显示面板、显示装置和显示面板的制造方法与流程

本技术涉及显示面板、显示装置和显示面板的制造方法。

背景技术：

1、有机el(electro luminescence(电致发光))显示面板是现有的用于显示装置的显示面板(参照专利文献1、2等)，有机el显示面板具有以矩阵状配置的多个像素。有机el显示面板的每一个像素包括有机el元件，该有机el元件是自发光型发光元件。有机el显示面板需要从配置在显示部外侧的供电端向配置在显示部的像素的阴极电极等施加电压，以实现大型化、高精度化。在大型高精度化的有机el显示面板之中，位于远离供电端的像素由于阴极电极的电压降变大有时不能进行正常的显示。

2、为了减低这种电压降，在专利文献1、2所记载的发明中，通过设置与供电端连接的辅助电极来减低从供电端到像素的电阻。

3、现有技术文献

4、专利文献1：日本专利第jp2007-103098号公报

5、专利文献2：日本专利第jp2020-9676号公报

6、所要解决的技术问题

7、在专利文献1、2所记载的发明中，辅助电极在与像素电极(有机el元件的阳极电极)同层中配置在像素和像素之间，延伸到供电端。因此，在专利文献1、2所记载的发明中，与不设置这种辅助电极的情况相比，开口率(在显示面板的显示区域中自发光区域所占的面积的比例)降低。

8、对此，在将像素区隔的堤坝内的部分区域形成辅助电极，并且，通过在与包含在画素电路的薄膜晶体管的电极同层形成的导电层经将辅助电极与供电端连接，从而提升显示面板的开口率。此时，在形成贯通孔的位置形成的有机材料层在形成贯通孔时，需要利用激光剥蚀等去除。因此，与在未形成有机材料层的部位形成贯通孔的情况相比，需要提高激光在激光剥蚀中的激光强度。同时，对位于贯通孔底部的辅助电极的损伤变大。并且，贯通孔内可能残留有机材料层等残渣。因此，难以提升贯通孔的工艺的稳定性。

9、本技术是为了解决上述问题而进行的发明，目的在于提供在抑制开口率降低的同时，能够提升形成在辅助电极上的贯通孔的工艺的稳定性的显示面板等。

技术实现思路

1、为了实现上述目的，本技术的一实施方式的显示面板具有：基板、配置在所述基板上方的薄膜晶体管层、配置在所述薄膜晶体管层上方的绝缘膜、配置在所述绝缘膜上方的第一导电层、配置在所述第一导电层上方且含有有机材料的发光层、配置在所述发光层上方的功能层、配置在所述功能层上方的第二导电层，所述绝缘膜具有向上方突出的突起，所述第一导电层具有像素电极和与所述像素电极电性绝缘的辅助电极，所述辅助电极配置在所述突起上方，具有在竖直方向的高度高于所述像素电极的高度的突出部，在所述功能层形成有在所述突出部上方的贯通孔，所述第二导电层经由所述贯通孔连接于所述突出部。

2、为了实现上述目的，本技术的一实施方式的显示装置具有上述显示面板。

3、为了实现上述目的，本技术的一实施方式的显示面板的制造方法包括形成基板、在所述基板上方形成薄膜晶体管层、在所述薄膜晶体管层上方形成绝缘膜、在所述绝缘膜上方形成具有像素电极和与所述像素电极电性绝缘的辅助电极的第一导电层、在所述第一导电层上方形成含有有机材料的发光层、在所述发光层上方形成功能层、在所述功能层形成贯通孔、在所述功能层上方形成经由所述贯通孔与所述辅助电极连接的第二导电层，所述绝缘膜具有向上方突出的突起，所述辅助电极配置在所述突起上方，具有在竖直方向的高度高于所述像素电极的高度的突出部，所述贯通孔形成在所述突出部上方。

4、发明效果

5、根据本技术，提供在抑制开口率降低的同时，能够提升形成在辅助电极上的贯通孔的工艺的稳定性的显示面板等。

6、附图标记说明

7、图1是表示实施方式1的显示装置的结构的示意俯视图。

8、图2是表示实施方式1的具有红色子像素的显示面板的实施例的电路图。

9、图3是表示实施方式1的显示面板的部分的示意俯视图。

10、图4是表示实施方式1的显示面板的部分的第一示意剖面图。

11、图5是表示实施方式1的显示面板的部分的第二示意剖面图。

12、图6是表示实施方式1的显示面板的制造方法的第一工序的示意剖面图。

13、图7是表示实施方式1的显示面板的制造方法的第二工序的示意剖面图。

14、图8是表示实施方式1的显示面板的制造方法的第三工序的示意剖面图。

15、图9是表示实施方式1的显示面板的制造方法的第四工序的示意剖面图。

16、图10是表示实施方式1的显示面板的制造方法的第五工序的示意剖面图。

17、图11是表示实施方式1的显示面板的制造方法的第六工序的第一示意剖面图。

18、图12是表示实施方式1的显示面板的制造方法的第六工序的第二示意剖面图。

19、图13是表示实施方式1的显示面板的制造方法的第七工序的第一示意剖面图。

20、图14是表示实施方式1的显示面板的制造方法的第七工序的第二示意剖面图。

21、图15是表示实施方式1的显示面板的制造方法的第八工序的第一示意剖面图。

22、图16是表示实施方式1的显示面板的制造方法的第八工序的第二示意剖面图。

23、图17是表示实施方式1的显示面板的制造方法的第九工序的第一示意剖面图。

24、图18是表示实施方式1的显示面板的制造方法的第九工序的第二示意剖面图。

25、图19是表示实施方式1的显示面板的制造方法的第十工序的示意剖面图。

26、图20是表示实施方式1的显示面板的制造方法的第十一工序的示意剖面图。

27、图21是表示实施方式1的显示面板的制造方法的第十二工序的示意剖面图。

28、图22是表示实施方式2的显示面板的部分的示意剖面图。

29、图23是表示实施方式2的绝缘膜的形成工序的示意剖面图。

30、附图标记说明

31、1：显示装置

32、10：显示面板

33、11：像素

34、11b：蓝色子像素

35、11g：绿色子像素

36、11r：红色子像素

37、12s：辅助堤坝

38、12x：行堤坝

39、12y：列堤坝

40、17：封装层

41、18：对置基板

42、20：驱动控制电路部

43、21、22、23、24：驱动电路

44、25：控制电路

45、30：基板

46、40：薄膜晶体管层

47、41：下部导电层

48、42、44、46、47、49、50：绝缘膜

49、43：半导体层

50、45：中间导电层

51、48：上部导电层

52、50p：突起

53、51：第一导电层

54、51b、51g、51r、51r1：像素电极

55、51bh、51gh、51rh、51sh：接触孔

56、51s：辅助电极

57、51sp：突出部

58、52：第二导电层

59、52h：贯通孔

60、61：空穴传输层

61、62：发光层

62、63：电子传输层

63、190：曝光掩模

64、190a：阻隔部

65、190b：半透过部

66、190c：透过部

67、c：电容

68、d1、d2：漏极

69、g1、g2：栅极

70、el：有机el元件

71、s1、s2：源极

72、tr1、tr2：晶体管

73、va：电源线

74、vcat：接地线

75、vdat：数据线

76、vscn：扫描线