滤波器及其制备方法与流程

本申请涉及半导体，特别是涉及一种滤波器及其制备方法。

背景技术：

1、随着无线通信的迅猛发展，无线信号变得越来越拥挤，对工作在射频频段的滤波器提出了集成化、微型化、低功耗、高性能、低成本等新的要求。体声波谐振器由于具有工作频率高、损耗低、温度特性稳定、功率容量大、品质因子高、体积小等优良特性而被广泛地应用于无线通讯领域。

2、然而，常规的体声波谐振器都具有硅衬底，硅衬底具有刚度，导致体声波谐振器的钢性较大，不利于减小声波谐振器的体积、重量，不利于增强体声波谐振器的弯曲度、延展度，在应用于滤波器时，不利于提高滤波器的柔性。现有技术是将刚性硅芯片集成到柔性电路板上，但这严重降低了系统的柔性。

3、因此，如何提高滤波器的柔性，成为本领域亟待解决的问题。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请实施例为解决背景技术中存在的至少一个问题而提供一种滤波器及其制备方法。

2、第一方面，本申请实施例提供了一种滤波器的制备方法，包括：

3、提供衬底；

4、在所述衬底上形成压电谐振结构叠层，所述压电谐振结构叠层包括依次堆叠的第一电极、压电层和第二电极；

5、在所述压电谐振结构叠层的第一表面上形成第一牺牲层，所述第一表面为所述压电谐振结构叠层的远离所述衬底的表面；

6、形成包覆所述第一牺牲层的第一塑封层；

7、去除所述衬底；

8、在所述压电谐振结构叠层的第二表面上形成第二牺牲层，所述第二表面为所述压电谐振结构叠层的经去除所述衬底而暴露的表面；

9、形成包覆所述第二牺牲层的第二支撑层；

10、去除所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，以在所述第一牺牲层和所述第二牺牲层所在的位置处分别形成第一空腔和第二空腔；

11、形成包覆所述第二支撑层的第二塑封层；

12、其中，所述第一塑封层和所述第二塑封层的材料均为柔性材料。

13、可选地，所述第一塑封层和所述第二塑封层的材料均为干膜；或者，所述第一塑封层的材料为环氧树脂模塑料emc，所述第二塑封层的材料为干膜。

14、可选地，所述在所述衬底上形成压电谐振结构叠层后，所述方法还包括：在所述压电谐振结构叠层中形成一端连接所述第二电极、另一端延伸至所述压电谐振结构叠层内部的导电接触槽，所述导电接触槽中的导电材料包括以下至少之一：al、ti、w；

15、所述第一牺牲层覆盖在所述导电接触槽上；

16、所述去除所述第一牺牲层采用干法刻蚀工艺执行。

17、可选地，所述第一牺牲层和/或所述第二牺牲层的材料包括聚酰亚胺。

18、可选地，所述形成包覆所述第一牺牲层的第一塑封层前，所述方法还包括：形成包覆所述第一牺牲层的第一支撑层；

19、所述第一塑封层包覆在所述第一支撑层上；

20、所述第一支撑层和/或所述第二支撑层的材料包括以下至少之一：氮化硅、氧化硅。

21、可选地，所述形成包覆所述第二支撑层的第二塑封层后，所述方法还包括：

22、形成贯穿所述第二塑封层导电通孔，所述导电通孔用于将所述压电谐振结构叠层中的所述第一电极及所述第二电极导电引出。

23、第二方面，本申请实施例提供了一种滤波器，包括：

24、压电谐振结构叠层，所述压电谐振结构叠层包括依次堆叠的第一电极、压电层和第二电极；

25、第一塑封层，位于所述压电谐振结构叠层的第一表面上，所述第一表面为所述压电谐振结构叠层的靠近所述第二电极的表面；

26、第二塑封层，位于所述压电谐振结构叠层的第二表面上，所述第二表面为所述压电谐振结构叠层的靠近所述第一电极的表面；

27、在所述第一塑封层与所述压电谐振结构叠层之间围成有第一空腔；在所述第二塑封层与所述压电谐振结构叠层之间围成有第二空腔；所述第一塑封层和所述第二塑封层的材料均为柔性材料。

28、可选地，所述第一塑封层和所述第二塑封层的材料均为干膜；或者，所述第一塑封层的材料为环氧树脂模塑料emc，所述第二塑封层的材料为干膜。

29、可选地，所述滤波器还包括：位于所述压电谐振结构叠层中且用于将所述第二电极导电引出的导电接触槽，所述导电接触槽中的导电材料包括以下至少之一：al、ti、w。

30、可选地，所述滤波器还包括：

31、第一支撑层，位于所述第一塑封层与所述第一空腔之间；和/或，

32、第二支撑层，位于所述第二塑封层与所述第二空腔之间；

33、所述第一支撑层和/或所述第二支撑层的材料包括以下至少之一：氮化硅、氧化硅。

34、本申请实施例所提供的滤波器及其制备方法具有如下有益效果：通过第一塑封层和第二塑封层完成封装，无需上盖晶圆和高阻硅衬底进行au/au键合封装，在降低生产成本的同时，使滤波器更具有柔性；衬底将被去除，因而无需像现有工艺一样，在形成压电谐振结构叠层之前，先在衬底上形成空腔并在空腔内填充牺牲层，从而不会出现牺牲层与衬底的上表面难以持平的问题，有利于为压电谐振结构叠层的形成提供良好的界面，提高形成质量，降低了平面薄膜工艺的难度。

35、本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

技术特征：

1.一种滤波器的制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的滤波器的制备方法，其特征在于，所述第一塑封层和所述第二塑封层的材料均为干膜；或者，所述第一塑封层的材料为环氧树脂模塑料emc，所述第二塑封层的材料为干膜。

3.如权利要求1所述的滤波器的制备方法，其特征在于，

4.如权利要求3所述的滤波器的制备方法，其特征在于，所述第一牺牲层和/或所述第二牺牲层的材料包括聚酰亚胺。

5.如权利要求1所述的滤波器的制备方法，其特征在于，

6.如权利要求1所述的滤波器的制备方法，其特征在于，所述形成包覆所述第二支撑层的第二塑封层后，所述方法还包括：

7.一种滤波器，其特征在于，包括：

8.如权利要求7所述的滤波器，其特征在于，所述第一塑封层和所述第二塑封层的材料均为干膜；或者，所述第一塑封层的材料为环氧树脂模塑料emc，所述第二塑封层的材料为干膜。

9.如权利要求7所述的滤波器，其特征在于，还包括：

10.如权利要求7所述的滤波器，其特征在于，还包括：

技术总结
本申请实施例涉及一种滤波器及其制备方法，包括：提供衬底；在衬底上形成压电谐振结构叠层，其包括依次堆叠的第一电极、压电层和第二电极；在压电谐振结构叠层的第一表面上形成第一牺牲层，第一表面为压电谐振结构叠层的远离衬底的表面；形成包覆第一牺牲层的第一塑封层；去除衬底；在压电谐振结构叠层的第二表面上形成第二牺牲层，第二表面为压电谐振结构叠层的经去除衬底而暴露的表面；形成包覆第二牺牲层的第二支撑层；去除第一牺牲层和第二牺牲层，以在第一牺牲层和第二牺牲层所在位置处分别形成第一空腔和第二空腔；形成包覆第二支撑层的第二塑封层；第一塑封层和第二塑封层的材料均为柔性材料，以降低生产成本和难度，提高器件柔性。

技术研发人员：王国军,赖志国,杨清华
受保护的技术使用者：苏州汉天下电子有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15