屏蔽式绝缘壳体及电子装置的制作方法

文档序号:36878183发布日期:2024-02-02 20:56阅读:11来源:国知局
屏蔽式绝缘壳体及电子装置的制作方法

本发明涉及一种电力电子技术,特别是涉及一种屏蔽式绝缘壳体及具有其的电子装置。


背景技术:

1、固态变换器(solid state transformer,sst)以其效率高和模块化的优势,是未来数据中心和充电桩供电的发展方向。其中,sst系统可由多个功率模块级联组成。并且,整个sst系统的中压绝缘需求可分成三类:相间绝缘和壳体cell间绝缘;高低压模块电路间绝缘和高频变压器原副边间绝缘;辅助供电的中压(medium voltage,mv)侧和市电安全特低电压(selv,safety extra low voltage)侧间绝缘。

2、传统的方案是对这三处分别进行绝缘处理。例如,相间绝缘和壳体cell间绝缘主要用绝缘板或屏蔽式绝缘壳体进行隔离,高频变压器原副边间绝缘一般采用对高压线圈进行绝缘灌封的办法进行隔离,而辅助电源采用高压硅胶线和空气复合绝缘的形式。这种绝缘分别设计的方案会造成系统中零部件数的增多,增加系统的复杂度。

3、目前还有一些方案是将这三处共用一个屏蔽式绝缘壳体进行绝缘隔离,以简化系统复杂度,以及有利于减小装置体积和模块轻量化设计。例如,现有方案有采用一体式直筒型绝缘壳体或可组装的嵌网绝缘壳体进行绝缘隔离,但这些绝缘壳体多有不便之处,比如,模块舱内安装操作空间受限、需要复杂的定位工装、壳体组件数量多、以及结构复杂等。而且,现有的绝缘壳体的气隙是位于高低压屏蔽层之外,且高低压屏蔽层距离较近,高压屏蔽层边缘附近的空气中电场应力集中,电场最高可达3.7kv/mm,由此也导致现有的绝缘壳体的耐局放水平较低,壳体电气性能良率较差。


技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种屏蔽式绝缘壳体及电子装置,可以有效解决现有技术的至少一缺陷。

2、为了实现上述目的,本发明提供一种屏蔽式绝缘壳体,其包括:壳体本体,其形成有第一腔体,所述壳体本体上形成有靠近所述第一腔体的内侧屏蔽层和远离所述第一腔体的外侧屏蔽层;第一结构,形成于所述第一腔体上,组装形成的所述第一结构至少包含由所述第一腔体的内侧向外侧依次设置的一第一屏蔽层、一第一绝缘层、一第一气隙层、一第二绝缘层和一第二屏蔽层;所述第一结构上还形成有组装间隙,该组装间隙与该第一气隙层配合形成所述第一结构上从所述内侧屏蔽层延伸至所述外侧屏蔽层的爬电通道。

3、在本发明的一实施例中,所述壳体本体包括一第一壳体和一第二壳体,所述第一壳体包括一第一板状结构和分别位于所述第一板状结构相对的两侧并沿第一方向延伸的至少两个第一凸台,所述第二壳体包括一第二板状结构和分别位于所述第二板状结构相对的两侧并沿所述第一方向延伸的至少两个第二凸台,所述第一壳体与所述第二壳体通过所述至少两个第一凸台和所述至少两个第二凸台配合连接形成所述第一腔体,所述第一腔体的上壁由所述第一板状结构形成并包含两层上壁屏蔽层和位于所述两层上壁屏蔽层之间的上壁绝缘层,所述第一腔体的下壁由所述第二板状结构形成并包含两层下壁屏蔽层和位于所述两层下壁屏蔽层之间的下壁绝缘层,所述第一腔体的两个侧壁位于所述上壁和所述下壁之间并分别由对应配合连接的所述第一凸台和所述第二凸台形成,每一个所述侧壁由内向外包含一第一侧壁屏蔽层、一第一侧壁绝缘层、一第一侧壁气隙层、一第二侧壁绝缘层和一第二侧壁屏蔽层,并分别对应形成所述第一结构的所述第一屏蔽层、所述第一绝缘层、所述第一气隙层、所述第二绝缘层和所述第二屏蔽层;其中,所述两层上壁屏蔽层中位于内侧的内侧上壁屏蔽层、所述两层下壁屏蔽层中位于内侧的内侧下壁屏蔽层、以及所述第一侧壁屏蔽层对应形成所述内侧屏蔽层;其中,所述两层上壁屏蔽层中位于外侧的外侧上壁屏蔽层、所述两层下壁屏蔽层中位于外侧的外侧下壁屏蔽层、以及所述第二侧壁屏蔽层对应形成所述外侧屏蔽层。

4、在本发明的一实施例中,所述至少两个第一凸台和所述至少两个第二凸台配合连接处形成至少一凸台界面平齐结构;其中,所述第一壳体的所述两侧中的每一侧或一侧包含两个第一凸台,所述第二壳体的所述两侧中的每一侧或一侧包含两个第二凸台,每一侧或一侧上的所述两个第一凸台和所述两个第二凸台拼接形成两个凸台界面,所述两个凸台界面位于同一高度并位于所述第一侧壁气隙层的顶面和底面之间。

5、在本发明的一实施例中,所述两个凸台界面是居中地位于所述第一侧壁气隙层的所述顶面和所述底面的正中间平面上。

6、在本发明的一实施例中,所述至少两个第一凸台和所述至少两个第二凸台配合连接处形成至少一凸台界面错位结构;其中,

7、所述第一壳体的所述两侧中的每一侧或一侧包含一个第一凸台,所述第二壳体的所述两侧中的每一侧或一侧包含一个第二凸台,所述第一凸台的端部与所述第二壳体的所述第二板状结构拼接形成第一凸台界面,所述第二凸台的端部与所述第一壳体的所述第一板状结构拼接形成第二凸台界面,所述第一凸台界面和所述第二凸台界面不在同一高度;或者,

8、所述第一壳体的所述两侧中的每一侧或一侧包含一个第一凸台,所述第二壳体的所述两侧中的每一侧或一侧包含两个第二凸台,所述两个第二凸台中一者的端部与所述第一凸台的端部拼接形成第一凸台界面,所述两个第二凸台中另一者的端部与所述第一壳体的所述第一板状结构拼接形成第二凸台界面,所述第一凸台界面和所述第二凸台界面不在同一高度;或者,

9、所述第一壳体的所述两侧中的每一侧或一侧包含两个第一凸台,所述第二壳体的所述两侧中的每一侧或一侧包含一个第二凸台,所述两个第一凸台中一者的端部与所述第二凸台的端部拼接形成第一凸台界面,所述两个第一凸台中另一者的端部与所述第二壳体的所述第二板状结构拼接形成第二凸台界面,所述第一凸台界面和所述第二凸台界面不在同一高度;或者,

10、所述第一壳体的所述两侧中的每一侧或一侧包含两个第一凸台,所述第二壳体的所述两侧中的每一侧或一侧包含两个第二凸台,所述两个第一凸台的端部与所述两个第二凸台的端部对应拼接并分别形成两个凸台界面,所述两个凸台界面不在同一高度。

11、在本发明的一实施例中,所述至少两个第一凸台和所述至少两个第二凸台配合连接处形成至少一凸台包覆结构;其中,

12、所述第一壳体的所述两侧中的每一侧或一侧包含两个第一凸台,所述第二壳体的所述两侧中的每一侧或一侧包含两个第二凸台,所述两个第一凸台中位于内侧的内侧第一凸台的端部与所述两个第二凸台中位于内侧的内侧第二凸台的端部拼接,所述两个第二凸台中位于外侧的外侧第二凸台的端部与所述第一壳体的所述第一板状结构拼接,所述两个第一凸台中位于外侧的外侧第一凸台包覆于所述第二壳体的所述外侧第二凸台之外;或者,

13、所述第一壳体的所述两侧中的每一侧或一侧包含两个第一凸台,所述第二壳体的所述两侧中的每一侧或一侧包含一个第二凸台,所述第二凸台的端部与所述第一壳体的所述第一板状结构拼接,所述两个第一凸台中位于内侧的内侧第一凸台的端部与所述第二壳体的所述第二板状结构拼接,所述两个第一凸台中位于外侧的外侧第一凸台包覆于所述第二壳体的所述第二凸台之外;或者,

14、所述第一壳体的所述两侧中的每一侧或一侧包含两个第一凸台,所述第二壳体的所述两侧中的每一侧或一侧包含两个第二凸台,所述两个第一凸台中位于内侧的内侧第一凸台的端部与所述两个第二凸台中位于内侧的内侧第二凸台的端部拼接,所述两个第一凸台中位于外侧的外侧第一凸台的端部与所述第二壳体的所述第二板状结构拼接,所述两个第二凸台中位于外侧的外侧第二凸台包覆于所述第一壳体的所述外侧第一凸台之外;或者,

15、所述第一壳体的所述两侧中的每一侧或一侧包含一个第一凸台,所述第二壳体的所述两侧中的每一侧或一侧包含两个第二凸台,所述两个第二凸台中位于内侧的内侧第二凸台的端部与所述第一壳体的所述第一板状结构拼接,所述第一凸台的端部与所述第二壳体的所述第二板状结构拼接,所述两个第二凸台中位于外侧的外侧第二凸台包覆于所述第一壳体的所述第一凸台之外。

16、在本发明的一实施例中,所述第一腔体的每一个所述侧壁均包含至少一个所述第一凸台和至少一个所述第二凸台,其中所述第一凸台和所述第二凸台中位于最内侧的凸台为最内侧凸台;其中,所述第一侧壁屏蔽层是位于所述最内侧凸台的内表面上;或者所述第一侧壁屏蔽层是位于所述最内侧凸台的内部。

17、在本发明的一实施例中,其中,在所述第一侧壁气隙层中还设置有一独立绝缘层;或者,当所述第一侧壁屏蔽层位于所述最内侧凸台的内部时,在所述最内侧凸台与容置于所述第一腔体的一高压模块之间设置一独立绝缘层。

18、在本发明的一实施例中,其中,所述内侧上壁屏蔽层的内侧表面上还形成有另一上壁绝缘层;和/或,所述内侧下壁屏蔽层的内侧表面上还形成有另一下壁绝缘层。

19、在本发明的一实施例中,所述第二壳体的所述第二板状结构的至少部分板状结构的上侧和/或下侧形成凹陷部分用以设置一变压器的初级磁芯和次级磁芯,且对应于所述凹陷部分的所述两层下壁屏蔽层为半导电层。

20、在本发明的一实施例中,在所述第一腔体的所述下壁的下侧还设置有至少两个第三凸台,所述至少两个第三凸台和所述第一腔体的下壁形成第二腔体;所述第一腔体用于容置高压模块,所述第二腔体用于容置低压模块。

21、在本发明的一实施例中,所述屏蔽式绝缘壳体还包括高压屏蔽层和低压屏蔽层,所述高压屏蔽层的位置包括与所述高压模块相紧邻的所有表面,所述低压屏蔽层的位置包括与所述低压模块相紧邻的所有表面。

22、在本发明的一实施例中,所述两层上壁屏蔽层、所述两层下壁屏蔽层、所述第一侧壁屏蔽层、和所述第二侧壁屏蔽层的屏蔽层材料为金属材料或半导电材料,且其表面电阻不大于500kohm;和/或,所述两层上壁屏蔽层、所述两层下壁屏蔽层、所述第一侧壁屏蔽层、和所述第二侧壁屏蔽层的屏蔽层包括喷锌层、钣金层或半导电层;和/或,所述两层上壁屏蔽层、所述两层下壁屏蔽层、所述第一侧壁屏蔽层、和所述第二侧壁屏蔽层的屏蔽层为带孔板状结构或无孔板状结构。

23、在本发明的一实施例中,所述上壁绝缘层、所述下壁绝缘层、所述第一侧壁绝缘层和所述第二侧壁绝缘层的绝缘材料为环氧树脂、聚氨酯或硅橡胶;和/或,所述第一侧壁气隙层中的介质为空气、六氟化硫气体或绝缘油;和/或,所述屏蔽式绝缘壳体为可拆装式结构,所述第一壳体与所述第二壳体通过可拆卸连接件连接组装。

24、在本发明的一实施例中,所述第一侧壁气隙层的顶面为所述第一壳体的一部分,所述第一侧壁气隙层的底面为所述第二壳体的一部分。

25、在本发明的一实施例中,所述第一壳体还包括至少一个第一中间凸台,位于所述至少两个第一凸台之间;和/或,所述第二壳体还包括至少一个第二中间凸台,位于所述至少两个第二凸台之间;其中,所述至少一个第一中间凸台和/或所述至少一个第二中间凸台形成至少一个第一中间隔离部分,所述至少一个第一中间隔离部分将所述第一腔体分隔成至少两个第一子腔体。

26、在本发明的一实施例中,所述至少一个第一中间隔离部分包括第一隔离结构,其由一个所述第一中间凸台和一个所述第二中间凸台相对设置形成,形成所述第一隔离结构的所述第一中间凸台和所述第二中间凸台相互接触或彼此分离;和/或,所述至少一个第一中间隔离部分包括第二隔离结构,其为中间凸台界面平齐结构、中间凸台界面错位结构和中间凸台包覆结构中的任意一种或几种的组合,其中:

27、对于所述中间凸台界面平齐结构,其由两个所述第一中间凸台和两个所述第二中间凸台对应相对设置形成两个中间凸台界面,且所述两个中间凸台界面位于同一高度;

28、对于所述中间凸台界面错位结构,其中,

29、所述中间凸台界面错位结构由一个所述第一中间凸台和一个所述第二中间凸台形成,其中该一个所述第一中间凸台的端部与所述第二壳体的所述第二板状结构对应形成第一中间凸台界面,该一个所述第二中间凸台的端部与所述第一壳体的所述第一板状结构对应形成第二中间凸台界面,所述第一中间凸台界面和所述第二中间凸台界面不在同一高度;或者,

30、所述中间凸台界面错位结构由一个所述第一中间凸台和两个所述第二中间凸台形成,其中该两个所述第二中间凸台中一者的端部与该一个所述第一中间凸台的端部对应形成第一中间凸台界面,该两个所述第二中间凸台中另一者的端部与所述第一壳体的所述第一板状结构对应形成第二中间凸台界面,所述第一中间凸台界面和所述第二中间凸台界面不在同一高度;或者,

31、所述中间凸台界面错位结构由两个所述第一中间凸台和一个所述第二中间凸台形成,该两个所述第一中间凸台中一者的端部与该一个所述第二中间凸台的端部对应形成第一中间凸台界面,该两个所述第一中间凸台中另一者的端部与所述第二壳体的所述第二板状结构对应形成第二中间凸台界面,所述第一中间凸台界面和所述第二中间凸台界面不在同一高度;或者,

32、所述中间凸台界面错位结构由两个所述第一中间凸台和两个所述第二中间凸台形成,该两个所述第一中间凸台的端部与该两个所述第二中间凸台的端部分别对应形成两个中间凸台界面,所述两个中间凸台界面不在同一高度;

33、对于所述中间凸台包覆结构,其中:

34、所述中间凸台包覆结构由两个所述第一中间凸台和两个所述第二中间凸台形成,该两个所述第一中间凸台中位于内侧的内侧第一中间凸台的端部与该两个所述第二中间凸台中位于内侧的内侧第二中间凸台的端部对应,该两个所述第二中间凸台中位于外侧的外侧第二中间凸台的端部与所述第一壳体的所述第一板状结构对应,该两个所述第一中间凸台中位于外侧的外侧第一中间凸台包覆于所述外侧第二中间凸台之外;或者,

35、所述中间凸台包覆结构由两个所述第一中间凸台和一个所述第二中间凸台形成,该一个所述第二中间凸台的端部与所述第一壳体的所述第一板状结构对应,该两个所述第一中间凸台中位于内侧的内侧第一中间凸台的端部与所述第二壳体的所述第二板状结构对应,该两个所述第一中间凸台中位于外侧的外侧第一中间凸台包覆于该一个所述第二中间凸台之外;或者,

36、所述中间凸台包覆结构由两个所述第一中间凸台和两个所述第二中间凸台形成,该两个所述第一中间凸台中位于内侧的内侧第一中间凸台的端部与该两个所述第二中间凸台中位于内侧的内侧第二中间凸台的端部对应,该两个所述第一中间凸台中位于外侧的外侧第一中间凸台的端部与所述第二壳体的所述第二板状结构对应,该两个所述第二中间凸台中位于外侧的外侧第二中间凸台包覆于所述外侧第一中间凸台之外;或者,

37、所述中间凸台包覆结构由一个所述第一中间凸台和两个所述第二中间凸台形成,该两个所述第二中间凸台中位于内侧的内侧第二中间凸台的端部与所述第一壳体的所述第一板状结构对应,该一个所述第一中间凸台的端部与所述第二壳体的所述第二板状结构对应,该两个所述第二中间凸台中位于外侧的外侧第二中间凸台包覆于该一个所述第一中间凸台之外。

38、在本发明的一实施例中,所述至少一个第一中间隔离部分均为所述第一隔离结构,所述第一腔体通过所述第一隔离结构被分隔成多个所述第一子腔体;和/或,所述至少一个第一中间隔离部分均为所述第二隔离结构,所述第一腔体通过所述第二隔离结构被分隔成多个所述第一子腔体;和/或,所述至少一个第一中间隔离部分包括所述第一隔离结构以及所述第二隔离结构,所述第一腔体通过所述第一隔离结构以及所述第二隔离结构被分隔成多个所述第一子腔体,其中至少两个相邻的所述第一子腔体组成一个相的相腔体,不同相的所述相腔体之间通过所述第二隔离结构隔离。

39、在本发明的一实施例中,在所述第一腔体的所述下壁的下侧还设置有至少一个第三中间凸台,将所述第二腔体分隔成至少两个第二子腔体。

40、在本发明的一实施例中,所述壳体本体包括一第一壳体以及一隔板;所述第一壳体包含一个下壁、以及分别位于所述下壁相对的两侧并沿第一方向延伸的两个侧壁,所述两个侧壁上分别沿第二方向朝向内侧延伸形成一个凸起结构,所述隔板与所述凸起结构配合安装形成所述第一结构,并与所述第一壳体共同形成所述第一腔体。

41、在本发明的一实施例中,所述第一壳体还包含与所述下壁相对的上壁,所述隔板与所述凸起结构配合安装并将所述第一壳体的一内部空间分隔形成所述第一腔体和一第二腔体;其中,所述第一壳体为一体成型。

42、在本发明的一实施例中,所述壳体本体还包括一第二壳体,所述第二壳体包含一个上壁、以及分别位于所述上壁相对的两侧并沿第一方向延伸的两个侧壁,所述第一壳体与所述第二壳体可分离地配合连接,所述第一壳体的所述两个侧壁与所述第二壳体的所述两个侧壁在所述第一方向上相对配合连接并形成一内部空间;所述隔板将所述内部空间分隔形成所述第一腔体和一第二腔体;其中,所述第一壳体为一体成型,所述第二壳体为一体成型。

43、在本发明的一实施例中,所述隔板上还形成有凹陷部分;和/或,所述第一壳体和所述隔板为绝缘材料制成。

44、在本发明的一实施例中,其中,所述凸起结构为u形槽结构,每一个所述u形槽结构包含相对的两个槽壁以及位于所述两个槽壁之间的槽;所述隔板通过其两个端部插入安装于所述u形槽结构的所述槽之中,且所述隔板的所述两个端部的插入部分不具有屏蔽层;其中,所述第一壳体的所述两个侧壁具有靠近所述第一腔体的第一侧壁屏蔽层和远离所述第一腔体的第二侧壁屏蔽层,所述第一壳体的所述下壁具有靠近所述第一腔体的内侧下壁屏蔽层和远离所述第一腔体的外侧下壁屏蔽层,每一个所述u形槽结构的所述两个槽壁中对应位于所述第一腔体的内侧的第一槽壁具有靠近所述第一腔体的第一槽壁屏蔽层,每一个所述u形槽结构的所述两个槽壁中对应位于所述第一腔体的外侧的第二槽壁具有远离所述第一腔体的第二槽壁屏蔽层,所述隔板具有靠近所述第一腔体的第一隔板屏蔽层和远离所述第一腔体的第二隔板屏蔽层;其中,所述第一槽壁屏蔽层、所述u形槽结构的所述第一槽壁、被插入后的所述u形槽结构的所述槽中剩余的间隙部分、所述u形槽结构的所述第二槽壁、以及所述第二槽壁屏蔽层分别对应形成所述第一结构的所述第一屏蔽层、所述第一绝缘层、所述第一气隙层、所述第二绝缘层和所述第二屏蔽层;其中,所述第一槽壁屏蔽层、所述第一隔板屏蔽层、所述第一侧壁屏蔽层、以及所述内侧下壁屏蔽层对应形成所述内侧屏蔽层,形成所述内侧屏蔽层的多个屏蔽层中相邻的两个屏蔽层之间是直接连接在一起,或者通过导电胶带或金属板连接在一起;其中,所述第二槽壁屏蔽层、所述第二隔板屏蔽层、所述第二侧壁屏蔽层、以及所述外侧下壁屏蔽层对应形成所述外侧屏蔽层。

45、在本发明的一实施例中,所述第一侧壁屏蔽层是设置于所述第一壳体的所述两个侧壁对应于所述第一腔体的内表面上;所述第二侧壁屏蔽层是设置于所述第一壳体的所述两个侧壁对应于所述第一腔体的外表面上;所述内侧下壁屏蔽层是设置于所述第一壳体的所述下壁对应于所述第一腔体的内表面上;所述外侧下壁屏蔽层是设置于所述第一壳体的所述下壁对应于所述第一腔体的外表面上;所述第一槽壁屏蔽层是设置于每一个所述u形槽结构的所述第一槽壁的外表面上;所述第二槽壁屏蔽层是设置于每一个所述u形槽结构的所述第二槽壁的外表面上;所述第一隔板屏蔽层是设置于所述隔板对应位于所述第一腔体的内侧的内表面上;所述第二隔板屏蔽层是设置于所述隔板对应位于所述第一腔体的外侧的外表面上。

46、在本发明的一实施例中,其中,所述凸起结构为i形板,所述隔板通过其两个端部搭接安装于所述i形板之上,所述隔板与所述i形板配合安装后形成有一间隙;其中,所述第一壳体的所述两个侧壁具有靠近所述第一腔体的第一侧壁屏蔽层和远离所述第一腔体的第二侧壁屏蔽层,所述第一壳体的所述下壁具有靠近所述第一腔体的内侧下壁屏蔽层和远离所述第一腔体的外侧下壁屏蔽层,每一个所述i形板具有靠近所述第一腔体的第一i形板屏蔽层,所述隔板具有靠近所述第一腔体的第一隔板屏蔽层和远离所述第一腔体的第二隔板屏蔽层;其中,所述第一i形板屏蔽层、所述i形板、所述隔板与所述i形板配合安装后形成的所述间隙、所述隔板与所述i形板配合安装的安装部分、以及所述第二隔板屏蔽层与所述安装部分相对应的部分屏蔽层分别对应形成所述第一结构的所述第一屏蔽层、所述第一绝缘层、所述第一气隙层、所述第二绝缘层和所述第二屏蔽层;其中,所述第一i形板屏蔽层、所述第一隔板屏蔽层、所述第一侧壁屏蔽层、以及所述内侧下壁屏蔽层对应形成至少部分的所述内侧屏蔽层,形成所述内侧屏蔽层的多个屏蔽层中相邻的两个屏蔽层之间是直接连接在一起,或者通过导电胶带或金属板连接在一起;其中,所述第二隔板屏蔽层、所述第二侧壁屏蔽层、以及所述外侧下壁屏蔽层对应形成所述外侧屏蔽层。

47、在本发明的一实施例中,其中,所述凸起结构为i形板,所述隔板通过其两个端部搭接安装于所述i形板之下,所述隔板与所述i形板配合安装后形成有一间隙;其中,所述第一壳体的所述两个侧壁具有靠近所述第一腔体的第一侧壁屏蔽层和远离所述第一腔体的第二侧壁屏蔽层,所述第一壳体的所述下壁具有靠近所述第一腔体的内侧下壁屏蔽层和远离所述第一腔体的外侧下壁屏蔽层,每一个所述i形板具有远离所述第一腔体的第二i形板屏蔽层,所述隔板具有靠近所述第一腔体的第一隔板屏蔽层和远离所述第一腔体的第二隔板屏蔽层;其中,所述第一隔板屏蔽层与所述i形板相对应的部分屏蔽层、所述隔板与所述i形板配合安装的安装部分、所述隔板与所述i形板配合安装后形成的所述间隙、所述i形板、以及所述第二i形板屏蔽层分别对应形成所述第一结构的所述第一屏蔽层、所述第一绝缘层、所述第一气隙层、所述第二绝缘层和所述第二屏蔽层;其中,所述第一隔板屏蔽层、所述第一侧壁屏蔽层、以及所述内侧下壁屏蔽层对应形成至少部分的所述内侧屏蔽层,形成所述内侧屏蔽层的多个屏蔽层中相邻的两个屏蔽层之间是直接连接在一起,或者通过导电胶带或金属板连接在一起;其中,所述第二i形板屏蔽层、所述第二隔板屏蔽层、所述第二侧壁屏蔽层、以及所述外侧下壁屏蔽层对应形成所述外侧屏蔽层。

48、为了实现上述目的,本发明又提供一种电子装置,其包括:如上所述的屏蔽式绝缘壳体;和高压模块,容置于所述屏蔽式绝缘壳体的第一腔体中。

49、在本发明的一实施例中,所述电子装置还包括:低压模块,容置于如上所述的屏蔽式绝缘壳体的第二腔体中,或者容置于如上所述的屏蔽式绝缘壳体的第二子腔体中。

50、在本发明的一实施例中,所述电子装置还包括:变压器,所述变压器的初级磁芯和次级磁芯分别设置于如上所述的屏蔽式绝缘壳体的第二壳体的第二板状结构的至少部分板状结构的两侧所形成的凹陷部分上,或者所述变压器的初级磁芯和次级磁芯分别设置于如上所述的屏蔽式绝缘壳体的隔板的两侧所形成的凹陷部分上。

51、在本发明的一实施例中,所述屏蔽式绝缘壳体的第一壳体还包括至少一个第一中间凸台,位于至少两个第一凸台之间;所述屏蔽式绝缘壳体的第二壳体还包括至少一个第二中间凸台,位于所述至少两个第二凸台之间;其中,所述至少一个第一中间凸台和/或所述至少一个第二中间凸台形成第一中间隔离部分,所述第一中间隔离部分将所述第一腔体分隔成至少两个第一子腔体,每个所述第一子腔体中放置至少一个所述高压模块;至少一个所述第二腔体中放置至少一个所述低压模块。

52、在本发明的一实施例中,多个所述高压模块级联,并电性连接至单相电。

53、在本发明的一实施例中,第一组中的两个所述高压模块电性连接三相电的a相,第二组中的两个所述高压模块电性连接所述三相电的b相,第三组中的两个所述高压模块电性连接所述三相电的c相。

54、在本发明的一实施例中,所述第一组中的两个所述高压模块、所述第二组中的两个所述高压模块、以及第三组中的两个所述高压模块在横向上从左至右依序布置;或者,所述第一组中的两个所述高压模块、所述第二组中的两个所述高压模块、以及第三组中的两个所述高压模块在纵向上从上至下依序布置。

55、本发明的优势在于:(1)通过第一壳体和第二壳体自身构成的气隙,便足以构造爬电距离,使得壳体组件数量少,结构简单;(2)气隙位于两个屏蔽层(例如高、低压屏蔽层)之间,增加了高、低压屏蔽层的间距,降低了高压屏蔽层边缘附近空气中的电场应力,改善了绝缘壳体的局放水平,提高了壳体电气性能良率;(3)通过设置独立绝缘层,可进一步增加电气间隙距离和爬电距离,进而降低发生绝缘失效的概率。

56、本发明的额外方面和优点将部分地在下面的描述中阐述,并且部分地将从描述中变得显然,或者可以通过本发明的实践而习得。

当前第1页1 2 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1