等离子体处理方法，其中，

6.一种等离子体处理装置，用于通过等离子体处理对象物，所述等离子体处理装置具备：

技术总结
提供一种等离子体处理方法及等离子体处理装置，相对于等离子体生成的时机，能在适当的时机朝向偏压电极输出高频电力。通过基于从脉冲生成部(40)反复输出的第1脉冲，天线用电源(23)向ICP天线(21)间歇地输出第1高频电力，从而生成等离子体(P)，由检测部(50)检测出基于本次的第1脉冲的等离子体(P)的生成开始，计算从本次的第1脉冲的上升到检测部(50)检测出等离子体(P)的生成开始为止的延迟期间，以从在计算出延迟期间后输出的第1脉冲的上升算起经过延迟期间的时间点为基准，基于从脉冲生成部(40)反复输出的第2脉冲，偏压用电源(33)向偏压电极(31)输出第2高频电力。

技术研发人员：土居谦太,中村敏幸
受保护的技术使用者：株式会社爱发科
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15