半导体存储器装置以及制造该半导体存储器装置的方法与流程

本公开的各种实施方式涉及一种电子装置，更具体地，涉及一种具有垂直沟道结构的半导体存储器装置以及制造该半导体存储器装置的方法。

背景技术：

1、使用半导体存储器装置的数据存储装置的优点在于，由于没有机械驱动部分，所以稳定性和耐久性优异，信息存取速度高，并且功耗低。作为具有这些优点的存储系统的示例，数据存储装置包括通用串行总线(usb)存储器装置、具有各种接口的存储卡、固态驱动器(ssd)等。

2、半导体存储器装置包括能够存储数据的存储器单元。为了提高存储器单元的集成度，已经提出了三维(3d)半导体存储器装置

3、3d半导体存储器装置可以包括以三维布置的存储器单元。3d半导体存储器装置的集成度可随着存储器单元的堆叠的数量增加而提高。随着存储器单元的堆叠地数量增加，需要能够提高3d半导体存储器装置的结构稳定性的技术。

技术实现思路

1、本公开的一个实施方式可以提供一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置可以包括：第一虚设堆叠体和第二虚设堆叠体，所述第一虚设堆叠体和所述第二虚设堆叠体形成在基板的连接区域中，所述基板包括单元阵列区域和所述连接区域；单元堆叠体，所述单元堆叠体被设置在所述单元阵列区域和所述连接区域中，并且被配置为围绕所述第一虚设堆叠体和所述第二虚设堆叠体；以及第一垂直屏障和第二垂直屏障，所述第一垂直屏障设置在所述单元堆叠体与所述第一虚设堆叠体之间的边界处，并且所述第二垂直屏障设置在所述单元堆叠体与所述第二虚设堆叠体之间的边界处，其中，所述单元堆叠体包括第一延伸部和第二延伸部以及连接件，第一延伸部和第二延伸部被设置为在所述连接区域中以大致线性的形状延伸，并且连接件被配置为将第一延伸部和第二延伸部彼此连接。

2、本公开的一个实施方式可以提供一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置可以包括：单元堆叠体，所述单元堆叠体包括第一延伸部和第二延伸部，第一延伸部和第二延伸部在基板的连接区域中以大致线性的形状大致平行地延伸；第一垂直屏障和第二垂直屏障，第一垂直屏障和第二垂直屏障在所述第一延伸部和所述第二延伸部之间彼此相邻设置，并且被配置为具有大致为矩形框的形状；第一虚设堆叠体和第二虚设堆叠体，所述第一虚设堆叠体被设置为接触所述第一垂直屏障的内壁，并且所述第二虚设堆叠体被设置为接触所述第二垂直屏障的内壁；以及连接件，所述连接件被设置在所述第一垂直屏障和所述第二垂直屏障之间的空间中，并且被配置为将所述第一延伸部和所述第二延伸部彼此连接。

3、本公开的一个实施方式可以提供一种制造半导体存储器装置的方法。所述方法可以包括以下步骤：通过在其上形成有源极层的基板上堆叠多个层间绝缘层和多个牺牲层来形成堆叠体，形成第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽被配置为穿过所述堆叠体并且具有大致为矩形框的形状，通过用填充材料填充第一沟槽和第二沟槽来形成第一垂直屏障和第二垂直屏障，通过形成穿过所述堆叠体的狭缝来使所述多个牺牲层的侧壁暴露，并且通过去除暴露的所述多个牺牲层来形成栅极区，并且通过用导电材料填充所述栅极区来形成用于字线的导电图案。

技术特征：

1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一垂直屏障和所述第二垂直屏障被设置在所述连接区域中并且彼此间隔开。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述第一垂直屏障和所述第二垂直屏障中的每一个具有矩形框的形状。

4.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述连接件被设置在所述第一垂直屏障和所述第二垂直屏障之间的空间中。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一垂直屏障包括：

6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，所述第一垂直屏障还包括：

7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述单元堆叠体包括：

8.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中，在所述连接区域中，所述多个导电图案中的每一个具有h形形状。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：

10.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：

11.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：

12.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述第一延伸部和所述第二延伸部中的每一个包括交替堆叠的多个层间绝缘层和多个导电图案。

13.根据权利要求12所述的半导体存储器装置，其中，所述连接件将所述第一延伸部的所述多个导电图案电连接至所述第二延伸部的所述多个导电图案。

14.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：

15.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述第一垂直屏障包括：

16.根据权利要求15所述的半导体存储器装置，其中，所述第一垂直屏障还包括：

17.一种制造半导体存储器装置的方法，所述方法包括以下步骤：

18.根据权利要求17所述的方法，其中，在通过去除暴露的所述多个牺牲层来形成所述栅极区的步骤中，形成在所述第一垂直屏障和所述第二垂直屏障中的所述堆叠体通过所述第一垂直屏障和所述第二垂直屏障而不被暴露。

19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述用于字线的导电图案沿着所述第一垂直屏障和所述第二垂直屏障的外壁形成，并且被形成为具有h形形状。

20.根据权利要求19所述的方法，其中，形成所述堆叠体的步骤包括以下步骤：

技术总结
本文提供一种半导体存储器装置以及制造该半导体存储器装置的方法。半导体存储器装置包括：第一虚设堆叠体和第二虚设堆叠体，第一虚设堆叠体和第二虚设堆叠体形成在包括单元阵列区域和连接区域的基板的连接区域中；单元堆叠体，其设置在单元阵列区域和连接区域中，并且被配置为围绕第一虚设堆叠体和第二虚设堆叠体；以及第一垂直屏障和第二垂直屏障，第一垂直屏障设置在单元堆叠体与第一虚设堆叠体之间的边界处，并且第二垂直屏障设置在单元堆叠体与第二虚设堆叠体之间的边界处。单元堆叠体包括被设置为在连接区域中以大致线性的形状延伸的第一延伸部和第二延伸部以及被配置连接第一延伸部和第二延伸部的连接件。

技术研发人员：金贤燮
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/4