具有跨导衰减的放大器的制作方法

背景技术：

1、电压调节器是一种产生被调节至目标值(在指定的输出电压纹波水平内)的输出电压的电路。一种类型的电压调节器是“低压差”(ldo)电压调节器，其中误差放大器放大输出电压和参考电压之间的差值以产生误差信号。误差信号耦合到场效应晶体管(fet)的栅极。fet可以是p沟道fet(pfet)。pfet的源极可以耦合到输入电压。通过控制pfet的栅极电压，控制pfet的栅源电压(vgs)以维持通过pfet到负载的电流幅度。如果输出电压增大，则误差信号也增大，从而降低pfet的vgs，这进而降低负载电流，并且输出电压降低。类似地，如果输出电压降低，则误差信号也降低，从而增大pfet的vgs，这进而增加负载电流，并且输出电压增大。

技术实现思路

1、误差放大器包括具有第一误差放大器输入并具有第一电流端子和第二电流端子的第一晶体管、具有第二误差放大器输入并具有第三电流端子和第四电流端子的第二晶体管、耦合在电源电压端子和第一电流端子之间的第一电阻器，以及耦合在电源电压端子和第三电流端子之间的第二电阻器。误差放大器具有耦合到第一电阻器和第二电阻器的第二级电路。第二级电路具有误差放大器输出。第二级电路被配置为使得流过第二级电路的电流比流过第一电阻器或第二电阻器或者第一晶体管或第二晶体管之一的电流少。

技术特征：

1.一种误差放大器，包括：

2.根据权利要求1所述的误差放大器，其中所述第二级电路包括：

3.根据权利要求2所述的误差放大器，进一步包括：

4.根据权利要求2所述的误差放大器，进一步包括衰减器电路，所述衰减器电路包括第一衰减器电路输入、第二衰减器电路输入、第一衰减器电路输出和第二衰减器电路输出，所述第一衰减器电路输入耦合到所述第一电阻器和所述第一电流端子，所述第二衰减器电路输入耦合到所述第二电阻器和所述第三电流端子，所述第一衰减器电路输出耦合到所述第三控制输入，并且所述第二衰减器电路输出耦合到所述第四控制输入。

5.根据权利要求4所述的误差放大器，其中所述衰减器电路包括：

6.根据权利要求4所述的误差放大器，其中所述衰减器电路包括：

7.根据权利要求1所述的误差放大器，进一步包括耦合在所述第二级电路和接地端子之间的共源共栅电路。

8.根据权利要求1所述的误差放大器，其中：

9.一种电压调节器，包括：

10.根据权利要求9所述的电压调节器，其中所述第二级电路包括：

11.根据权利要求10所述的电压调节器，进一步包括：

12.根据权利要求10所述的电压调节器，进一步包括衰减器电路，所述衰减器电路包括第一衰减器电路输入、第二衰减器电路输入、第一衰减器电路输出和第二衰减器电路输出，所述第一衰减器电路输入耦合到所述第一电阻器和所述差分输入晶体管对中的至少一个晶体管，所述第二衰减器电路输入耦合到所述第二电阻器和所述差分输入晶体管对中的至少一个其他晶体管，所述第一衰减器电路输出耦合到所述第二控制输入，并且所述第二衰减器电路输出耦合到所述第三控制输入。

13.根据权利要求12所述的电压调节器，其中所述衰减器电路包括：

14.根据权利要求12所述的电压调节器，其中所述衰减器电路包括：

15.根据权利要求9所述的电压调节器，其中：

16.一种电路，包括：

17.根据权利要求16所述的电路，其中所述第三晶体管和所述第四晶体管被配置为使得流过所述第三晶体管和所述第四晶体管的电流比流过所述第一晶体管和所述第二晶体管的电流少。

18.根据权利要求16所述的电路，进一步包括耦合到所述第一电流端子和所述第三电流端子以及所述第三控制输入和所述第四控制输入的衰减器电路，所述衰减器电路被配置为减小与所述第三晶体管和所述第四晶体管相关联的跨导。

19.根据权利要求18所述的电路，其中所述衰减器电路包括：

20.根据权利要求16所述的电路，进一步包括：

技术总结
本申请公开具有跨导衰减的放大器。误差放大器(310)包括具有第一误差放大器输入并具有第一电流端子和第二电流端子的第一晶体管(Q31)、具有第二误差放大器输入并具有第三电流端子和第四电流端子的第二晶体管(Q32)、耦合在电源电压端子和第一电流端子之间的第一电阻器(RT31)，以及耦合在电源电压端子和第三电流端子之间的第二电阻器(RT32)。误差放大器(310)具有耦合到第一电阻器和第二电阻器的第二级电路(320)。第二级电路(320)具有误差放大器输出。第二级电路(320)被配置为使得流过第二级电路(320)的电流比流过第一电阻器(RT31)或第二电阻器(RT32)或者第一晶体管(Q31)或第二晶体管(Q32)的电流少。

技术研发人员：S·拉伊,R·安卡姆雷迪
受保护的技术使用者：德克萨斯仪器股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/24