显示装置的制造方法及蒸镀装置与流程

文档序号:35909873发布日期:2023-10-29 11:01阅读:34来源:国知局
显示装置的制造方法及蒸镀装置与流程

本发明的实施方式涉及显示装置的制造方法及蒸镀装置。


背景技术:

1、近年来,应用有机发光二极管(oled)作为显示元件的显示装置被实用化。该显示元件包括:包含薄膜晶体管的像素电路;与像素电路连接的下电极;覆盖下电极的有机层;和覆盖有机层的上电极。有机层除了发光层以外还包含空穴输送层、电子输送层等功能层。

2、在制造这种显示元件的过程中,需要抑制可靠性降低的技术。


技术实现思路

1、实施方式的目的在于提供能够抑制可靠性降低的显示装置的制造方法及蒸镀装置。

2、根据一个实施方式,显示装置的制造方法中包括:

3、准备处理基板,该处理基板中在基板的上方形成下电极、形成具有与所述下电极重叠的开口的肋部、并形成隔壁,该隔壁包含位于所述肋部之上的下部、及位于所述下部之上并从所述下部的侧面突出的上部;在所述开口中且在所述下电极之上形成有机层;和在所述有机层之上形成蚀刻阻止层,在形成所述蚀刻阻止层的工序中,在第1模式中,蒸镀源相对于所述处理基板的法线倾斜,一边使所述蒸镀源与所述处理基板的相对位置变化,一边对从所述蒸镀源放射出的材料进行蒸镀,在第2模式中,所述蒸镀源以与所述第1模式不同的方式相对于所述处理基板的法线倾斜,一边使所述蒸镀源与所述处理基板的相对位置与所述第1模式相反地变化,一边对从所述蒸镀源放射出的所述材料进行蒸镀。

4、根据一个实施方式,蒸镀装置具备:

5、具有搬入口及搬出口的腔室;收容于所述腔室的蒸镀源;和使搬送至所述腔室的处理基板与所述蒸镀源的相对位置进行变化的机构,所述蒸镀装置构成为,在第1模式中,所述蒸镀源相对于所述处理基板的法线倾斜,所述机构一边使所述蒸镀源与所述处理基板的相对位置进行变化,一边将从所述蒸镀源放射出的材料蒸镀于所述处理基板,在第2模式中,所述蒸镀源以与所述第1模式不同的方式相对于所述处理基板的法线倾斜,所述机构一边使所述蒸镀源与所述处理基板的相对位置以与所述第1模式相反的方式进行变化,一边将从所述蒸镀源放射出的所述材料蒸镀于所述处理基板。

6、根据一个实施方式,能够提供能够抑制可靠性降低的显示装置的制造方法及蒸镀装置。



技术特征:

1.显示装置的制造方法,其包括:

2.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法,其中,所述处理基板在所述第1模式中被向从腔室的搬入口朝向搬出口的正方向搬送,在所述第2模式中被向从所述搬出口朝向所述搬入口的反方向搬送,

3.根据权利要求2所述的显示装置的制造方法,其中,在形成所述蚀刻阻止层的工序中,

4.根据权利要求3所述的显示装置的制造方法,其中,形成所述蚀刻阻止层时的所述处理基板的搬送速度为形成所述有机层时的所述处理基板的搬送速度的3倍以上。

5.根据权利要求4所述的显示装置的制造方法,其中,所述第1模式中的所述处理基板的搬送速度比所述第2模式中的所述处理基板的搬送速度快。

6.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法,其中,在所述有机层之上形成上电极作为所述蚀刻阻止层。

7.根据权利要求6所述的显示装置的制造方法,其中,进一步在所述蚀刻阻止层之上形成盖层,

8.根据权利要求7所述的显示装置的制造方法,其中,所述肋部及所述密封层由硅氮化物形成。

9.根据权利要求8所述的显示装置的制造方法,其中,所述上电极由镁和银的合金形成。

10.蒸镀装置,其具备:

11.根据权利要求10所述的蒸镀装置,其中,作为所述机构具备下述搬送机构:在所述第1模式中将所述处理基板向从所述搬入口朝向所述搬出口的正方向搬送,在所述第2模式中将所述处理基板向从所述搬出口朝向所述搬入口的反方向搬送,

12.根据权利要求11所述的蒸镀装置,其是以下述方式构成的:

13.根据权利要求12所述的蒸镀装置,其中,所述搬送机构搬送所述处理基板的搬送速度为在搬入所述腔室前或从所述腔室搬出后的搬送所述处理基板的搬送速度的3倍以上。

14.根据权利要求13所述的蒸镀装置,其中,所述第1模式中的所述处理基板的搬送速度比所述第2模式中的所述处理基板的搬送速度快。

15.根据权利要求10所述的蒸镀装置,其中,从所述蒸镀源放射出的所述材料为镁和银的混合物。


技术总结
本发明涉及显示装置的制造方法及蒸镀装置。根据一个实施方式,包括:准备处理基板,其中在基板的上方形成下电极、形成具有与下电极重叠的开口的肋部、并形成隔壁,该隔壁包含位于肋部之上的下部、及位于下部之上并从下部的侧面突出的上部;在开口中且在下电极之上形成有机层;和在有机层之上形成蚀刻阻止层,在形成蚀刻阻止层的工序中,在第1模式中,蒸镀源相对于处理基板的法线倾斜,一边使蒸镀源与处理基板的相对位置变化,一边对从蒸镀源放射出的材料进行蒸镀,在第2模式中,蒸镀源以与第1模式不同的方式相对于处理基板的法线倾斜,一边使蒸镀源与处理基板的相对位置与第1模式相反地变化,一边对从蒸镀源放射出的材料进行蒸镀。

技术研发人员:水越宽文,福田加一,竹中贵史,高山健
受保护的技术使用者:株式会社日本显示器
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
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